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핫전자 장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015100748
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기존의 화합물반도체 소자의 제조 방법을 핫전자 장치의 전기적 특성을 최대화할 수 있도록 개선함으로써 기존의 핫전자 장치의 특성을 향상시키는데 주 목적이 있다. 그 특징으로 언더컷, 메사의 등방성 에칭등의 문제점이 없는 서브 마이크론 이하의 에미터 메사형성이 가능하도록, 반응성이온식각의 건식식각법을 도입하였다. 또한 베이스층을 줄임으로써 핫전자의 천이시간을 줄여 소자의 초고속 특성을 향상시키기 위한 노력의 일환으로 적은 확산 길이를 갖는 Pd/Ge 금속을 이용하여 베이스층의 특성을 향상시켰다. 이러한 새로운 제조방법을 이용하여 제작된 핫전자 장치는 고전류, 고주파 특성이 향상되고, 초고속 특성이 향상된 전기적 특성을 보여주게 된다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01)
CPC H01L 29/7606(2013.01) H01L 29/7606(2013.01) H01L 29/7606(2013.01)
출원번호/일자 1019960069285 (1996.12.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1998-0050462 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.20)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노동완 대한민국 대전광역시 서구
2 김경옥 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229608-48
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229607-03
3 특허출원서
Patent Application		 1996.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229606-57
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229609-94
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0116492-72
6 출원포기서
Abandonment of Application		 1999.05.07 수리 (Accepted) 1-1-1999-5175832-12
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판; 상기 기판 상에 형성된 콜렉터층; 상기 콜렉터층 상에 형성되되 상기 콜렉터층의 일부를 노출시키는 불순물이 도핑되지 않은 제 1 장벽층; 상기 제 1 장벽층 상에 형성되되 상기 제 1 장벽층과 동일한 폭을 갖고 형성된 베이스층;

상기 베이스층 상에 형성되되 상기 베이스층의 일부를 노출시키는 불순물이 도핑되지 않은 제 2 장벽층; 및 상기 제 2 장벽층 상에 형성되되 상기 제 2 장벽층과 동일한 폭을 갖고 형성된 에미터층을 포함하여 이루어지는 핫전자 장치

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 장벽층은, 전위변화 흡수를 위한 불순물 도핑되지 않은 완충층;

상기 완충층 상에 형성되는 불순물 도핑되지 않은 에미터 장벽층;

사이 에미터 장벽층 상에 형성되는 불순물 도핑되지 않은 전자의 양자우물층; 및 상기 양자우물층 상에 형성되는 불순물 도핑되지 않은 전자 장벽층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 핫전자 장치

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 핫전자 장치는, 상기 콜렉터층, 상기 베이스층 및 에미터층과 전기적으로 접속되는 금속합금층을 더 포함하여 형성하되, 상기 베이스층 상에 접촉되어 형성되는 금속합금은 Pd/Ge층으로 이루어지는 것을

4 4

기판(6) 상에 콜렉터층(C), 불순물이 도핑되지 않은 제 1 장벽층(5), 베이스층(B), 불순물이 도핑되지 않은 제 2 장벽층(5) 및 에미터층을 차례로 형성하는 단계;

상기 에미터층 상에 제 1 금속합금층 패턴을 형성하는 단계;

상기 금속합금층 패턴을 식각 마스크로하여 상기 에미터층 및 제 2 장벽층을 선택 식각하는 단계;

전체구조 상부에 식각 마스크 패턴을 형성하여 상기 베이스층 및 제 1 장벽층을 소정의 크기로 식각하여 상기 베이스층 및 콜렉터층의 상부 표면 일부를 노출시키는 단계;

상기 노출된 상기 베이스층 및 콜렉터층의 표면 상에 제 2 금속합금층을 형성하는 단계; 및

전체구조 상부에 절연막을 도포하여 상기 제 1 및 제 2 금속합금층을 노출시켜 금속배선을 형성하는 단계

를 포함하여 이루어지는 핫전자 장치 제조 방법

5 5

제 4 항에 있어서, 상기 에미터층 및 제 2 장벽층의 선택 식각은 반응성이온식각 방법에 의해 식각되는 것을 특징으로 하는 핫전자 장치 제조 방법

6 6

제 4 항에 있어서, 상기 상기 베이스층 및 제 1 장벽층의 식각은 습식식각 방법에 의해 식각되는 것을 특징으로 하는 핫전자 장치 제조 방법

7 7

제 4 항에 있어서, 상기 베이스층 상에 형성되는 제 2 금속합금층은 Pd/Ge합금층인 것을 특징으로 하는 핫전자 장치 제조 방법

8 8

제 4 항에 있어서, 상기 제 1 금속합금층은 Au:Ge/Ni합금층인 것을 특징으로 하는 핫전자 장치 제조 방법

9 9

제 8 항에 있어서, 상기 Au:Ge/Ni합금층의 두께는 1000Å/500Å인 것을 특징으로 하는 핫전자 장치 제조 방법

10 10

제 4 항에 있어서, 상기 제 2 금속합금층은 Au:Ge/Ni합금층인 것을 특징으로 하는 핫전자 장치 제조 방법

11 11

제 10 항에 있어서, 상기 Au:Ge/Ni합금층의 두께는 1000Å/500Å인 것을 특징으로 하는 핫전자 장치 제조 방법

12 12

제 4 항에 있어서, 상기 방법은, 상기 제 1 및 제 2 금속합금층을 노출시킨후 상기 제 1 및 제 2 금속합금층을 열처리하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 핫전자 장치 제조 방법

13 13

제 12 항에 있어서, 상기 열처리는 360℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 핫전자 장치 제조 방법

14 14

제 13 항에 있어서, 상기 열처리는 대략 30초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 핫전자 장치 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.