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높은 광감도를 갖는 ＣＭＯＳ 이미지 센서 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015118677
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CMOS 이미지 센서의 고 집적화시 광감도(photosensitivity)를 획기적으로 높일 수 있도록 하기 위한 것으로, 일 실시예로 수광 소자 영역 및 트랜지스터 영역이 정의된 반도체 기판을 준비하는 단계와, 수광 소자 영역에 플라즈마 방전을 발생시켜 미세 먼지를 형성시키는 단계, 미세 먼지를 마스크로 식각하여 수광 소자 영역에 미소 기둥을 형성하는 단계, 및 미세 먼지를 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 제조 방법으로 수광 소자의 상단에 미소 기둥이 다수개 형성된 구조를 갖는 높은 광감도를 갖는 CMOS 이미지 센서 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다. CMOS 이미지 센서, 미소 기둥(nanopillar), 수광 소자(photodiode), 트랜스퍼 게이트(transfer gate), 암전류(dark current), 플로팅 디퓨전(floating diffusion)
Int. CL B82Y 20/00 (2011.01) H01L 27/146 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060001335 (2006.01.05)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0767629-0000 (2007.10.10)
공개번호/일자 10-2007-0073430 (2007.07.10) 문서열기
공고번호/일자 (20071017) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.01.05)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전광역시 유성구
2 김국환 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2006-0007806-01
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0677838-89
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0043402-37
4 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0136464-16
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.03.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0217947-89
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2007.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0218475-19
7 의견서
Written Opinion		 2007.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0217859-69
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2007.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0402699-92
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2007.09.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2007-0037687-20
10 등록결정서
Decision to grant		 2007.10.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0541201-51
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
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4 4
CMOS 이미지 센서를 제조하는 방법에 있어서, (a) 수광 소자 영역 및 트랜지스터 영역이 정의된 반도체 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 수광 소자 영역에 플라즈마 방전을 발생시켜 미세 먼지를 형성시키는 단계; (c) 상기 미세 먼지를 마스크로 식각하여 상기 수광 소자 영역에 미소 기둥을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 미세 먼지를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 높은 광감도를 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 플라즈마 방전을 위하여 상기 수광 소자 영역에 플라즈마 가스를 주입하는 것을 특징으로 하는 높은 광감도를 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 미세 먼지는 상기 플라즈마 방전시 상기 플라즈마 가스와 상기 수광 소자의 래디컬(radical)이 결합하여 형성된 것을 특징으로 하는 높은 광감도를 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 수광 소자의 래디컬(radical)은 실리콘인 것을 특징으로 하는 높은 광감도를 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
8 8
제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 플라즈마 가스는 할로겐계 화합물과 산소(O2) 가스인 것을 특징으로 하는 높은 광감도를 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 할로겐계 화합물은 HBr 또는 Cl2인 것을 특징으로 하는 높은 광감도를 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 미세 먼지는 SixBryOz 또는 SixClyOz인 것을 특징으로 하는 높은 광감도를 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
11 11
제4항 또는 제6항에 있어서, 상기 미세 먼지는 나노미터 이하의 크기로 형성하는 것을 특징으로 하는 높은 광감도를 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
12 12
CMOS 이미지 센서를 제조하는 방법에 있어서, (a) 수광 소자 영역 및 트랜지스터 영역이 정의된 반도체 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 수광 소자 영역에 나노미터 크기의 구형 볼을 단층으로 배열하는 단계;(c) 상기 볼을 마스크로 식각하여 상기 수광 소자 영역에 미소 기둥을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 볼을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 높은 광감도를 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 볼은 폴리머 성분으로 구성된 것을 특징으로 하는 높은 광감도를 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
14 14
제12항에 있어서, 상기 미소 기둥의 직경은 상기 볼의 직경에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 높은 광감도를 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
15 15
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 미소 기둥의 직경은 나노(nano)미터 이하의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 높은 광감도를 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 JP19184560 JP 일본 FAMILY
2 US07741664 US 미국 FAMILY
3 US20070152248 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1996605 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1996605 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2007184560 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2007152248 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US7741664 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.