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탄소나노튜브가 수직으로 정렬된 전계방출 에미터 전극의제조방법

  • 기술번호 : KST2015112558
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브가 수직으로 정렬된 전계방출 에미터 전극의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 탄소나노튜브(carbon nanotube; CNT)를 용매에 희석시킨 다음, 전자기장 발생 장치 상단에 고정된 기질 상에 분산시켜 수직으로 정렬된 탄소나노튜브를 고정시키는 단계를 포함하는 탄소나노튜브가 수직으로 정렬된 전계방출 에미터 전극의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 간단한 공정으로 고밀도, 대용량의 수직정렬된 탄소나노튜브를 얻을 수 있어, 전계방출 디스플레이(field emission display; FED), 백라이트, 센서, 전극 등의 양극 소자로 응용할 수 있다. 탄소나노튜브, 전자기성 입자, 자기장, 전기장, 수직 정렬, 전계방출 디스플레이
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01J 9/02 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/304 (2011.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020060047655 (2006.05.26)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0785377-0000 (2007.12.06)
공개번호/일자 10-2007-0113841 (2007.11.29) 문서열기
공고번호/일자 (20071218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.26)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정희태 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤상천 대한민국 강원 동
3 고영관 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이처영 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0373320-53
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.06.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0402855-37
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0016336-42
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0376520-84
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0596497-78
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0596490-59
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0658692-54
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
다음의 단계를 포함하는 탄소나노튜브가 수직으로 정렬된 전계방출 에미터 전극의 제조방법:(a) 탄소나노튜브 또는 자기성 입자가 결합된 탄소나노튜브를 유기용매에 희석시킨 분산액을, 자기장 발생 장치 상단에 고정된 기질 상에 분산시키는 단계; (b) 상기 기질 상에 분산된 용액에서 유기용매를 증발시켜, 탄소나노튜브를 자기장 안에서 기질 상에 수직으로 정렬시키는 단계; 및(c) 상기 수직으로 정렬된 탄소나노튜브가 자기장이 없는 상태에서도 수직으로 정렬되게 하기 위하여, 상기 기질 상에 금속을 증착시키는 단계
2 2
제1항에 있어서, 상기 자기성 입자는 철(Fe) 함유 입자인 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 철(Fe) 함유 입자는 염화철(FeCl3), 산화제일철(FeO), 산화제이철(Fe2O3) 및 사산화삼철(Fe3O4)로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 자기장 발생 장치의 자기장은 0
5 5
다음의 단계를 포함하는 탄소나노튜브가 수직으로 정렬된 전계방출 에미터 전극의 제조방법:(a) 탄소나노튜브를 유기용매에 희석시킨 분산액을, 전기장 발생 장치 상단에 고정된 기질 상에 분산시키는 단계; (b) 상기 기질 상에 분산된 용액에서 유기용매를 증발시켜, 탄소나노튜브를 전기장 안에서 기질 상에 수직으로 정렬시키는 단계; 및(c) 상기 수직으로 정렬된 탄소나노튜브가 전기장이 없는 상태에서도 수직으로 정렬되게 하기 위하여, 상기 기질 상에 금속을 증착시키는 단계
6 6
제5항에 있어서, 상기 (a) 단계의 전기장 발생 장치는 전계(electric field)인 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 전계(electric field)의 전기장은 1~50V/mm인 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 (a) 단계의 용매에 분산보조제를 추가로 첨가하는 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 분산보조제는 유기용매인 TOAB(tetra otyl ammonium bromide), 계면활성제인 Triton X-100 및 SDS(sodium dodecyl surfate)로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 탄소나노튜브를 유기용매에 희석시킨 분산액을 기질 상에 분산시키는 방법은 스프레이 방법 또는 잉크젯 방법인 것을 특징으로 하는 방법
11 11
제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 (a) 단계 및 (b) 단계를 5~1000회 반복하여, 탄소나노튜브의 밀도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 방법
12 12
제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽, 이중벽 또는 다중벽인 것을 특징으로 하는 방법
13 13
제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 (a) 단계의 유기용매는 물(H2O), 디메틸포름아마이드(DMF), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 디메틸아세트아마이드(DMAc), 사이클로헥사논, 에틸알콜, 클로로벤젠, 클로로포름, 디클로로메탄 및 에틸에테르로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
14 14
제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 (a) 단계의 기질은 인디듐틴옥사이드 글라스(ITO glass), 유리, 수정(quartz), 글래스 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, 용융실리카, 플라스틱 및 투명 고분자로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
15 15
제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 (a) 단계의 탄소나노튜브의 분산액의 농도는 0
16 16
제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 용매를 온도를 50~150℃로 올려 제거하는 것을 특징으로 하는 방법
17 17
제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 기질 상에 분산시키는 탄소나노튜브의 양은 1pg/cm2~10mg/cm2인 것을 특징으로 하는 방법
18 18
제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 (c) 단계의 금속은 10~1000nm로 증착하는 것을 특징으로 하는 방법
19 19
제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 (c) 단계의 금속은 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 니켈(Ni), 백금(Pt), 아연(Zn) 및 구리(Cu)로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
20 20
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되고, 금속이 증착된 기질상에 자기성 입자가 결합된 탄소나노튜브가 수직으로 정렬된 전계방출 에미터 전극
21 21
다음의 단계를 포함하는 탄소나노튜브가 수직으로 정렬된 전계방출 에미터 전극의 제조방법:(a) 탄소나노튜브에 철(Fe) 함유 입자를 결합시키는 단계;(b) 상기 철(Fe) 함유 입자가 결합된 탄소나노튜브를 유기용매에 희석시킨 다음, 자석 상단에 고정된 인디듐틴옥사이드 글라스(ITO glass) 상에 분산시키는 단계; (c) 상기 인디듐틴옥사이드 글라스(ITO glass) 상에 분산된 용액에서 유기용매를 증발시켜, 철(Fe) 함유 입자가 결합된 탄소나노튜브를 자장 안에서 인디듐틴옥사이드 글라스(ITO glass) 상에 수직으로 정렬시키는 단계; 및(d) 상기 수직으로 정렬된 철(Fe) 함유 입자가 결합된 탄소나노튜브가 자장이 없는 상태에서도 수직으로 정렬되게 하기 위하여, 상기 인디듐틴옥사이드 글라스(ITO glass) 상에 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 니켈(Ni), 백금(Pt), 아연(Zn) 및 구리(Cu)로 구성된 군에서 선택되는 금속을 증착시키는 단계
22 22
제21항의 방법으로 제조되고, 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 니켈(Ni), 백금(Pt), 아연(Zn) 및 구리(Cu)로 구성된 군에서 선택되는 금속이 증착된 인디듐틴옥사이드 글라스(ITO glass) 상에 철(Fe) 함유 입자가 결합된 탄소나노튜브가 수직으로 정렬된 전계방출 에미터 전극
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05132993 JP 일본 FAMILY
2 JP19317666 JP 일본 FAMILY
3 JP23040402 JP 일본 FAMILY
4 KR100801131 KR 대한민국 FAMILY
5 US20070275627 US 미국 FAMILY
6 US20110027498 US 미국 FAMILY
7 WO2007139271 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 CN101079356 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101079356 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 CN101079356 CN 중국 DOCDBFAMILY
4 JP2007317666 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2011040402 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP5132993 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 US2007275627 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US2011027498 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.