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섬유 기판을 이용하는 착용 가능한 메모리 및 그 제작 방법(WEARABLE MEMORY WITH TEXTILE SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2017007249
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 섬유 기판을 이용하는 착용 가능한 메모리 및 그 제작 방법이 제시된다.본 발명에서 제안하는 섬유 기판을 이용하는 착용 가능한 메모리는 섬유 물질로 형성되는 기판, 상기 기판의 상부에 형성되는 하부 전극, 상기 하부 전극의 상부에 형성되는 상부 전극, 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 사이에 배치되어, 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 사이에 인가되는 전계에 따라 전기적 통로가 생성 또는 소멸되는 절연막을 포함하고, 섬유 물질로 형성된 상기 기판에 금속을 도금하여 격자 형태로 배열함으로써 상기 격자가 메모리 소자로서 동작한다.
Int. CL H01L 27/30 (2015.11.27) H01L 21/28 (2015.11.27) H01L 21/288 (2015.11.27) H01L 21/205 (2015.11.27) H01L 21/31 (2015.11.27) H01L 27/115 (2015.11.27)
CPC H01L 27/304(2013.01) H01L 27/304(2013.01) H01L 27/304(2013.01) H01L 27/304(2013.01) H01L 27/304(2013.01)
출원번호/일자 1020150144144 (2015.10.15)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0044440 (2017.04.25) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.10.15)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전광역시 유성구
2 배학열 대한민국 대전광역시 유성구
3 김대원 대한민국 대전광역시 유성구
4 김문석 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0998018-16
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-1048972-01
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0161281-69
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0884974-25
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-0126793-88
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-0227640-03
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0329753-12
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-0351436-15
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.04.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0351437-61
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0665275-38
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2017.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-1043961-17
13 법정기간연장승인서
 2017.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0151986-62
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.10.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-1068989-14
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-1068988-68
16 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0802524-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
메모리에 있어서,섬유 물질로 형성되는 기판; 상기 기판의 상부 또는 하부 중 어느 하나의 일면에 금속이 도금되어 형성되는 전극; 및 상기 기판이 두 개 구비되어, 상기 두 개의 기판들 각각의 일면에 형성된 전극이 서로 마주보며 접촉되도록 상기 두 개의 기판들이 격자 형태로 배치될 때, 상기 전극들 사이에 배치되어, 상기 전극들 사이에 인가되는 전계에 따라 전기적 통로가 생성 또는 소멸되는 절연막을 포함하고, 상기 두 개의 기판들은, 각각의 일면에 형성된 전극이 서로 마주보며 상기 절연막과 접촉되는 상태에서 격자 형태로 배열됨으로써 메모리 소자로서 동작하며, 상기 절연막은, 상기 전극의 일면에 자연적으로 형성된 산화막을 이용하고, 상기 두 개의 기판들이 물리적으로 상기 절연막과 접촉함에 따라 상기 두 개의 기판들 중 어느 하나의 기판의 전극과 나머지 하나의 기판의 전극 사이에서 상기 절연막으로 인가되는 전계에 의해 상태가 변화됨으로써, 메모리 기능을 구현하는 메모리
2 2
제1항에 있어서,상기 기판을 형성하는 섬유 물질은 섬유 재질을 갖는 소재로서, 면사, 견사, 폴리에스테르사, 또는 나일론사 중 적어도 어느 하나를 포함하는메모리
3 3
제2항에 있어서,상기 섬유 물질은 탄소, 수소, 산소를 포함하는 물질로 구성되고, 셀룰로오스계 섬유, 폴리에스테르 섬유, 나일론, 견, 양모 중 적어도 어느 하나를 포함하는메모리
4 4
제1항에 있어서,상기 전극은 미리 설정된 전도도를 갖도록 도금된 액상 금속 물질로 형성되는메모리
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서,상기 메모리는 퓨즈/안티-퓨즈(Fuse/Anti-Fuse) 방식의 필라멘트 메커니즘 또는 이온 확산(ionic diffusion), 전자 확산(electronic diffusion) 방식의 메커니즘에 따른 동작을 수행하는 RRAM(resistive switching random access memory)인메모리
9 9
제8항에 있어서,상기 메모리는, HRS(High Resistance State)에서 상기 절연막의 통전 방식으로 쇼트키 배출(Schottky emission) 방식, 음극으로부터 전도대역(conduction band)으로의 파울러-노드하임(Fowler-Nordheim) 터널링 방식, 직접 터널링(direct tunneling) 방식, 음극으로부터 트랩(trap)을 통한 터널링 방식, 트랩으로부터의 전도대역으로의 배출 방식, 풀-프랑켈(Poole-Frenkel) 배출 방식, 트랩으로부터 전도대역으로의 파울러-노드하임(Fowler-Nordheim) 터널링 방식, 트랩에서 트랩으로의 터널링 방식, 트랩에서부터 양극으로의 터널링 방식 또는 공간전하제한전류(space charge limited current) 특성에 의한 전류-전압 방식 중 적어도 어느 하나를 이용하는메모리
10 10
제8항에 있어서,상기 메모리는 LRS((Low Resistance State)에서 상기 절연막의 통전 방식으로 선형적인 전류-전압 관계 방식을 이용하는메모리
11 11
제 1항에 있어서,상기 메모리는 전압이 시간에 따라 변하는 교류(AC) 전압을 이용하여 히스테리시스(hysteresis)현상을 유발하는 멤리스터(memristor)인메모리
12 12
삭제
13 13
메모리 제작 방법에 있어서,섬유 물질로 기판을 형성하는 단계; 상기 기판의 상부 또는 하부 중 어느 하나의 일면에 금속을 도금하여 전극을 형성하는 단계; 상기 기판을 두 개 구비하여, 상기 두 개의 기판들 각각의 일면에 형성된 전극이 서로 마주보며 접촉되도록 상기 두 개의 기판들을 격자 형태로 배치하는 단계; 및 상기 두 개의 기판들 각각의 일면에 형성된 전극이 서로 마주보며 접촉되도록 상기 두 개의 기판들이 격자 형태로 배치될 때, 상기 전극들 사이에 인가되는 전계에 따라 전기적 통로가 생성 또는 소멸되는 절연막을 상기 전극들 사이에 배치하는 단계를 포함하고, 상기 두 개의 기판들은,각각의 일면에 형성된 전극이 서로 마주보며 상기 절연막과 접촉되는 상태에서 격자 형태로 배열됨으로써 메모리 소자로서 동작하며 상기 절연막은, 상기 전극의 일면에 자연적으로 형성된 산화막을 이용하고, 상기 두 개의 기판들이 물리적으로 상기 절연막과 접촉함에 따라, 상기 두 개의 기판들 중 어느 하나의 기판의 전극과 나머지 하나의 기판의 전극 사이에서 상기 절연막으로 인가되는 전계에 의해 상태가 변화됨으로써, 메모리 기능을 구현하는 메모리 제작 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 전극은 미리 설정된 전도도를 갖도록 도금된 액상 금속 물질로 형성하는메모리 제작 방법
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
제13항에 있어서, 제작된 메모리 소자를 외부환경에서 사용이 가능하도록 투명 고분자 물질로 코팅하는 단계를 더 포함하는 메모리 제작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.