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제 1 기판에 제 1 단자를 형성하는 단계;고분자 수지와 솔더 입자를 포함하는 혼합물을 공급하여 적어도 상기 제 1 단자의 상부면과 측면을 덮는 단계;상기 솔더 입자의 녹는점 이상의 온도로 상기 제 1 기판을 가열하여 상기 제 1 단자의 상부면과 측면을 덮는 솔더막을 형성하는 단계; 및상기 솔더막을 형성한 후에, 상기 고분자 수지를 제거하여 상기 솔더막을 노출시키는 단계를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 단자는 상기 제 1 기판의 상부면으로부터 위로 돌출되며, 금속 패드와 그 위에 위치한 금속 범프를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 금속 범프는 필라(pillar)형 또는 스터드(stud)형인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법
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4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 단자를 형성하기 전에, 상기 제 1 기판에 홀을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 제 1 단자는 상기 홀의 측벽과 바닥을 덮도록 형성되며, 상기 솔더막은 상기 홀을 채우는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 제 1 기판의 전면과 후면을 평탄화하는 단계를 더 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 혼합물은 연장되어 상기 제 1 단자와 이웃하는 제 1 단자 사이를 덮는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 노출된 솔더막의 측면을 덮는 유동성 경화 수지를 공급하는 단계;제 2 단자가 형성된 제 2 기판을 상기 제 1 기판 상에 위치시켜 상기 제 2 단자와 상기 솔더막이 서로 접하게 하는 단계; 및상기 솔더막의 녹는점 이상의 온도로 상기 제 1 기판을 가열하여 상기 솔더막이 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자를 결합시키는 동시에 상기 유동성 경화수지가 경화되는 단계를 더 포함하는 것을 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 기판을 가열하기 전에, 제 2 단자가 형성된 제 2 기판을 상기 제 1 기판 상에 위치시켜 상기 제 2 단자가 상기 제 1 단자에 근접하게 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 혼합물은 경화제를 더 포함하며, 상기 제 1 기판을 가열함으로써 상기 경화제에 의해 상기 고분자수지가 경화되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 8항 또는 제 9 항에 있어서,상기 제 2 기판은 반도체 칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 솔더 입자는 0
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제 1 항에 있어서,상기 혼합물은 상기 솔더 입자와 상기 고분자 수지를 부피비로 1:9~5:5로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 기판;상기 제 1 기판에 형성된 제 1 단자;상기 제 1 기판과 접하지 않고 노출된 상기 제 1 단자의 표면을 모두 덮는 솔더막;상기 제 1 기판 상에 위치하는 제 2 기판;상기 제 2 기판의 하부면에 형성되며 상기 제 1 단자와 인접한 제 2 단자;상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이를 채우는 절연막; 및상기 절연막 내에 위치하되 상기 솔더막과 이격된 솔더 입자를 포함하되,상기 솔더막은 연장되어 상기 제 2 단자의 측면을 덮는 반도체 패키지
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제 14 항에 있어서,상기 제 2 기판은 반도체 칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지
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