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유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자

  • 기술번호 : KST2015115231
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법은 희생기판 상에 질화갈륨 발광다이오드 소자를 제조하는 단계; 상기 희생기판으로부터 상기 질화갈륨 발광다이오드 소자를 화학적으로 분리하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 화학적 분리는 상기 희생기판과 질화갈륨 발광다이오드 소자 사이의 희생층을 화학적으로 제거하는 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 유연성의 GaN LED 소자는 구 형태의 두개골이나 두개골 뼈 바로 아래에 위치하는 주름진 대뇌피질(인지, 사고, 언어, 기억 등의 역할, 특히 파킨슨 병은 표면에 위치하는 신경세포에 의한 증상) 등과 같이 구불구불한 표면의 인체 내에 이식가능하다. 또한 복수 개로 구성되며, 각각이 독립적으로 온/오프되는 LED 어레이를 통해 여러 부위에 신경세포의 빛 온-오프 자극이 가능하므로 신경 회로의 규명이 용이해진다.
Int. CL H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01)
출원번호/일자 1020110068830 (2011.07.12)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0008224 (2013.01.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020130071321;
심사청구여부/일자 Y (2011.07.12)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이건재 대한민국 대전광역시 유성구
2 박소영 대한민국 대전광역시 유성구
3 이승현 대한민국 충청남도 아산시
4 구민 대한민국 경기도 부천시 오정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0533095-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2012-0071409-73
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0550575-84
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0952071-56
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-1053800-71
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-1056547-38
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1056549-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0247815-52
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.04.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0351238-33
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0351236-42
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0381328-38
14 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2013.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0553407-35
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법으로, 상기 방법은 희생기판 상에 질화갈륨 발광다이오드 소자를 제조하는 단계;상기 희생기판으로부터 상기 질화갈륨 발광다이오드 소자를 화학적으로 분리하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 화학적 분리는 상기 희생기판과 질화갈륨 발광다이오드 소자 사이의 희생층을 화학적으로 제거하는 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 방법은희생기판 상에 실리콘산화물층을 적층하는 단계;상기 적층된 실리콘산화물층을 패터닝하며, 이격된 복수 개의 실리콘산화물층 열을 형성시키는 단계;상기 복수 개의 실리콘산화물층 사이의 공간에 제 1 질화갈륨 층을 성장시키는 단계;상기 실리콘 산화물층 및 제 1 질화갈륨층 상에 제 2 질화갈륨 층을 적층하는 단계;상기 적층된 제 2 질화갈륨층 상에 순차적으로 적층된 n-질화갈륨층/발광층/p-질화갈륨층으로 이루어진 질화갈륨 소자층을 형성하는 단계; 상기 형성된 질화갈륨소자층을 패터닝하여 복수 개의 단위 질화갈륨 발광다이오드 소자를 형성하는 단계; 및상기 희생기판상의 실리콘산화물층을 제거한 후, 상기 형성된 복수 개의 단위 질화갈륨 발광다이오드 소자를 플라스틱 기판에 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 실리콘산화물층 제거는 화학적 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법
4 4
제 2항에 있어서, 상기 질화갈륨 발광다이오드 소자는 복수 개의 단위 발광다이오드 소자가 어레이를 이루는 구조인 것을 특징으로 하는 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법
5 5
제 2항에 있어서, 상기 방법은질화갈륨 소자층 적층 단계 이후, 상기 n-질화갈륨층과 p-질화갈륨층을 외부로 노출시키는 단계; 상기 n-질화갈륨층 및 p-질화갈륨층 각각에 금속컨택을 형성시키는 단계;상기 n-질화갈륨층 상의 금속컨택을 연결시키는 제 1 금속라인과 상기 p-질화갈륨층 상의 금속컨택을 연결시키는 제 2 금속라인을 형성시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법
6 6
제 2항에 있어서, 상기 제 1 질화갈륨층 성장은 에피탁시 수평 과성장 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법
7 7
유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자로서, 상기 소자는플라스틱 기판;상기 기판상에 구비되며, 순차적으로 적층된 n-질화갈륨층/발광층/p-질화갈륨층을 포함하는 질화갈륨 발광다이오드 단위 소자; 상기 질화갈륨 발광다이오드 단위 소자의 n-질화갈륨층 및 p-질화갈륨층 상에 적층된 금속컨택;상기 질화갈륨 발광다이오드 단위 소자의 n-질화갈륨층 및 p-질화갈륨층 상에 적층된 금속컨택을 각각 연결하는 제 1 금속라인 및 제 2 금속라인; 및 상기 제 1 금속라인 및 제 2 금속라인상에 적층된 투명절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자
8 8
제 7항에 있어서, 상기 제 1 금속라인 및 제 2 금속라인의 단부는 상기 투명절연층 사이로 노출되는 것을 특징으로 하는 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자
9 9
제 8항에 있어서, 상기 제 1 금속라인과 제 2 금속라인 사이에는 투명절연층이 구비되는 것을 특징으로 하는 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자
10 10
제 9항에 있어서, 상기 제 1 금속라인과 제 2 금속라인은 상이한 종과 열의 질화갈륨 발광다이오드 단위소자를 연결하는 것을 특징으로 하는 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자
11 11
제 7항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 따른 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자를 포함하는 광유전학용 광소자로서, 상기 광소자는유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 상부의 투명절연층상에 적층된 복수 개의 전극라인으로 이루어진 미세전극어레이가 구비된 것을 특징으로 하는 광유전학용 광소자
12 12
제 11항에 있어서, 상기 미세전극어레이는 각 단위 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자에 대응하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 광유전학용 광소자
13 13
제 12항에 있어서, 상기 미세전극어레이는 상기 질화갈륨 발광다이오드 소자에 의하여 발생하는 빛에 의하여 반응한 신경세포의 활동전위 변화를 감지하는 것을 특징으로 하는 광유전학용 광소자
14 14
생체 내에 이식된 제 13항에 따른 광유전학용 광소자의 미세전극어레이를 이용, 신경세포 변화를 전기적으로 측정하는 것을 특징으로 하는 신경세포 분석방법
15 15
생체 내에 이식된 제 13항에 따른 광유전학용 광소자의 질화갈륨 발광다이오드 소자로부터 빛을 발생시켜, 생체를 자극하는 단계; 및 상기 발생한 빛에 대하여 반응한 신경세포의 활동전위 변화를 상기 미세전극어레이로 측정하는 것을 특징으로 하는 광유전학용 광소자를 이용한, 광 자극 방법
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3 KR101328529 KR 대한민국 FAMILY
4 KR101339412 KR 대한민국 FAMILY
5 KR101449794 KR 대한민국 FAMILY
6 KR1020130071449 KR 대한민국 FAMILY
7 US20120295376 US 미국 FAMILY

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