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반도체소자용금속배선의형성방법

  • 기술번호 : KST2015100372
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음.
Int. CL H01L 23/52 (2006.01) H01L 27/04 (2006.01)
CPC H01L 21/76838(2013.01) H01L 21/76838(2013.01)
출원번호/일자 1019890012068 (1989.08.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0051955-0000 (1992.06.04)
공개번호/일자 10-1991-0005439 (1991.03.30) 문서열기
공고번호/일자 1019920001914 (19920306) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1989.08.24)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 대전시서구
2 박성호 대한민국 대전시서구
3 맹성재 대한민국 대전시동구
4 김진섭 대한민국 대전시동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1989.08.24 수리 (Accepted) 1-1-1989-0070916-80
2 특허출원서
Patent Application		 1989.08.24 수리 (Accepted) 1-1-1989-0070915-34
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1989.08.24 수리 (Accepted) 1-1-1989-0070917-25
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1992.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0037406-81
5 등록사정서
Decision to grant		 1992.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0037408-72
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

리프트 오프 공정을 이용하여 반도체 소자의 금속배선을 형성함에 있어서, 반도체 기판위에 감광막을 형성하는 단계와, 저온열처리 방법으로 감광막의 강도를 높이는 단계와, 감광막을 모노클로로 벤젠에 담그는 단계와, 감광막의 강도를 회복시켜 주는 단계와, 감광막을 선택적으로 노광시키는 단계와, 감광막을 현상한 후, 고온 열처리를 하는 단계와, 금속층을 상면에 증착하는 단계와, 리프트 오프 공정의 단계들의 규합에 의하여 원하는 형상의 금속배선을 재현시키도록 한 반도체 소자용 금속배선의 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 단층감광막을 일정의 포토리소그라피 공정과 함께 모노클로로 벤젠에 의해 표면경화 되도록하여 현상후에 감광막의 오우버행 구조가 형성되도록 함을 특징으로 하는 반도체 소자용 금속배선의 형성방법

3 3

제1항에 있어서, 단층 감광막의 재료는 해상력(resolurion)이 보다 뛰어난 포지티브형 쉬플리 1400계열의 감광막을 사용한 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 금속배선의 형성방법

4 4

제1항에 있어서, 감광막의 두께를 비교적 얇게 1

5 5

제1항에 있어서, 도포된 감광막을 55℃∼75℃의 온도에서 저온열처리함을 특징으로 하는 반도체 소자용 금속배선의 형성방법

6 6

제1항에 있어서, 모노크로로 벤젠에 담금처리를 할 때 그 시간을 5∼10분 동안 행하도록 함을 특징으로 하는 반도체 소자용 금속배선의 형성방법

7 7

제1항에 있어서, 300nm의 주된 파장을 갖는 낮은 노광에너지(0

8 8

제1항에 있어서, 적정의 노광시간보다 긴 50∼80초 동안 더 현상시켜 용이하고 깨끗한 리프트 오프가 이루어지도록 함을 특징으로 하는 반도체 소자용 금속배선의 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.