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나노결정을 이용한 비휘발성 기억소자 형성방법

  • 기술번호 : KST2015111493
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 그레인 경계에서 식각비와 산화비가 증가하는 현상을 이용하여 고속 저전력소자에 이용되는 비휘발성 기억소자를 형성하는 방법에 관한 것으로서, 원하는 크기의 나노결정을 아주 균일하고 재현성이 높게 고밀도로 형성하기 위한 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.본 발명에서는 아주 얇은 비정질실리콘 연속막을 형성하고 그 위에 산화막을 형성한 후 열처리 및 산화를 통해 다결정화한 다음, 산화막을 제거하고 세코식각 또는 라이트식각을 수행함으로써, 비휘발성 기억소자를 형성한다. 이때, 그레인 경계를 통한 식각비 증가를 이용하여 나노결정을 균일하게 고밀도로 형성한다. 또한, 아주 얇은 비정질실리콘 연속막을 형성한 후 열처리 및 산화를 통해 다결정화한 다음, 산화막을 제거한 후 다시 산화시킴으로써, 그레인 경계를 통한 산화비 증가를 이용하는 방법으로 비휘발성 기억소자를 형성할 수도 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/336 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1019980028534 (1998.07.15)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0271211-0000 (2000.08.11)
공개번호/일자 10-2000-0008634 (2000.02.07) 문서열기
공고번호/일자 (20001201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.07.15)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신형철 대한민국 대전광역시 유성구
2 김일권 대한민국 대전광역시 유성구
3 이종호 대한민국 전라북도 익산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.07.15 수리 (Accepted) 1-1-1998-0087830-50
2 특허출원서
Patent Application		 1998.07.15 수리 (Accepted) 1-1-1998-0087828-68
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.07.15 수리 (Accepted) 1-1-1998-0087829-14
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
8 등록사정서
Decision to grant		 2000.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0151470-71
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘기판 위에 터널링 절연막을 형성한 후 비정질실리콘 연속막을 형성하는 단계, 상기 비정질실리콘 연속막을 다결정화하여 다결정 실리콘층을 형성하는 단계, 상기 다결정 실리콘층을 식각하여 나노결정을 형성하는 단계, 상기 나노결정 위에 층간 절연막을 형성하는 단계, 및 상기 층간 절연막 위에 폴리실리콘막을 증착한 후 게이트와 배선을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 나노결정을 이용한 비휘발성 기억소자 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 비정질실리콘 연속막 위에 산화막을 형성한 후 산화 또는 열처리하여 다결정 실리콘층을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노결정을 이용한 비휘발성 기억소자 형성방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 다결정 실리콘층을 세코식각하여 나노결정을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노결정을 이용한 비휘발성 기억소자 형성방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 다결정 실리콘층을 라이트식각하여 나노결정을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노결정을 이용한 비휘발성 기억소자 형성방법

5 5

실리콘기판 위에 터널링 절연막을 형성한 후 비정질실리콘 연속막을 형성하는 단계, 상기 비정질실리콘 연속막을 다결정화하여 다결정 실리콘층을 형성하는 단계, 상기 다결정 실리콘층을 산화시켜 산화막을 형성하면서 나노결정을 형성하는 단계, 상기 산화막을 제거하고 나노결정 위에 층간 절연막을 형성하는 단계, 및 상기 층간 절연막 위에 폴리실리콘막을 증착한 후 게이트와 배선을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 나노결정을 이용한 비휘발성 기억소자 형성방법

6 6

제5항에 있어서, 상기 비정질실리콘 연속막 위에 산화막을 형성한 후 산화 또는 열처리하여 다결정 실리콘층을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노결정을 이용한 비휘발성 기억소자 형성방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP04322984 JP 일본 FAMILY
2 JP12049310 JP 일본 FAMILY
3 US06165842 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2000049310 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP4322984 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US6165842 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.