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표면을 기준으로 상부는 단면이 원 또는 타원형인 다수개의 기둥이 형성되고, 하부는 상기 다수개의 기둥과 인접하여 홈이 형성되는 기판;상기 기판의 하부에 형성된 홈에 증착된 플로팅 디퓨전;상기 기판의 상부에 형성된 상기 다수개의 기둥 위에 형성되는 수광소자; 및상기 플로팅 디퓨전 상단에 상기 기판과 수직방향으로 형성되고 상기 다수개의 기둥과 수광소자를 둘러싸도록 형성되는 트랜스퍼 게이트; 를 포함하는, 다중기둥 구조의 트랜지스터를 갖는 씨모스 이미지 센서
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제1항에 있어서,상기 수광소자와 인접 수광소자 간의 아이솔레이션을 위해 상기 기판의 최외면에 소자 분리 산화막(STI: shallow Trench Isolation)를 더 포함하는, 다중기둥 구조의 트랜지스터를 갖는 씨모스 이미지센서
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제1항에 있어서,상기 기준을 단면으로 하여 상기 트랜스퍼 게이트의 단면적 보다 상기 플로팅 디퓨전의 단면적이 더 큰 , 다중기둥 구조의 트랜지스터를 갖는 씨모스 이미지센서
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제1항에 있어서,상기 기판의 기둥보다 상기 트랜스퍼 게이트의 높이가 큰, 다중기둥 구조의 트랜지스터를 갖는 씨모스 이미지센서
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제1항에 있어서,상기 수광소자의 기둥이 같은 간격인, 다중기둥 구조의 트랜지스터를 갖는 씨모스 이미지센서
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제6항에 있어서,상기 수광소자의 각 기둥 단면 지름은 각 기둥 간의 간격보다 큰, 다중기둥 구조의 트랜지스터를 갖는 씨모스 이미지센서
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