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실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 음극 활물질 및 리튬이차전지(SILICON-SILICON OXYCARBIDE GLASS COMPOSITE, PREPARATION METHOD OF THEREOF, AND ANODE MATERIALS AND LITHIUM SECONDARY BATTERY COMPRISING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016009210
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고용량의 특성을 가지면서 사이클 특성과 전기화학적 특성이 뛰어난 실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체에 관한 것으로, 실리콘 입자 표면에 실리콘 옥시카바이드(SiOC)가 코팅된 다수의 단위 입자들이 뭉쳐진 입자군으로 구성되어, 상기 단위 입자들 사이에는 기공이 위치하고, 상기 실리콘 옥시카바이드 코팅층이 상호 연결된 실리콘 옥시카바이드 네트워크를 형성한 것을 특징으로 한다.또한, 본 발명의 음극 활물질 및 리튬이차전지는 상기한 구조의 실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체를 포함하는 음극 활물질 및 이러한 음극 활물질을 포함하는 음극을 구비한 리튬이차전지인 것을 특징으로 한다.
Int. CL C01B 31/36 (2006.01) H01M 10/052 (2010.01) H01M 4/48 (2010.01) H01M 4/13 (2010.01) H01M 4/38 (2006.01) C01B 33/02 (2006.01)
CPC H01M 4/38(2013.01) H01M 4/38(2013.01) H01M 4/38(2013.01) H01M 4/38(2013.01) H01M 4/38(2013.01) H01M 4/38(2013.01) H01M 4/38(2013.01) H01M 4/38(2013.01) H01M 4/38(2013.01) H01M 4/38(2013.01)
출원번호/일자 1020140140836 (2014.10.17)
출원인 주식회사 케이씨씨, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1631137-0000 (2016.06.10)
공개번호/일자 10-2016-0045378 (2016.04.27) 문서열기
공고번호/일자 (20160617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.17)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이씨씨 대한민국 서울특별시 서초구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강경훈 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 고태호 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 전문규 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 최장욱 대한민국 대전광역시 유성구
5 정대수 대한민국 서울특별시 금천구
6 최성훈 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이씨씨 서울특별시 서초구
2 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0991726-81
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.03.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0033081-14
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0797350-03
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0047032-41
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.01.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0047042-08
10 등록결정서
Decision to grant
2016.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0369631-90
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.05.18 수리 (Accepted) 4-1-2017-5075923-28
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5221488-74
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 입자 표면에 실리콘 옥시카바이드(SiOC)가 코팅된 다수의 단위 입자들이 뭉쳐진 입자군으로 구성되며,상기 단위 입자들 사이에는 기공이 위치하고,상기 실리콘 옥시카바이드 코팅층이 상호 연결된 실리콘 옥시카바이드 네트워크를 형성한 것을 특징으로 하는 실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체
2 2
청구항 1에 있어서,상기 실리콘 입자의 입경이 500nm 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체
3 3
청구항 1에 있어서,상기 실리콘 옥시카바이드 코팅층의 두께가 100nm 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체
4 4
청구항 1에 있어서,상기 입자군의 평균 직경이 100㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체
5 5
청구항 1에 있어서,상기 기공의 평균 크기가 100nm 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체
6 6
청구항 1에 있어서,상기 입자군의 표면에 탄소 코팅층이 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체
7 7
청구항 6에 있어서,상기 탄소 코팅층의 두께가 50nm 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체
8 8
삭제
9 9
실리콘 옥시카바이드 전구체 물질을 용매에 용해시킨 전구체 용액에 실리콘 입자를 혼합하는 단계;실리콘 입자가 혼합된 전구체 용액을 분무한 액적을 발생시키는 단계;상기 액적을 기상합성장치의 반응기에 투입하여, 상기 실리콘 옥시카바이드 전구체를 기상합성법에 의해서 실리콘 옥시카바이드로 합성하고 상기 실리콘 입자에 증착함으로써, 실리콘 입자에 실리콘 옥시카바이드가 코팅된 단위 입자를 제조하는 단계; 및상기 단위 입자들이 뭉쳐진 상태에서 상기 실리콘 옥시카바이드 코팅층을 성장시킴으로써 상기 단위 입자들 표면에 코팅된 실리콘 옥시카바이드 코팅층을 서로 연결하여, 실리콘 옥시카바이드 층이 서로 연결된 실리콘 옥시카바이드 네트워크가 형성된 상태로 상기 단위 입자들이 뭉친 입자군을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체의 제조방법
10 10
청구항 9에 있어서,상기 실리콘 옥시카바이드 전구체 물질이 디페닐실란디올(Dipheynlsilanediol), 트리페닐실란올(Triphenylsilanol), 트리메톡시페닐실란(trimehtoxyphenylsilane), 페닐트리에톡시실란(phenyltriethoxysilane), 트리에톡시비닐실란(triethoxyvinylsilane) 및 디메틸비닐실란올(dimethylvinylsilanol) 중에서 선택된 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체의 제조방법
11 11
청구항 9에 있어서,상기 전구체 용액에 용해된 전구체 물질의 농도가 0
12 12
청구항 9에 있어서,상기 전구체 용액에 분산된 실리콘 입자의 함량이 0
13 13
청구항 9에 있어서,상기 액적을 기상합성장치의 반응기에 투입하는 유속이 0
14 14
청구항 9에 있어서,상기 액적을 기상합성장치의 반응기에 투입하는 운반기체가 불활성 기체, 수소 기체 및 이들의 혼합 기체 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체의 제조방법
15 15
청구항 9에 있어서,상기 단위 입자를 제조하기 위한 기상합성 공정이 100℃ ~ 1500℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체의 제조방법
16 16
청구항 9에 있어서,상기 입자군을 형성하는 단계가, 상기 기상합성장치의 반응기에서 포집된 액적을 건조하는 과정에서 진행되는 것을 특징으로 하는 실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체의 제조방법
17 17
청구항 16에 있어서,상기 건조하는 과정이 50 ~ 200℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체의 제조방법
18 18
청구항 9에 있어서,상기 입자군을 형성하는 단계 이후에 상기 입자군의 표면에 탄소 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체의 제조방법
19 19
청구항 18에 있어서,상기 탄소 코팅을 형성하는 단계가,불활성 기체, 수소 기체 및 이들의 혼합 기체 중에 하나의 기체 분위기 또는 진공 상태에서 상기 입자군을 500~1500℃의 온도범위로 열처리하여 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체의 제조방법
20 20
청구항 1 내지 청구항 7 중에 하나의 실리콘-실리콘 옥시카바이드 복합체를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 음극 활물질
21 21
청구항 20의 음극 활물질을 포함하는 음극을 구비한 것을 특징으로 하는 리튬이차전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.