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금 나노 막대를 포함하는 유기 태양 전지 소자

  • 기술번호 : KST2015114399
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금 나노 막대를 포함하는 유기 태양 전지 소자가 제공된다. 유기 태양 전지 소자는, 기판과, 기판 위에 형성되는 투명 전극과, 투명 전극 위에 형성되고, 적어도 하나의 금 나노 막대(gold nanorod)를 포함하는 전도성 고분자 층과, 전도성 고분자 층 위에 형성되는 광 흡수 층과, 광 흡수 층 위에 형성되는 금속 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 51/42 (2006.01)
CPC H01L 51/426(2013.01) H01L 51/426(2013.01)
출원번호/일자 1020120017316 (2012.02.21)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1463154-0000 (2014.11.12)
공개번호/일자 10-2013-0095914 (2013.08.29) 문서열기
공고번호/일자 (20141120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.21)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최경철 대한민국 대전 유성구
2 조석호 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0138435-01
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0024662-51
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0423389-87
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0752580-83
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0856290-53
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0856289-17
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0020270-02
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0229189-44
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-0339182-27
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-0437014-42
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-0535203-41
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0535204-97
15 등록결정서
Decision to grant		 2014.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0703560-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 위에 형성되는 투명 전극;상기 투명 전극 위에 형성되고, 적어도 하나의 금 나노 막대(gold nanorod)를 포함하는 전도성 고분자 층;상기 전도성 고분자 층 위에 형성되는 광 흡수 층; 및상기 광 흡수 층 위에 형성되는 금속 전극을 포함하며,상기 금 나노 막대는 근적외선 대역에서 국소 표면 플라즈몬 공명(LSPR) 현상을 발생하는 것에 의해 상기 광 흡수 층에서 형성되는 엑시톤(exciton)을 핫 엑시톤(hot exciton)으로 변환하여 상기 광 흡수 층의 광 변환 효율을 증가시키는 유기 태양전지 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 금 나노 막대는 무기물이 코팅된 금 나노 막대인 유기 태양전지 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 광 흡수 층은 유기물 및 양자점(Quantum Dot)을 포함하는 유기 태양전지 소자
4 4
기판;상기 기판 위에 형성되는 투명 전극;상기 투명 전극 위에 형성되는 전도성 고분자 층;상기 전도성 고분자 층 위에 형성되고, 적어도 하나의 금 나노 막대(gold nanorod)를 포함하는 광 흡수 층; 및상기 광 흡수 층 위에 형성되는 금속 전극을 포함하며,상기 금 나노 막대는 근적외선 대역에서 국소 표면 플라즈몬 공명(LSPR) 현상을 발생하는 것에 의해 상기 광 흡수 층에서 형성되는 엑시톤(exciton)을 핫 엑시톤(hot exciton)으로 변환하여 상기 광 흡수 층의 광 변환 효율을 증가시키는 유기 태양전지 소자
5 5
제4항에 있어서,상기 금 나노 막대는 무기물이 코팅된 금 나노 막대인 유기 태양전지 소자
6 6
제4항에 있어서,상기 광 흡수 층은 유기물 및 양자점(Quantum Dot)을 포함하는 유기 태양전지 소자
7 7
제1 태양 전지; 및상기 제1 태양 전지와 함께 탠덤(tandem) 구조를 구성하는 제2 태양 전지를 포함하며,상기 제1 태양 전지는,기판과, 상기 기판 위에 형성되는 투명 전극과, 상기 투명 전극 위에 형성되는 제1 전도성 고분자 층과, 상기 제1 전도성 고분자 층 위에 형성되는 제1 광 흡수 층을 포함하고,상기 제2 태양 전지는,상기 제1 광 흡수 층 위에 형성되는 재결합 층과, 상기 재결합 층 위에 형성되는 제2 전도성 고분자 층과, 상기 제2 전도성 고분자 층 위에 형성되는 제2 광 흡수 층과, 상기 제2 광 흡수 층 위에 형성되는 금속 전극을 포함하며,상기 제1 전도성 고분자 층 또는 상기 제2 전도성 고분자 층은 적어도 하나의 금 나노 막대(gold nanorod)를 포함하며,상기 금 나노 막대는 근적외선 대역에서 국소 표면 플라즈몬 공명(LSPR) 현상을 발생하는 것에 의해 상기 제1 광 흡수 층 또는 상기 제2 광 흡수 층에서 형성되는 엑시톤(exciton)을 핫 엑시톤(hot exciton)으로 변환하여 상기 제1 광 흡수 층 또는 상기 제2 광 흡수 층의 광 변환 효율을 증가시키는 유기 태양전지 소자
8 8
제7항에 있어서,상기 금 나노 막대는 무기물이 코팅된 금 나노 막대인 유기 태양전지 소자
9 9
제7항에 있어서,상기 제1 광 흡수 층 또는 제2 광 흡수 층은 유기물 및 양자점(Quantum Dot)을 포함하는 유기 태양전지 소자
10 10
제1 태양 전지; 및상기 제1 태양 전지와 함께 탠덤(tandem) 구조를 구성하는 제2 태양 전지를 포함하며,상기 제1 태양 전지는,기판과, 상기 기판 위에 형성되는 투명 전극과, 상기 투명 전극 위에 형성되는 제1 전도성 고분자 층과, 상기 제1 전도성 고분자 층 위에 형성되는 제1 광 흡수 층을 포함하고,상기 제2 태양 전지는,상기 제1 광 흡수 층 위에 형성되는 재결합 층과, 상기 재결합 층 위에 형성되는 제2 전도성 고분자 층과, 상기 제2 전도성 고분자 층 위에 형성되는 제2 광 흡수 층과, 상기 제2 광 흡수 층 위에 형성되는 금속 전극을 포함하며,상기 제1 광 흡수 층 또는 상기 제2 광 흡수 층은 적어도 하나의 금 나노 막대(gold nanorod)를 포함하며,상기 금 나노 막대는 근적외선 대역에서 국소 표면 플라즈몬 공명(LSPR) 현상을 발생하는 것에 의해 상기 제1 광 흡수 층 또는 상기 제2 광 흡수 층에서 형성되는 엑시톤(exciton)을 핫 엑시톤(hot exciton)으로 변환하여 상기 제1 광 흡수 층 또는 상기 제2 광 흡수 층의 광 변환 효율을 증가시키는 유기 태양전지 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.