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단결정 성장용 종자정의 제조 방법, 상기 종자정을 이용한 단결정 성장 방법

  • 기술번호 : KST2015107856
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 단결정 성장용 종자정의 제조 방법 및 상기 종자정을 이용한 단결정 성장 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 단결정 성장용 종자정의 제조 방법에 있어서, 종자정 일면에 탄화막을 형성하는 단계; 상기 종자정 다른 일면에 산화막을 제거하는 단계; 및 상기 종자정을 세정하는 단계를 포함한다.
Int. CL C01B 31/36 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) C30B 23/00 (2006.01)
CPC C30B 23/002(2013.01) C30B 23/002(2013.01) C30B 23/002(2013.01) C30B 23/002(2013.01) C30B 23/002(2013.01)
출원번호/일자 1020120157322 (2012.12.28)
출원인 주식회사 포스코, 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-1419472-0000 (2014.07.08)
공개번호/일자 10-2014-0087344 (2014.07.09) 문서열기
공고번호/일자 (20140716) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.28)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 여임규 대한민국 경북 포항시 남구
2 은태희 대한민국 경북 포항시 남구
3 김장열 대한민국 경북 포항시 남구
4 김흥락 대한민국 경북 포항시 남구
5 이승석 대한민국 경북 포항시 남구
6 서한석 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 경상북도 포항시 남구
2 재단법인 포항산업과학연구원 경북 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-1093746-29
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0086804-80
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0135675-42
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0392064-25
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0392063-80
8 등록결정서
Decision to grant
2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0342173-34
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0788247-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077322-80
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200802-82
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-5204006-48
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단결정 성장용 종자정의 제조 방법에 있어서,종자정 일면에 탄화막을 형성하는 단계;상기 종자정 다른 일면에 산화막을 제거하는 단계; 및상기 종자정을 세정하는 단계를 포함하는 단결정 성장용 종자정의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 탄화막은 종자정 받침대와 결합되는 종자정의 일면에 형성되는 단결정 성장용 종자정의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 종자정은 실리콘 카바이드를 포함하는 단결정 성장용 종자정의 제조 방법
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탄화막 형성 단계는, 상기 종자정의 일면에 탄소 페이스트(paste)를 도포하여 계면을 접합하는 단계; 및 상기 탄화막을 열처리를 통하여 탄화 및 경화시키는 단계를 포함하는 단결정 성장용 종자정의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 산화막 제거 단계는, 상기 종자정을 HF 수용액 담금질(dipping) 처리하는 단계; 및 연마 장치로 연마하는 단계를 포함하는 단결정 성장용 종자정의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 종자정 세정 단계는, 증류수에 극미량의 석회를 넣고 초음파 세척하는 단계; 및 상기 종자정을 흐르는 증류수에 세척하는 단계를 포함하는 단결정 성장용 종자정의 제조 방법
7 7
원료 물질이 장입되는 도가니, 종자정이 부착되는 종자정 받침대, 상기 도가니를 가열하는 가열수단을 포함하는 단결정 성장 장치를 이용하여 단결정을 성장시키는 단결정 성정 방법에 있어서,종자정 일면에 탄화막을 형성하는 단계;상기 종자정 다른 일면에 산화막을 제거하는 단계; 및상기 종자정을 세정하는 단계를 포함하는 단결정 성장용 종자정의 제조 방법에 의하여 상기 종자정을 제조하고,상기 종자정 받침대에 종자정을 부착시키는 단계;상기 종자정이 부착된 종자정 받침대를 상기 단결정 성장 장치 내로 인입시키는 단계;상기 원료 물질을 상기 단결정 성장 장치 내부에 배치된 도가니에 장입시키는 단계;상기 가열수단을 이용하여 도가니를 가열시켜, 상기 도가니 내에 장입된 원료 물질을 승화시켜 상기 종자정에 단결정을 성장시키는 단계를 포함하는 종자정을 이용한 단결정 성장 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 탄화막은 종자정 받침대와 결합되는 종자정의 일면에 형성되는 종자정을 이용한 단결정 성장 방법
9 9
제7항에 있어서,상기 종자정은 실리콘 카바이드를 포함하는 종자정을 이용한 단결정 성장 방법
10 10
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탄화막 형성 단계는, 상기 종자정의 일면에 탄소 페이스트(paste)를 도포하여 계면을 접합하는 단계; 및 상기 탄화막을 열처리를 통하여 탄화 및 경화시키는 단계를 포함하는 종자정을 이용한 단결정 성장 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 산화막 제거 단계는, 상기 종자정을 HF 수용액 담금질(dipping) 처리하는 단계; 및 연마 장치로 연마하는 단계를 포함하는 종자정을 이용한 단결정 성장 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 종자정 세정 단계는, 증류수에 극미량의 석회를 넣고 초음파 세척하는 단계; 및 상기 종자정을 흐르는 증류수에 세척하는 단계를 포함하는 종자정을 이용한 단결정 성장 방법
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패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주) 포스코 소재부품기술개발사업(WPM) 고품위 SiC 단결정 웨이퍼 제조 기술