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이종 접합 구조의 이미지 센서에 있어서, 상호로부터 이격되어 배열되는 복수의 애노드들을 포함하는 회로 소자; 및상기 애노드들에 각각 접합되고, 입사되는 광에 대한 전기 에너지를 각각 발생시키는 복수의 활성 엘리먼트들을 포함하는, 이미지 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 애노드들과 상기 활성 엘리먼트들 사이에 개재되어, 상기 애노드들과 상기 활성 엘리먼트들을 전기적으로 연결하는 전극 엘리먼트들을 더 포함하는,이미지 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 회로 소자는, 상기 애노드들로부터 이격되어 배치되는 캐소드를 더 포함하는,이미지 센서
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제 3 항에 있어서, 상기 활성 엘리먼트들을 사이에 두고 상기 회로 소자의 맞은 편에서 상기 활성 엘리먼트들에 부착되고, 상기 캐소드에 전기적으로 연결되는 접합층을 더 포함하는,이미지 센서
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제 4 항에 있어서, 상기 접합층과 상기 캐소드를 연결하여, 상기 캐소드와 상기 활성 엘리먼트들을 전기적으로 연결하는 연결 부재를 더 포함하는,이미지 센서
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제 3 항에 있어서, 상기 회로 소자는, 일 면에 상기 애노드들 및 상기 캐소드가 부착되고, 상기 애노드들 및 상기 캐소드와 전기적으로 연결되는 내부 회로를 갖고, 상기 활성 엘리먼트들의 각각으로부터의 상기 전기 에너지에 기반하여, 이미지를 검출하도록 구성되는 회로 기판을 더 포함하는,이미지 센서
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제 4 항에 있어서, 상기 접합층은,투명한 재료로 형성되는,이미지 센서
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제 4 항에 있어서, 상기 활성 엘리먼트들은,III-V족 원소, VI족 원소 또는 II-VI족 원소 중 적어도 하나로 형성되고,상기 접합층은,전이금속 디칼코게나이드(transition metal dichalcogenide; TMD)로 형성되는, 이미지 센서
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이종 접합 구조의 이미지 센서의 제조 방법에 있어서, 회로 소자, 및 지지 기판 및 상기 지지 기판 상에 적층된 활성층을 포함하는 광다이오드 소자를 준비하는 단계;상기 지지 기판과 활성층이 반전되도록 회전시켜, 상기 회로 소자 상에 상기 활성층을 접합시키는 단계; 및상기 활성층으로부터 상기 지지 기판을 제거하는 단계를 포함하는, 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 회로 소자는,상기 활성층이 접합되고, 상호로부터 이격되어 배열되는 복수의 애노드들을 포함하는,방법
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제 10 항에 있어서, 상기 광다이오드 소자의 상기 활성층 상에 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 회로 소자 상에 상기 활성층을 접합시키는 단계는,상기 전극층을 상기 애노드들에 접촉시켜, 상기 전극층을 통해 상기 애노드들과 상기 활성층을 접합시키는,방법
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제 10 항에 있어서, 상기 지지 기판이 제거된 후에, 상기 활성층을 부분적으로 제거하여, 상기 활성층으로부터 상기 애노드들에 각각 접합되는 복수의 활성 엘리먼트들을 형성하는 단계를 더 포함하는, 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 활성 엘리먼트들 상에 접합층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 지지 기판이 제거된 후에, 상기 활성층의 일부를 제거하여, 상기 캐소드를 노출시키는 단계를 더 포함하는, 방법
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제 15 항에 있어서, 연결 부재를 이용하여, 상기 접합층과 상기 캐소드를 연결하는 단계 를 더 포함하는, 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 활성 엘리먼트들의 각각은,입사되는 광에 대한 전기 에너지를 발생시키는,방법
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제 17 항에 있어서, 상기 회로 소자는, 일 면에 상기 애노드들 및 상기 캐소드가 부착되고, 상기 애노드들 및 상기 캐소드와 전기적으로 연결되는 내부 회로를 갖고, 상기 활성 엘리먼트들의 각각으로부터의 상기 전기 에너지에 기반하여, 이미지를 검출하도록 구성되는 회로 기판을 더 포함하는,방법
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제 14 항에 있어서, 상기 접합층은,투명한 재료로 형성되는,방법
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제 14 항에 있어서, 상기 활성 엘리먼트들은,III-V족 원소, VI족 원소 또는 II-VI족 원소 중 적어도 하나로 형성되고,상기 접합층은,전이금속 디칼코게나이드(TMD)로 형성되는, 방법
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