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비스무스(Bi)-텔루륨(Te) 파우더, 용제(Solvent), 바인더(Binder), 및 글래스 파우더(Glass Powder)를 혼합하여 비스무스-텔루륨(BixTe1-x)계 페이스트를 합성하는 단계;기판 상에 상기 비스무스-텔루륨(BixTe1-x)계 페이스트를 프린팅하는 단계;상기 프린팅된 기판에서 상기 용제(Solvent)를 증발시키기 위하여 건조하는 단계; 및상기 건조된 기판에서 상기 바인더(Binder)를 증발시키고, 비스무스-텔루륨(BixTe1-x)계 화합물형성을 위하여 상기 건조 시의 온도 보다 높은 온도에서 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비스무스-텔루륨(BixTe1-x)계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 용제(Solvent)와 상기 바인더(Binder)의 증발에 의해 상기 기판 상에서 처리된 비스무스-텔루륨(BixTe1-x)계 페이스트에 기공들을 유발하여 열전특성을 개선시키기 위한 것을 특징으로 하는 비스무스-텔루륨(BixTe1-x)계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 글래스 파우더(Glass Powder)는 Bi2O3 60~90 wt%, ZnO 10~20 wt%, 및 B2O3 5 ~15 wt%로 이루어지는 Glass Frit을 포함하는 것을 특징으로 하는 비스무스-텔루륨(BixTe1-x)계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
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제3항에 있어서,상기 Glass Frit은 Al2O3, SiO2, CeO2, Li2O, Na2O 및 K2O로 이루어지는 군으로부터 선택되는 3개 이상의 산화물을 1~20 wt% 포함하는 것을 특징으로 하는 비스무스-텔루륨(BixTe1-x)계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 열처리하는 단계는, 텔루륨 파우더 분위기에서 이루어지며,비활성 가스 분위기에서 이루어지는 제1온도에서의 제1 열처리 과정, 비활성 가스 분위기에서 이루어지는 제2온도에서의 제2 열처리 과정, 및 비활성 가스 분위기에서 이루어지는 제3온도에서의 제3 열처리 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 비스무스-텔루륨(BixTe1-x)계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
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청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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제5항에 있어서,상기 제1온도는 100~300℃ 범위에 포함되는 것을 특징으로 하는 비스무스-텔루륨(BixTe1-x)계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
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제5항에 있어서,상기 제2온도는 200~500℃ 범위에 포함되는 것을 특징으로 하는 비스무스-텔루륨(BixTe1-x)계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
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제5항에 있어서,상기 제3온도는 300~700℃ 범위에 포함되는 것을 특징으로 하는 비스무스-텔루륨(BixTe1-x)계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 열처리 후에 진공 또는 비활성 가스 분위기에서 냉각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비스무스-텔루륨(BixTe1-x)계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
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청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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