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미세결정 실리콘 박막 형성방법 및 이를 이용한 박막형실리콘 태양전지 제조방법

  • 기술번호 : KST2015111846
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 또는 금속산화물로 이루어진 씨앗층을 사용하는 미세결정 실리콘 박막 형성방법 및 이를 이용하는 박막형 실리콘 태양전지 제조방법에 관하여 개시하다. 본 발명은, 기판 상에 미세결정 실리콘 박막을 형성하되, 상기 미세결정 실리콘 박막이 증착 초기부터 결정화되도록 상기 미세결정 실리콘 박막을 증착하기 전에 상기 기판 상에 금속 또는 금속산화물로 이루어진 씨앗층을 먼저 형성하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 금속 또는 금속산화물은 알루미늄, 니켈, 크롬, 백금, 은, 티타늄, 및 이리듐으로 이루어진 금속군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명에 의하면, 종래와 같이 반복적인 공정이나 열처리 공정 등과 같은 별도의 결정화 공정을 수반하지 않고 씨앗층의 형성이란 단지 간단한 방법으로 실리콘 박막의 성장 초기부터 실리콘 박막이 결정화되도록 함으로써 매우 얇은 두께의 미세결정 실리콘 박막을 얻을 수 있다. 따라서, 이러한 방법으로 박막형 실리콘 태양전지를 제조하면, 단순하고도 저렴한 제작공정으로 성능이 뛰어난 박막형 실리콘 태양전지를 제조할 수 있게 된다. 씨앗층, 결정화, 박막형 실리콘 태양전지, 핵생성
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020000058404 (2000.10.05)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0387982-0000 (2003.06.04)
공개번호/일자 10-2002-0027070 (2002.04.13) 문서열기
공고번호/일자 (20030618) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.10.05)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임굉수 대한민국 대전광역시유성구
2 이창현 대한민국 부산광역시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2000-0208092-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.03.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2002-0003694-95
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0333554-01
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.11.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0371087-13
6 의견서
Written Opinion		 2002.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2002-0371083-31
7 등록결정서
Decision to grant		 2003.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0190541-87
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판 상에 미세결정 실리콘 박막을 형성하는 미세결정 실리콘 박막 형성방법에 있어서,

상기 미세결정 실리콘 박막이 증착 초기부터 결정화되도록 상기 미세결정 실리콘 박막을 증착하기 전에 상기 기판 상에 금속 또는 금속산화물로 이루어진 씨앗층을 먼저 형성하는 것을 특징으로 하는 미세결정 실리콘 박막 형성방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 씨앗층을 형성하는 단계 이전에 상기 기판 상에 투명전도막 또는 비정질 실리콘막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세결정 실리콘 박막 형성방법

3 3

제 2 항에 있어서, 상기 투명전도막이 In2O3, SnO2, ZnO, 및 ITO 로 이루어진 군으로 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세결정 실리콘 박막 형성방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 금속 또는 금속산화물이 알루미늄, 니켈, 크롬, 백금, 은, 티타늄, 및 이리듐으로 이루어진 금속군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세결정 실리콘 박막 형성방법

5 5

제 4 항에 있어서, 상기 금속산화물이 산소 분위기에서 상기 기판에 금속을 증착하거나, 상기 기판에 금속을 증착한 후에 그 금속을 자연산화시키거나, 상기 기판에 금속을 증착한 후에 산소 분위기에서 열처리하거나, 또는 상기 기판에 금속을 증착하고 산소 분위기에서 그 금속에 자외선을 조사하여 산화시키는 방법에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하는 미세결정 실리콘 박막 형성방법

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 미세결정 실리콘 박막이 탄화실리콘 박막인 것을 특징으로 하는 미세결정 실리콘 박막 형성방법

7 7

제 1 항에 있어서, 상기 미세결정 실리콘 박막이 광화학기상증착법, 열선화학기상증착법, 또는 플라즈마 화학기상증착법에 의해서 증착되는 것을 특징으로 하는 미세결정 실리콘 박막 형성방법

8 8

유리기판 상에 투명전도막을 형성하는 단계와,

상기 투명도전막 상에 금속 또는 금속산화물로 이루어진 씨앗층을 형성하는 단계와,

상기 씨앗층 상에 제 1 도전형의 미세결정 실리콘 박막을 형성하는 단계와,

상기 제 1 도전형 미세결정 실리콘 박막 상에 진성형 비정질 실리콘 박막과 상기 제 1 도전형과 다른 제 2 도전형의 미세결정 실리콘 박막을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 실리콘 태양전지 제조방법

9 9

제 8 항에 있어서, 상기 제 1 도전형이 n형이고, 상기 투명전도막을 형성하는 단계 이전에 상기 기판 상에 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 또한 상기 제 2 도전형의 미세결정 실리콘 박막 상에 투명전도막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 실리콘 태양전지 제조방법

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패밀리정보가 없습니다
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