| 1 |
1
에피택셜 실리콘 박막 제조 방법에 있어서,
기판의 상부에 적층 된 에피택셜 실리콘 박막에 실리콘 소스 가스 및 수소 가스를 투입하여 텍스처를 형성시키는 에피택셜 실리콘 박막 제조방법
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 소스 가스는,
실란(SiH4), 디실란(Si2H6), 모노클로로실란(SiH3Cl), 디클로로실란(Si2Cl2H4), 트리클로로실란(SiCl3H4), 실리콘 테트라클로라이드(SiCl4) 및 실리콘 테트라아이오다이드(SiI4)으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 가스 및 상기의 그룹에서 선택되는 가스에 불활성 기체가 혼합된 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 박막 제조방법
|
| 3 |
3
제 2항에 있어서, 상기 불활성 기체는,
아르곤(Ar), 헬륨(He) 및 네온(Ne) 중 선택되는 적어도 하나의 기체를 포함하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 박막 제조방법
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 텍스처는,
상기 수소가 첨가된 실리콘 소스 가스에 3족 또는 5족 원소가 함유된 불순물 가스를 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 박막 제조방법
|
| 5 |
5
제 4항에 있어서, 상기 불순물 가스는,
알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 붕소(B), 인(P), 비소(As) 및 안티모니(Sb) 중 선택되는 적어도 하나의 가스 및 상기 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 붕소(B), 인(P), 비소(As) 및 안티모니(Sb)가 함유된 고체 및 액체의 증기를 포함하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 박막 제조방법
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서, 상기 텍스처의 크기 및 높이는 100㎚ 이상 10㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 박막 제조방법
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서, 상기 에피택셜 실리콘 박막은,
200℃ 이상 800℃ 이하의 온도, 1 mtorr ~ 100 torr의 압력에서 물리기상 증착법 및 화학기상 증착법을 사용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 박막 제조방법
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서, 상기 기판은 단결정 실리콘 기판, 다결정 실리콘 기판 또는 유리판, 석영판 및 금속판의 상부에 다결정 실리콘 기판이 적층된 이중기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 박막 제조방법
|
| 9 |
9
제 8항에 있어서, 상기 다결정 실리콘 박막이 형성된 유리판, 석영판 및 금속판은, 상기 다결정 실리콘 박막을 상기 유리판, 석영판 및 금속판의 상부에 직접 증착하거나 비정질 실리콘 박막을 증착한 뒤 결정화하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 박막 제조방법
|
| 10 |
10
기판의 상부에 적층되며, 제 1항 내지 제 10항에 의해 성장된 텍스처를 갖는 에피택셜 실리콘 박막을 포함하는 전자소자
|
| 11 |
11
제 10항에 있어서, 상기 기판은 단결정 실리콘 기판, 다결정 실리콘 기판 또는 이중기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자
|
| 12 |
12
제 11항에 있어서, 상기 이중기판은,
비정질 산화막, 질화막 또는 다결정 실리콘 박막이 형성된 유리판, 석영판 및 금속판을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자
|
