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집적형 박막 태양전지용 투명전극의 가공 방법과 그 구조,그 투명전극이 형성된 투명기판

  • 기술번호 : KST2015112350
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 집적형 박막 태양전지의 단위셀간 절연 간격을 최소화하여 유효면적을 넓히고 제조단가를 절감할 수 있는 집적형 박막 태양전지용 투명전극의 가공 방법과 그 구조, 및 그 투명전극이 형성된 투명기판에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명에 따른 투명전극의 가공 방법은, 집적형 박막 태양전지 단위셀의 투명전극을 가공하는 방법에 있어서, (a) 기판 상에 박막으로 투명전극층을 형성하는 단계; (b) 투명전극층 위에 인쇄법을 이용하여 일정 거리 이격되게 포토레지스터(photoresister; PR) 또는 폴리머 띠를 도포하여 패턴을 이루는 단계; (c) 도포된 포토레지스터 또는 폴리머 패턴을 마스크로 사용하여 상기 투명전극을 에칭하는 단계; 및 (d) 포토레지스터 또는 폴리머를 제거하는 단계;를 포함한다. 따라서, 상술한 바에 의하면 집적형 박막 태양전지 단위셀간 간격을 최소화함으로써 기존보다 태양전지의 유효면적을 넓히고, 이에 따라 태양전지의 유효면적 손실을 최소화할 뿐만 아니라 고효율을 실현하는 효과가 있다. 나아가, 투명전극의 가공시 레이저나 정밀위치제어시스템 등의 고가 장비를 사용하지 않고 인쇄법 또는 사진식각법을 이용하여 에칭하기 때문에 제조 단가를 절감할 수 있으며, 고밀도 패턴이 가능한 효과가 있다. 집적형 박막 태양전지, 투명전극, 투명기판, 인쇄법, 폴리머, 마스크
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020050021771 (2005.03.16)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2006-0100108 (2006.09.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.03.16)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임굉수 대한민국 대전광역시 유성구
2 권성원 대한민국 대구광역시 북구
3 곽중환 대한민국 서울특별시 도봉구
4 박상일 대한민국 대전광역시 유성구
5 윤준보 대한민국 대전광역시 유성구
6 문건우 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2005-0137793-10
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2005.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-0141530-70
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.03.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0147514-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0235224-11
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0449193-55
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0526244-25
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0603188-06
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0690780-33
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0762025-13
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0859226-24
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0963261-85
12 의견서
Written Opinion
2006.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0963172-19
13 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
2007.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0144948-34
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0233590-05
15 의견서
Written Opinion
2007.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0464386-02
16 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0464417-29
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2007.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0477419-61
18 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2007.10.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2007-0043472-18
19 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0662224-50
20 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2008.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0237114-13
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
집적형 박막 태양전지 단위셀의 투명전극을 가공하는 방법에 있어서, (a) 기판 상에 박막으로 투명전극층을 형성하는 단계;(b) 상기 투명전극층 위에 인쇄법을 이용하여 일정 거리 이격되게 포토레지스터(photoresist; PR) 또는 폴리머 띠를 도포하여 패턴을 이루는 단계; (c) 상기 도포된 포토레지스터 또는 폴리머 패턴을 마스크로 사용하여 상기 투명전극을 에칭하는 단계; 및(d) 상기 포토레지스터 또는 폴리머 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는, 집적형 박막 태양전지용 투명전극의 가공 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 (a)단계는 산화아연(Zinc Oxide (ZnO)), 산화주석(Tin Oxide (SnO2)) 또는 산화인듐주석(Indium Tin Oxide (ITO)) 중 어느 하나 이상의 투명전도막층을 이용한, 집적형 박막 태양전지용 투명전극의 가공 방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (b)단계는 패턴을 이룬 폴리머간 이격 거리를 수십㎛ 내지 수㎛ 정도가 되도록 도포하는, 집적형 박막 태양전지용 투명전극의 가공 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 (c)단계는 상기 투명전극층을 상기 기판으로부터 수직 방향으로 에칭하는, 집적형 박막 태양전지용 투명전극의 가공 방법
5 5
제 5 항에 있어서, 상기 (c)단계는 상기 투명전극층을 기판으로부터 메사(mesa) 에칭하는, 집적형 박막 태양전지용 투명전극의 가공 방법
6 6
제 3 항에 있어서, 상기 (c)단계는 상기 투명전극층을 기판으로부터 등방성 에칭하는, 집적형 박막 태양전지용 투명전극의 가공 방법
7 7
제1항의 집적형 박막 태양전지용 투명전극의 가공 방법에 의해 제작된, 집적형 박막 태양전지용 투명전극
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 투명전극의 에칭 부분은 수직 에칭에 의해 수직 단면을 갖는, 집적형 박막 태양전지용 투명전극
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 투명전극의 에칭 부분은 메사(mesa) 에칭에 의해 경사 단면을 갖는, 집적형 박막 태양전지용 투명전극
10 10
제7항에 있어서, 상기 투명전극의 에칭 부분은 등방성 에칭에 의해 만곡된 경사 단면을 갖는, 집적형 박막 태양전지용 투명전극
11 11
제1항의 집적형 박막 태양전지용 투명전극의 가공 방법에 의해 제작된 투명전극이 상호간 미세 간격으로 절연되어 복수의 띠 모양으로 형성된 투명기판
12 12
집적형 박막 태양전지 단위셀의 투명전극을 가공하는 방법에 있어서, (a) 기판 상에 박막으로 투명 전극층을 형성하는 단계;(b) 상기 투명전극층 위에 포토레지스터(photoresist; PR)를 코팅한 후 사진식각법을 이용하여 일정 거리 이격되게 패턴을 이루는 단계;(c) 상기 패턴을 이룬 포토레지스터를 마스크로 사용하여 상기 투명 전극을 에칭하는 단계; 및 (d) 상기 포토레지스터를 제거하는 단계;를 포함하는, 집적형 박막 태양전지용 투명전극의 가공 방법
13 13
집적형 박막 태양전지 단위셀의 투명전극을 가공하는 방법에 있어서, (a) 고정세한 판동(版胴)을 형성하고, 졸-겔(sol-gel)법을 이용하여 겔 상태의 투명전도 물질을 도포하는 단계; 및 (b) 상기 판동과 압동 사이에 기판을 삽입하여 인쇄법으로 상기 투명전도막을 상기 기판 위에 인쇄하는 단계; 를 포함하는, 집적형 박막 태양전지용 투명전극의 가공 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101142690 CN 중국 FAMILY
2 CN101562219 CN 중국 FAMILY
3 JP04981020 JP 일본 FAMILY
4 JP20533737 JP 일본 FAMILY
5 KR100756286 KR 대한민국 FAMILY
6 US07927497 US 미국 FAMILY
7 US20080216890 US 미국 FAMILY
8 WO2006107154 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN100570903 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101142690 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 CN101562219 CN 중국 DOCDBFAMILY
4 JP2008533737 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP4981020 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2008216890 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US7927497 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.