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실리콘 기판 상에 저온에서 게르마늄 박막을 성장시키는 단계;승온시키면서 게르마늄 박막을 성장시키는 단계; 및고온에서 게르마늄 박막을 성장시키는 단계를 포함하고, 여기서, 각각의 성장 단계는 감압 화학기상증착법(RPCVD)을 이용하여 수행되며, 상기 각각의 단계를 통해 성장된 게르마늄 박막은 네가티브 광전도 특성을 갖는 것인 게르마늄 단결정 박막의 성장방법
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제 1항에 있어서,상기 저온 게르마늄 성장 단계는 350 내지 450℃의 증착온도 및 10 내지 90 Torr의 압력하에서 80 내지 120㎚의 두께로 성장시키는 것인 게르마늄 단결정 박막의 성장방법
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제 1항에 있어서,상기 승온 게르마늄 성장 단계는 350 내지 450℃에서 600 내지 700℃로 분당 5 내지 15℃의 속도로 승온시키면서 180 내지 220㎚의 두께로 성장시키는 것인 게르마늄 단결정 박막의 성장방법
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제 1항에 있어서,상기 고온 게르마늄 성장 단계는 600℃ 내지 700℃의 증착 온도 및 10 내지 90 Torr의 압력하에서 성장시키는 것인 게르마늄 단결정 박막의 성장방법
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제 1항에 있어서, 상기 승온 게르마늄 성장 단계에서의 증착속도는 저온 게르마늄 성장 단계에서의 증착속도와 동일하며, 상기 고온 게르마늄 성장 단계에서의 증착속도는 저온 게르마늄 성장 단계에서의 증착속도에 2배 이상인 게르마늄 단결정 박막의 성장방법
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실리콘 기판 상에 저온에서 성장된 저온 게르마늄 박막층;상기 저온 게르마늄 박막층 상에 승온하에서 성장된 승온 게르마늄 박막층; 및상기 승온 게르마늄 박막층 상에 고온하에서 성장된 고온 게르마늄 박막층을 포함하는 네가티브 광전도 특성을 갖는 게르마늄 단결정 박막을 포함한 광검출기
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제 6항에 있어서,상기 저온 게르마늄 박막층은 350 내지 450℃의 증착 온도 및 10 내지 90 Torr의 압력하에서 성장되고, 80 내지 120㎚의 두께를 갖는 것인 광검출기
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제 6항에 있어서,상기 승온 게르마늄 박막층은 350 내지 450℃에서 600 내지 700℃로 분당 5 내지 15℃의 속도로 승온시키면서 성장되고, 180 내지 220㎚의 두께를 갖는 것인 광검출기
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제 6항에 있어서,상기 고온 게르마늄 박막층은 600℃ 내지 700℃의 증착 온도 및 10 내지 90 Torr의 압력하에서 성장되는 것인 광검출기
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