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수직형광전집적회로

  • 기술번호 : KST2015111277
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음.
Int. CL H01L 27/146 (2006.01.01)
CPC H01L 27/14609(2013.01)
출원번호/일자 1019890003618 (1989.03.22)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1990-0015341 (1990.10.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1989.03.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권영세 대한민국 서울시중랑구
2 유회준 대한민국 서울시노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1989.03.22 수리 (Accepted) 1-1-1989-0021599-61
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1989.03.22 수리 (Accepted) 1-1-1989-0021600-20
3 특허출원서
Patent Application		 1989.03.22 수리 (Accepted) 1-1-1989-0021598-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1991.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0011195-33
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1991.10.11 수리 (Accepted) 1-1-1989-0021601-76
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1991.11.11 수리 (Accepted) 1-1-1989-0021603-67
7 의견서
Written Opinion		 1991.11.11 수리 (Accepted) 1-1-1989-0021602-11
8 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1991.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0011196-89
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

n+-GaAs기판(11)상에 전계효과트랜지스터의 채널이 된 n--CaAs층(12)을 형성하고, 그 n--CaAs층(12)에 게이트(13),(13′)를 형성한 후 상기 n+-GaAs층(12)의 상단인 드레인에 레이저 다이오드용 클래딩층(21), 활성층(22), 클래딩층(23)및 오오믹접속층(24)을 수직으로 순차형성하며, 상기 게이트(13,13′) 및 상기 오오믹접속층(25)에 금속층(15),(25)을 각기 형성하여 구성된 것을 특징으로 하는 수직형 광전집적회로

2 2

제1항에 있어서, 상기 게이트(13) 가 불순물의 확산 또는 이온주입으로 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 광전집적회로

3 3

제1항에 있어서, 상기 게이트(13′)가 내열성 도체의 증착으로 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 광전집적회로

4 4

제1항에 있어서, 상기 게이트(13

5 5

제1항에 있어서, 상기 게이트(13,13′)가 그물 형태로 구성된 것을 특징으로 하는 수직형 광전집적회로

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.