맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

플렉서블 수직형 발광다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015114769
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플렉서블 수직 발광다이오드로서, 플렉서블 기판 상에 형성되며, 서로 이격된 복수 개의 발광다이오드 단위 소자층; 상기 소자층 상부 및 소자층 측면에 노출된 금속전극층을 포함하며, 여기에서 상기 단위 소자층은 n-GaN층, 다중양자우물층(MQW), p-GaN층을 포함하며, 상기 소자층 상부의 금속전극층은 상기 n-GaN층과 오믹컨택을 이루며, 상기 소자층 측면에 노출된 금속전극층은 상기 p-GaN층과 오믹컨택을 이루는 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드가 제공된다.
Int. CL H01L 33/32 (2014.01) H01L 33/12 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/642(2013.01) H01L 33/642(2013.01) H01L 33/642(2013.01) H01L 33/642(2013.01) H01L 33/642(2013.01) H01L 33/642(2013.01)
출원번호/일자 1020130013961 (2013.02.07)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1362516-0000 (2014.02.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.07)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이건재 대한민국 대전 유성구
2 이승현 대한민국 충남 아산시
3 손정환 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0116592-80
2 보정요구서
Request for Amendment		 2013.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0020482-86
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0179342-93
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2014-0001036-41
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0047877-71
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0065006-17
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0076139-74
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플렉서블 수직 발광다이오드로서, 플렉서블 기판 상에 형성되며, 서로 이격된 복수 개의 발광다이오드 단위 소자층;상기 소자층 상부 및 소자층 측면에 노출된 금속전극층을 포함하며, 여기에서 상기 단위 소자층은 n-GaN층, 다중양자우물층(MQW), p-GaN층을 포함하며, 상기 소자층 상부의 금속전극층은 상기 n-GaN층과 오믹컨택을 이루며, 상기 소자층 측면에 노출된 금속전극층은 상기 p-GaN층과 오믹컨택을 이루는 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드
2 2
제 1항에 있어서, 상기 단위 소자층은 희생기판에서 제조된 후, 상기 희생기판에 조사되는 레이저에 의하여 상기 희생기판으로부터 분리된 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드
3 3
플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법으로, 희생 기판 상에 버퍼층, n-GaN층, 다중양자우물층(MQW ), p-GaN층을 순차적으로 적층시켜 발광다이오드 소자층을 제조하는 단계; 상기 제조된 발광다이오드 소자층에 합금층을 전사한 후, 전사기판에 공융접합시켜, 상기 소자층을 고정시키는 단계; 상기 희생기판 후면에 레이저를 조사하여, 상기 발광다이오드 소자층을 상기 희생 기판으로부터 분리하는 단계; 및 상기 분리된 발광다이오드 소자층을 플렉서블 기판에 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 발광다이오드 소자층은 서로 이격된 복수 개의 단위 발광 다이오드 소자층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법은, 상기 n-GaN층 및 상기 p-GaN층과 접촉하는 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법
6 6
제 3항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 따른 플렉서블 수직 발광다이오드를 광원으로 포함하는 디스플레이 소자
7 7
희생 기판 상에 버퍼층, n-GaN층, 다중양자우물층(MQW), p-GaN층을 순차적으로 적층시켜 발광다이오드 소자층을 제조하는 단계; 상기 소자층을 패터닝하여 복수 개의 단위 소자층을 상기 희생 기판 상에 제조하는 단계; 상기 p-GaN층 상에 금속층을 증착하여, p-GaN 오믹컨택층을 형성하는 단계; 상기 희생 기판 및 단위 소자층 상에 공융접합을 위한 합금층을 증착하는 단계; 상기 합금층과 동일 물질의 합금이 도포된 전사 기판을, 상기 합금층에 공융접합시키는 단계; 및 상기 희생 기판 후면에 레이저를 인가하여 소자층을 상기 희생 기판으로부터 리프트 오프시키는 단계; 상기 n-GaN층에 금속층을 증착하여 n-GaN오믹컨택층을 형성하는 단계; 상기 n-GaN오믹컨택층 하부에 열 분리 테이프를 접합시키는 단계; 상기 합금층을 제거한 후, 상기 p-GaN층 상에 플렉서블 기판을 접합시키는 단계; 및 상기 열 분리 테이프에 열을 인가하여 상기 n-GaN오믹컨택층으로부터 열 분리 테이프를 제거하는 단계; 및 상기 플렉서블 기판 상에 보호층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 플렉서블 기판 상에는 순차적으로 적층된 금속 라인 및 이방성전도성 필름이 구비되며, 상기 이방성전도성 필름과 상기 p-GaN층이 접합되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법은, 상기 보호층을 증착하는 단계 후, 상기 보호층의 일부를 패터닝하여, 상기 n-GaN오믹컨택층 및 상기 p-GaN오믹컨택층을 각각 상기 단위 소자층 상부 및 상기 단위 소자층 측면에서 외부로 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법
10 10
제 7항에 있어서, 상기 희생기판은 유리 또는 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 버퍼층(200)은 GaN을 포함하며, 상기 조사되는 레이저에 의하여 상기 버퍼층 표면의 GaN은 분해되며, 이로써 상기 희생기판으로부터 상기 단위 소자층이 분리되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법
12 12
제 7항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 따른 플렉서블 수직 발광다이오드 제조방법에 의하여 제조된 플렉서블 수직 발광다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.