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전자소자를 위한 그래핀 층 형성방법

  • 기술번호 : KST2015113615
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 전자소자를 위한 그래핀 층 형성방법에 관한 것으로서, 실리콘카바이드(SiC) 기판 상에 그래핀(Graphene)을 형성시키는 방법에 있어서, 그래핀을 형성시키기 위한 반응로 내에서 육풀루오린황(SF6) 가스로 실리콘카바이드(SiC) 기판을 인슈트 세정(in-situ cleaning)하여 상기 실리콘카바이드(SiC) 기판 상에 형성되는 자연 산화막(native oxide)을 제거함으로써, 상기 실리콘카바이드(SiC) 기판 상에 균일한 그래핀 층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 전자소자를 위한 그래핀 층 형성방법이며, 이와 같은 본 발명에 의하면, 실리콘카바이드(SiC) 표면 위에 불균일하게 형성되는 자연 산화막(native oxide)을 제거하여 그래핀 층을 균일하게 형성시킬 수 있게 된다. 그래핀, 육풀루오린황, 자연 산화막, 실리콘카바이드, 그래피층.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/302 (2006.01)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020090049591 (2009.06.04)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0130863 (2010.12.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.04)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조병진 대한민국 대전광역시 유성구
2 서준호 대한민국 대전광역시 유성구
3 강병진 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0339844-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0005037-76
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0072430-59
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0259361-35
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0259362-81
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0295675-46
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0434054-39
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.06.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0434055-85
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0054314-84
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0212340-23
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘카바이드(SiC) 기판 상에 그래핀(Graphene)을 형성시키는 방법에 있어서, 그래핀을 형성시키기 위한 반응로 내에서 육풀루오린황(SF6) 가스로 실리콘카바이드(SiC) 기판을 인슈트 세정(in-situ cleaning)하여 상기 실리콘카바이드(SiC) 기판 상에 형성되는 자연 산화막(native oxide)을 제거함으로써, 상기 실리콘카바이드(SiC) 기판 상에 균일한 그래핀 층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 전자소자를 위한 그래핀 층 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 반응로를 진공상태로 유지하며 상기 실리콘카바이드(SiC) 기판을 소정의 온도로 예열하는 예열 단계; 상기 반응로 내로 육풀루오린황(SF6) 가스를 주입하여, 상기 육풀루오린황(SF6) 가스로 상기 실리콘카바이드(SiC) 기판 상에 형성되는 자연 산화막(native oxide)을 제거시키는 자연 산화막 단계; 및 상기 실리콘카바이드(SiC) 기판의 표면에 흑연화가 발생되도록 상기 반응로를 가열하여 상기 실리콘카바이드(SiC) 기판 표면에 그래핀을 형성시키는 그래핀 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자를 위한 그래핀 층 형성방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 예열 단계는, 상기 반응로 내의 진공도를 10-6~10-5 Torr로 형성시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자를 위한 그래핀 층 형성방법
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 예열 단계는, 상기 실리콘카바이드(SiC) 기판의 온도가 200~800℃되도록 예열하는 것을 특징으로 하는 전자소자를 위한 그래핀 층 형성방법
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 자연 산화막 단계는, 상기 반응로 내로 상기 육풀루오린황(SF6) 가스를 1~30초 동안 유입시키는 것을 특징으로 하는 전자소자를 위한 그래핀 층 형성방법
6 6
제 2 항에 있어서, 상기 그래핀 형성 단계는, 상기 반응로 내의 진공도를 10-6~10-5 Torr로 유지시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자를 위한 그래핀 층 형성방법
7 7
제 2 항에 있어서, 상기 그래핀 형성 단계는, 상기 반응로를 1400℃ ~ 1600℃로 가열시켜 상기 실리콘카바이드(SiC) 기판 표면에 그래핀을 형성시키는 것을 특징으로 하는 전자소자를 위한 그래핀 층 형성방법
8 8
제 2 항에 있어서, 상기 자연 산화막 단계는, 상기 주입된 육풀루오린황(SF6) 가스와 상기 반응로 내의 잔류 산소(residual oxygen)의 반응으로 상기 실리콘카바이드(SiC) 기판을 인슈트 세정(in-situ cleaning)하여 상기 실리콘카바이드(SiC) 기판 상에 형성되는 자연 산화막(native oxide)을 제거하는 것을 특징으로 하는 전자소자를 위한 그래핀층 형성방법
9 9
제 2 항에 있어서, 상기 예열단계는, 상기 실리콘카바이드(SiC) 기판을 습식세정 후 상기 반응로로 로딩(Loading)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자를 위한 그래핀층 형성방법
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패밀리정보가 없습니다
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