| 1 |
1
유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 나노선 기반의 부성미분저항(Negative Differential Resistance; NDR) 소자에 있어서,유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 물질로 형성된 채널부; 및상기 채널부의 양단에 전기적으로 연결되어 무기틀(inorganic framework)로 구성된 전극부를 포함하는 부성미분저항 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 무기틀은 표면공유 할로겐 팔면체들인 납 트리아이오다이드(lead triiodide, PbI3)로 1차원 무기틀 나노선을 구성하는 특징을 나타내는 소재인 것을 특징으로 하는, 부성미분저항 소자
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 채널부는반도체성의 상기 유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 물질인 트라이메틸설포늄 납 트라이아이오다이드((CH3)3SPbI3)로 형성되며, 동일한 페로브스카이트로부터 유도된 무기틀 나노선인 납 트리아이오다이드(PbI3)로 형성된 전극 사이에 나노선 축의 방향으로 삽입된 형태인 것을 특징으로 하는, 부성미분저항 소자
|
| 4 |
4
제2항에 있어서, 상기 전극부는상기 유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 물질인 트라이메틸설포늄 납 트라이아이오다이드(trimethylsulfonium lead triiodide, (CH3)3SPbI3)에서 유기물 리간드인 트라이메틸설포늄((CH3)3S)를 제거하여 발현되는 납 트리아이오다이드(PbI3)의 상기 무기틀로 형성되어 상기 부성미분저항 소자에 금속성의 전기적 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는, 부성미분저항 소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 채널부 및 상기 전극부는상기 유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 물질에서 유기 리간드(organic ligand)를 화학적 에칭으로 유도하여 무기틀 나노선을 유도하는 것을 특징으로 하는, 부성미분저항 소자
|
| 6 |
6
유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 나노선 다발 기반의 부성미분저항(Negative Differential Resistance; NDR) 소자에 있어서,복수의 나노선을 원형의 다발로 결합한 일차원 다발 나노선(Bundled 1D-Nanowire) 형태의 부성미분저항 소자를 포함하되,상기 나노선은유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 물질로 형성된 채널부; 및상기 채널부의 양단에 연결되어 무기틀(inorganic framework)로 구성된 전극부를 포함하는 부성미분저항 소자
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 전극부는상기 유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 물질에서 에칭으로 유기물 리간드를 제거하여 발현되는 상기 무기틀로 형성되어 금속성의 전기적 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는, 부성미분저항 소자
|
| 8 |
8
제6항에 있어서,상기 부성미분저항 소자는임의의 단일의 상기 나노선을 중심으로 복수의 상기 나노선이 원형의 1차원 다발로 결합한 형태인 것을 특징으로 하는, 부성미분저항 소자
|
| 9 |
9
유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 나노판 기반의 부성미분저항(Negative Differential Resistance; NDR) 소자에 있어서,복수의 나노선을 일직선으로 결합한 이차원 다발 나노판(Bundled 2D-Nanoplatelet) 형태의 부성미분저항 소자를 포함하되,상기 나노선은유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 물질로 형성된 채널부; 및상기 채널부의 양단에 전기적으로 연결되어 무기틀(inorganic framework)로 구성된 전극부를 포함하는 부성미분저항 소자
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 전극부는상기 유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 물질에서 에칭으로 유기물 리간드를 제거하여 발현되는 상기 무기틀로 형성되어 금속성의 전기적 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는, 부성미분저항 소자
|
| 11 |
11
제9항에 있어서,상기 부성미분저항 소자는임의의 단일의 상기 나노선을 중심으로 복수의 상기 나노선이 평면의 2차원 다발로 결합한 형태인 것을 특징으로 하는, 부성미분저항 소자
|
| 12 |
12
유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 나노선 다발을 이용한 수직 적층 기반의 부성미분저항(Negative Differential Resistance; NDR) 소자에 있어서,복수의 나노선을 원형의 다발로 결합한 일차원 다발 나노선(Bundled 1D-Nanowire)을 수직 적층한 형태의 부성미분저항 소자를 포함하되,상기 나노선은유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 물질로 형성된 채널부; 및상기 채널부의 양단에 전기적으로 연결되어 무기틀(inorganic framework)로 구성된 전극부를 포함하는 부성미분저항 소자
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 전극부는상기 유무기 하이브리드 할로겐화 페로브스카이트 물질에서 에칭으로 유기물 리간드를 제거하여 발현되는 상기 무기틀로 형성되어 금속성의 전기적 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는, 부성미분저항 소자
|
| 14 |
14
제12항에 있어서,상기 부성미분저항 소자는리소그래피 에칭 기법(Lithography Etching)을 통해 상기 나노선을 터널링 소자 및 무기틀 금속선으로 분리하여 상기 나노선 다발을 집적 및 연결하는 형태를 나타내는, 부성미분저항 소자
|
| 15 |
15
제14항에 있어서, 상기 부성미분저항 소자는2나노미터 미만에서 수 나노미터 길이의 상기 채널부를 포함하여 수 나노미터의 크기로 제작 및 집적이 가능한 것을 특징으로 하는, 부성미분저항 소자
|
