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태양전지용 금속 그리드 라인 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014047236
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인쇄법 혹은 포토리소그라피 공정을 통해 금속 그리드 라인을 제조할 경우 발생하는 금속 그리드 라인의 가장자리에서의 패턴 들뜸 현상을 방지하고 표면의 접촉면의 품질을 향상시키는 고정밀 태양전지용 금속그리드 라인 형성 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01L 31/022433(2013.01) H01L 31/022433(2013.01)
출원번호/일자 1020110019499 (2011.03.04)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1115399-0000 (2012.02.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.04)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안성일 대한민국 대전광역시 유성구
2 최경철 대한민국 대전광역시 유성구
3 이성의 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0158725-60
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0005536-82
4 등록결정서
Decision to grant
2012.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0058923-62
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
p형 반도체와 n형 반도체를 포함하는 구조물의 하부에 후면전극이 형성된 기판 상에 인쇄법을 이용하여 감광성 전극 페이스트로 예정 금속 그리드 라인을 형성하는 단계; 및상기 예정 금속 그리드 라인을 감광 물질로 이용하여 포토리소그래피 공정으로 상기 예정 금속 그리드 라인에 대응되는 목표 금속 그리드 라인을 형성하되, 상기 예정 금속 그리드 라인 보다 폭이 작은 상기 목표 금속 그리드 라인을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
2 2
p형 반도체와 n형 반도체를 포함하는 구조물의 하부에 후면전극이 형성된 기판 상에 인쇄법을 이용하여 예정 금속 그리드 라인을 형성하는 단계; 및포토레지스트를 이용한 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 상기 예정 금속 그리드 라인에 대응되는 목표 금속 그리드 라인을 형성하되, 상기 예정 금속 그리드 라인 보다 폭이 작은 상기 목표 금속 그리드 라인을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 예정 금속 그리드 라인의 폭은 상기 목표 금속 그리드 라인의 폭 보다 100㎛ 내지 200㎛ 더 큰 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 인쇄법은 스크린 인쇄법 또는 잉크젯 인쇄법인 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
5 5
p형 반도체와 n형 반도체를 포함하는 구조물의 하부에 후면전극을 포함하고, 상기 구조물의 상부에 형성된 금속 그리드 라인을 포함하며,상기 금속 그리드 라인은, 상기 구조물의 상부에 인쇄법을 이용하여 감광성 전극 페이스트로 예정 금속 그리드 라인을 형성한 후, 상기 예정 금속 그리드 라인을 감광 물질로 이용하여 포토리소그래피 공정으로 상기 예정 금속 그리드 라인 보다 폭이 작게 형성된 금속 전극인 것을 특징으로 하는 태양 전지
6 6
p형 반도체와 n형 반도체를 포함하는 구조물의 하부에 후면전극을 포함하고, 상기 구조물의 상부에 형성된 금속 그리드 라인을 포함하며,상기 금속 그리드 라인은, 상기 구조물의 상부에 인쇄법을 이용하여 예정 금속 그리드 라인을 형성한 후, 포토레지스트를 이용한 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 상기 예정 금속 그리드 라인 보다 폭이 작게 형성된 금속 전극인 것을 특징으로 하는 태양 전지
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패밀리정보가 없습니다
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