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후면 전극형 태양전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014046550
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따르면, 기판 후면에 형성되며, 양면 중 상기 기판과 접촉되지 않는 일면에 나노 구조의 패턴을 갖는 광전변환층; 상기 나노 구조 표면 상의 제1 영역에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 중 적어도 일부를 덮도록 형성되는 제1 절연층; 및 적어도 일부가 상기 나노 구조 표면 상의 제2 영역에 형성되되 상기 제1 전극과는 접하지 않도록 형성되는 제2 전극을 포함하는 후면 전극형 태양전지가 제공된다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/072 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110120691 (2011.11.18)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1218576-0000 (2012.12.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.18)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유승협 대한민국 대전광역시 유성구
2 김호연 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0912628-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.11.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.12.26 수리 (Accepted) 9-1-2012-0095895-90
4 등록결정서
Decision to grant
2012.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0793494-61
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 후면에 형성되며, 양면 중 상기 기판과 접촉되지 않는 일면에 나노 구조의 패턴을 갖는 광전변환층; 상기 나노 구조 표면 상의 제1 영역에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 중 적어도 일부를 덮도록 형성되는 제1 절연층; 및적어도 일부가 상기 나노 구조 표면 상의 제2 영역에 형성되되 상기 제1 전극과는 접하지 않도록 형성되는 제2 전극을 포함하는 후면 전극형 태양전지
2 2
제1항에 있어서,상기 나노 구조의 패턴은 복수의 볼록부를 가지며, 상기 제1 전극의 적어도 일부는 상기 볼록부의 제1 경사면에 형성되고, 상기 제2 전극의 적어도 일부는 상기 볼록부의 제2 경사면에 형성되는 후면 전극형 태양전지
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 극성을 결정하는 버퍼층을 포함하는 후면 전극형 태양전지
4 4
제1항에 있어서,상기 광전변환층은 벌크 이종접합(bulk heterojunction) 구조의 광전변환층인 태양전지
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 전극, 제1 절연층, 제2 전극이 형성된 상기 나노 구조 패턴의 전면에 형성되는 제2 절연층을 더 포함하는 후면 전극형 태양전지
6 6
제5항에 있어서,상기 제2 절연층 상에 형성되는 반사층을 더 포함하는 후면 전극형 태양전지
7 7
기판 상에 나노 구조의 패턴을 갖는 광전변환층을 형성하는 단계;상기 나노 구조 표면 상의 제1 영역 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 중 적어도 일부를 덮도록 제1 절연층을 형성하는 단계; 및제2 전극을 형성하되 적어도 일부가 상기 나노 구조 표면 상의 제2 영역에 형성되되, 상기 제1 전극과는 접하지 않도록 형성하는 단계를 포함하는 후면 전극형 태양전지의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 나노 구조의 패턴은 복수의 볼록부를 가지며, 상기 제1 전극 형성 단계, 상기 제1 절연층 형성 단계 및 상기 제2 전극 형성 단계는,상기 제1 전극, 상기 제1 절연층 및 상기 제2 전극의 증착각이 각각 제1 각도, 제2 각도 및 제3 각도를 이루도록 하는 경사 증착 방법에 의해 수행되고, 상기 증착각은 증착 방향과 상기 기판을 포함하는 평면이 이루는 각 중 예각인 후면 전극형 태양전지의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 제1 각도는 상기 제2 각도와 상이하고, 상기 제3 각도는 상기 제2 각도와 상이한 후면 전극형 태양전지의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 제2 각도는 상기 제1 각도와 직각 사이의 각도인 후면 전극형 태양전지의 제조 방법
11 11
제8항에 있어서, 상기 제1 전극의 증착 방향은 상기 볼록부의 제1 경사면을 향하고, 상기 제2 전극의 증착 방향은 상기 볼록부의 제2 경사면을 향하는 후면 전극형 태양전지의 제조 방법
12 12
제7항에 있어서,상기 광전변환층을 형성하는 단계는, 리소그래피 공정 또는 스트레칭 후 릴렉싱 공정에 의해 상기 나노 구조의 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 후면 전극형 태양전지의 제조 방법
13 13
제7항에 있어서,상기 제1 전극, 제1 절연층, 제2 전극이 형성된 상기 나노 구조 패턴의 전면에 제2 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 후면 전극형 태양전지의 제조 방법
14 14
제13항에 있어서,상기 제2 절연층 상에 반사층을 더 형성하는 단계를 더 포함하는 후면 전극형 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 WO2013073769 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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