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탄소나노튜브와 전도성 고분자를 이용한 다층 구조의 투명 전도성 판재의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015115109
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명 전도성 판재의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 전도성 판재에 관한 것으로서, 본 발명에서는 투명한 기판(100)의 표면을 세정하여 이물질을 제거하는 단계; 세정된 기판(100)의 표면에 아미노프로필디옥사이드 실레인(APTES)을 이용하여 양(+) 전하 층을 형성하는 단계; 탄소나노튜브(CNT)와 폴리소듐4-스틸렌 설포네이트(PSS)를 물에 혼입하고 고주파를 가하여 물에 혼입된 CNT와 PSS가 물에 고르게 분산되어 있는 상태의 CNT 수용액을 만들어서, 양(+) 전하 층을 가지는 상기 기판(100)을 상기 CNT 수용액에 함침시켜, 상기 기판(100)의 표면에 음(-) 전하를 띄는 CNT 층을 형성하는 단계; 및 상기 CNT 층으로 코팅된 상기 기판(100)을, 양(+) 전하를 띄는 전도성 고분자를 이용하여 만든 전도성 고분자 용액에 함침시켜, 상기 기판(100)의 CNT 층 위로 투명한 전도성 고분자 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 판재의 제조방법과, 그에 의해 제조된 투명 전도성 판재가 제공된다.
Int. CL H01B 1/24 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 1/24(2013.01) H01B 1/24(2013.01) H01B 1/24(2013.01) H01B 1/24(2013.01) H01B 1/24(2013.01) H01B 1/24(2013.01)
출원번호/일자 1020100125701 (2010.12.09)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1272483-0000 (2013.06.03)
공개번호/일자 10-2012-0089500 (2012.08.13) 문서열기
공고번호/일자 (20130610) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.09)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성민 대한민국 대전광역시 유성구
2 심준보 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준서 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)(법무법인케이씨엘)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0812578-73
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.07.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0057597-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0423372-77
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0607452-45
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0607453-91
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0788877-26
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0002212-61
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0002211-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0368699-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
투명한 기판(100)의 표면을 세정하여 이물질을 제거하는 단계; 기판(100)을 OH기 부착용 용액에 담가서 기판(100)의 표면에 OH기가 붙게 하는 단계; 세정된 기판(100)의 표면에 아미노프로필디옥사이드 실레인(APTES)을 이용하여 양(+) 전하 층을 형성하는 단계; 탄소나노튜브(CNT)와 폴리소듐4-스틸렌 설포네이트(PSS)를 물에 혼입하고 고주파를 가하여 물에 혼입된 CNT와 PSS가 물에 고르게 분산되어 있는 상태의 CNT 수용액을 만들어서, 양(+) 전하 층을 가지는 상기 기판(100)을 상기 CNT 수용액에 함침시켜, 상기 기판(100)의 표면에 음(-) 전하를 띄는 CNT 층을 형성하는 단계; 및상기 CNT 층으로 코팅된 상기 기판(100)을, 양(+) 전하를 띄는 전도성 고분자를 이용해 만든 전도성 고분자 용액에 함침시켜, 상기 기판(100)의 CNT 층 위로 투명한 전도성 고분자 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 판재의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 OH기 부착용 용액은, 30% 질량 농도의 H2SO4와 H2O2가 부피비 3:1의 비율로 섞인 용액으로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명 전도성 판재의 제조방법
4 4
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 CNT 수용액에 혼입되는 CNT는 단일벽 탄소나노튜브(SWNT)이고, 상기 CNT 수용액에는 SWNT와 PSS가 질량비 1:1의 비율로 혼입되는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 판재의 제조방법
5 5
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 전도성 고분자 용액은, 프로필렌 카보네이트에, 폴리3,4-에틸렌디옥시티오펜-폴리에틸렌글리콜을 녹여서 제조되는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 판재의 제조방법
6 6
제2항 또는 제3항에 있어서, 기판(100) 위에 양(+) 전하 층, CNT 층 및 전도성 고분자 층을 차례로 적층한 후, 기판(100)을 CNT 수용액에 함침시켜 기판(100)의 표면에 음(-) 전하를 띄는 CNT 층을 형성하는 단계와, 기판(100)을 양(+) 전하를 띄는 전도성 고분자 용액에 함침시켜 기판(100)의 CNT 층 위로 투명한 전도성 고분자 층을 형성하는 단계를 반복하여 수행하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 판재의 제조방법
7 7
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1 한국건설교통기술평가원 카이스트 건설기술혁신사업 탄소나노 튜브를 이용한 유해전자파 흡수 건축 내장재 개발