| 1 |
1
다결정 규소박막의 제조에 있어서, 비정질 규소박막이 증착된 기판을 알루미늄 할로겐과 이종 금속 또는 이 금속이 포함된 금속 화합물의 혼합 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 규소박막의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 비정질 규소박막은 유리판, 석영판, 전기가 통하지 않는 비정질 산화막이 피복된 유리판, 전기가 통하지 않는 비정질 산화막이 피복된 석영판 또는 규소 웨이퍼 중에서 선택된 어느 하나의 기판에 화학기상증착법(CVD), 스퍼터링법, 이베이퍼레이션법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 수십 Å에서 수 ㎛의 두께로 형성함을 특징으로 하는 다결정 규소박막의 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 알루미늄 할로겐 화합물은 AlCl3, AlI3, AlBr3, AlF3 중에서 선택된 어느 하나 임을 특징으로 하는 다결정 규소박막의 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 금속은 Au, Ag, Cu, Ni, Pd 중에서 선택된 어느 하나 이거나 또는 이들 금속이 함유된 금속화합물 임을 특징으로 하는 다결정 규소박막의 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 알루미늄 할로겐 화합물과 이종 금속은 99:1∼1:99의 비로 혼합됨을 특징으로 하는 다결정규소박막의 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 열처리는 400℃∼600℃의 온도에서 실시됨을 특징으로 하는 다결정규소박막의 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 열처리는 발열체에 의한 가열방식 또는 전자기파에 의한 가열방식에 의해 열처리함을 특징으로 하는 다결정 규소박막의 제조방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 열처리 전에 알루미늄 할로겐 화합물과 이종 금속을 150℃∼400℃의 온도에서 혼합하는 것을 특징으로 하는 다결정 규소박막의 제조방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 비정질 규소박막의 기판에 열처리를 위한 알루미늄 할로겐 화합물과 이종 금속 또는 이 금속이 포함된 금속화합물의 혼합분위기를 제공하기 전에 불활성 분위기 또는 진공분위기로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 규소박막의 제조방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서, 열처리는 비정질 규소박막의 핵생성을 유도하기 위해 400∼600℃의 온도에서 0
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
11
삭제
|
