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다원계 열전 페이스트 합성법을 이용한 고효율 열전후막 형성 방법 및 이를 이용하여 제조된 열전후막(Method of forming high efficiently thermoelectric thick film using synthetic process of multicomponent thermoelectric paste and thermoelectric thick film thereof)

  • 기술번호 : KST2016007971
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다원계 열전 페이스트 합성법을 이용한 고효율 열전후막 형성 방법 및 이를 이용하여 제조된 열전후막으로서, 삼원계 이상의 단원계 파우더에 용제(Solvent), 바인더(Binder) 및 글래스 파우더(Glass Powder)를 혼합하여 열전물질인 다원계 페이스트를 합성하는 페이스트 합성 단계; 기판 상에 상기 다원계 페이스트를 프린팅하는 프린팅 단계; 상기 프린팅된 기판을 건조시켜 상기 용제를 증발시키는 건조 단계; 및 열처리 과정을 통해 상기 건조된 기판에서 상기 바인더를 증발시키고 다원계 화합물을 형성시켜 다원계 열전후막을 합성하는 열전후막 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다원계 열전 페이스트 합성법을 이용한 고효율 열전후막 형성 방법과 이를 통해 제조된 열전후막이며, 이와 같은 본 발명에 의하면 다원계 열전후막의 형성 및 후속 열처리공정을 통해 고효율 열전특성을 갖는 열전후막을 제공할 수 있으며, 특히 증착두께 측면에서는 벌크(Bulk) 형태보다는 얇고 스퍼터(Sputter) 및 CVD 박막 보다는 두꺼운 수 내지 수백마이크로미터 두께의 후막을 형성하여 충분한 전력(Power) 값을 얻을 수 있는 열전후막을 제작할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 35/34 (2006.01)
CPC H01L 35/12(2013.01) H01L 35/12(2013.01) H01L 35/12(2013.01) H01L 35/12(2013.01) H01L 35/12(2013.01)
출원번호/일자 1020140121893 (2014.09.15)
출원인 주식회사 테그웨이, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1689308-0000 (2016.12.19)
공개번호/일자 10-2016-0032320 (2016.03.24) 문서열기
공고번호/일자 (20161226) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.09.15)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 테그웨이 대한민국 대전광역시 대덕구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조병진 대한민국 대전광역시 유성구
2 김선진 대한민국 대전광역시 유성구
3 위주형 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 테그웨이 대전광역시 대덕구
2 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0870496-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0033928-81
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0864117-21
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0133006-15
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0231867-64
10 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2016.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0339994-53
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.04.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0346932-08
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0346864-91
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0620158-72
14 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.09.29 수리 (Accepted) 7-1-2016-5026751-47
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.09.29 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2016-0947566-75
16 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2016.10.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0144737-12
17 [반려이유통지에 따른 소명]의견(답변, 소명)서
[Substantiation according to Notice of Reason for Return] Written Opinion (Written Response, Written Substantiation)
2016.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0975971-54
18 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.10.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-1049165-85
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-1049164-39
20 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2016.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0163836-13
21 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0854934-62
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.04.10 수리 (Accepted) 4-1-2018-5063831-35
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5127920-14
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비스무스(Bi), 안티몬(Sb), 텔루륨(Te)의 삼원계 합성 파우더에 용제(Solvent), 바인더(Binder) 및 글래스 파우더(Glass Powder)를 혼합하여 열전물질인 삼원계 페이스트를 합성하는 페이스트 합성 단계;기판 상에 상기 삼원계 페이스트를 프린팅하는 프린팅 단계;상기 프린팅된 기판을 건조시켜 상기 용제를 증발시키는 건조 단계; 및열처리 과정을 통해 상기 건조된 기판에서 상기 바인더를 증발시키고 삼원계 화합물을 형성시켜 삼원계 열전후막을 합성하는 열처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 삼원계 열전 페이스트 합성법을 이용한 고효율 열전후막 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 열처리 단계에서 상기 열처리 과정은, 진공에서 이루어지는 제1 열처리 과정 및 비활성 가스 분위기에서 이루어지는 제2 열처리 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 삼원계 열전 페이스트 합성법을 이용한 고효율 열전후막 형성 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 열처리 과정은,상기 삼원계 합성 파우더에 포함된 적어도 하나 이상 물질을 포함하는 여분의 파우더를 공급하여 파우더 분위기에서 파우더 증발기법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 삼원계 열전 페이스트 합성법을 이용한 고효율 열전후막 형성 방법
4 4
제 2 항에 있어서,상기 제1 열처리 과정 및 상기 제2 열처리 과정은 100~500℃ 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 삼원계 열전 페이스트 합성법을 이용한 고효율 열전후막 형성 방법
5 5
제 2 항에 있어서,상기 열처리 과정은,상기 제2 열처리 과정 후에 300~1100℃에서 이루어지는 제3 열처리 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 삼원계 열전 페이스트 합성법을 이용한 고효율 열전후막 형성 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 열전후막 형성 방법은,상기 열처리 과정 후에 진공 또는 비활성 가스 분위기에서 냉각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 삼원계 열전 페이스트 합성법을 이용한 고효율 열전후막 형성 방법
7 7
삭제
8 8
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 삼원계 열전 페이스트 합성법을 이용한 고효율 열전후막 형성 방법을 이용하여,기판 상에 형성된 열전물질인 삼원계 페이스트를 열처리하여 형성된 것을 특징으로 하는 열전후막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.