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웨이퍼 폴리싱용 실리카 슬러리의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015111629
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 웨이퍼 폴리싱용 실리카 슬러리의 제조 방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 기상법이나 침전법 등 기존의 상용화된 방법으로 제조된 실리카 입자가 갖는 모양의 불규칙성과 크기의 제한성 등을 개선시킨 상용화된 실리카 입자를 성장핵으로 한 웨이퍼 폴리싱용 실리카 슬러리의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 비교적 가격이 저렴하고 널리 상용화되어 있는 열분해 실리카와 침전법으로 제조된 콜로이드 실리카를 성장핵으로 사용하여 TEOS를 물과 가수분해·축중합 반응을 일으켜 성장시킴으로써 스토버(Stober) 방법의 단점을 극복하고, 다양한 크기의 성장 핵을 사용하고, 반응물의 양을 조절함으로써 원하는 크기의 실리카 입자를 제조하여, 다양한 형태의 다양한 크기와 표면 거칠기를 갖는 실리콘 웨이퍼의 표면을 연마할 수 있고, 차후의 실제 반도체 공정의 화학적·기계적 연마공정에도 사용 가능한 실리카 슬러리를 제조하는 방법을 제공함에 있다. 본 발명은 이러한 목적을 달성하기 위하여 비교적 가격이 저렴하고 널리 상용화되어 있는 열분해 실리카와 콜로이드를 성장핵으로 사용하기 위한 전처리 과정을 거친 후, 입자성장 반응을 통해서 원하는 크기의 실리카 입자를 제조한 다음, 제조된 실리카 입자 분산매를 알코올에서 물로 치환하고 첨가제를 사용한 후 간단한 후처리과정을 거쳐 웨이퍼 폴리싱에 사용될 수 있는 실리카 슬러리를 제조하는 방법을 채택하였다.
Int. CL H01L 21/304 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019990036126 (1999.08.28)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0329123-0000 (2002.03.06)
공개번호/일자 10-2001-0019612 (2001.03.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020321) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.01.28)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 소재현 대한민국 대전광역시유성구
2 오민호 대한민국 인천광역시부평구
3 배선혁 대한민국 대전광역시유성구
4 양승만 대한민국 대전광역시유성구
5 김도현 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로*길 **, *층 (서초동, 삼호빌딩)(한솔국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.08.28 수리 (Accepted) 1-1-1999-0103421-01
2 출원심사청구서
Request for Examination		 2000.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2000-0016313-97
3 등록결정서
Decision to grant		 2001.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0355198-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1

실리카 입자를 성장핵으로 하여 염기 분위기에서 테트라에틸로쏘실리케이트 (tetraethylorthosilicate)를 물과 가수분해 및 축중합 반응을 시키는 입자성장 단계와 성장한 실리카 입자 분산매를 감압증류에 의해 알코올 용매상에서 수용액상으로 치환한 후 수열처리하는 단계로 이루어진 웨이퍼 폴리싱용 실리카 슬러리의 제조 방법

2 2

제 1항에 있어서, 실리카 입자는 열분해 실리카 또는 콜로이드 실리카임을 특징으로 하는 웨이퍼 폴리싱용 실리카 슬러리의 제조 방법

3 3

제 1항에 있어서, 감압증류는 물과 암모니아 수용액의 혼합액으로 입자의 표면 전하를 유지하거나 높임을 특징으로 하는 웨이퍼 폴리싱용 실리카 슬러리의 제조 방법

4 4

제 1항에 있어서, 수열처리는 오토클레이브(autoclave)에서 1∼2 시간 동안 수행함을 특징으로 하는 웨이퍼 폴리싱용 실리카 슬러리의 제조 방법

5 5

제 1항에 있어서, 알코올은 메틸알코올, 에틸알코올, 프로판올 또는 부탄올을 사용함을 특징으로 하는 웨이퍼 폴리싱용 실리카 슬러리의 제조 방법

6 6

제 1항에 있어서, 입자성장 단계는 침강법, 볼밀과 페인트 쉐이커 및 소니케이션 처리를 거치는 일련의 공정으로 성장핵 입자를 전처리 함을 특징으로 하는 웨이퍼 폴리싱용 실리카 슬러리의 제조 방법

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1 US06432151 US 미국 FAMILY

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1 US6432151 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.