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아연―안티몬계 페이스트 합성법과 페이스트를 이용한 ｐ형 열전물질의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015115427
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 후막 열전소자 제작시 스크린 프린팅(Screen Printing) 기법을 사용 할 경우 프린팅에 필요한 p형 열전물질인 아연-안티몬(ZnxSb1-x) 계열의 페이스트(Paste) 합성 및 후공정(열처리)에 대한 방법이다. 본 발명에는 p형 열전물질인 아연-안티몬(ZnxSb1-x) 계열의 페이스트(Paste) 합성을 위해 Zn/Sb 파우더, 바인더(Binder), 글래스 파우더(Glass Powder), 용제(Solvent)가 필요하다. 또한 페이스트 합성 후 아연-안티몬(ZnxSb1-x)본래의 우수한 전기적/열적 특성을 만들어 주기 위해 열처리 과정이 요구 되는데, 이 과정에서 전기적/열적 특성을 방해하는 바인더(Binder), 용제(Solvent)는 증발되어 기공이 많은 후막을 형성하는 역할을 하며, 글래스 파우더(Glass Powder)는 기판과의 접착력(Adhesion)을 우수하게 하는 역할을 할 수 있다.
Int. CL H01L 35/34 (2006.01) H01L 35/12 (2006.01)
CPC H01L 35/18(2013.01) H01L 35/18(2013.01) H01L 35/18(2013.01)
출원번호/일자 1020110101866 (2011.10.06)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0037457 (2013.04.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020130133918;
심사청구여부/일자 Y (2011.10.06)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조병진 대한민국 대전광역시 유성구
2 위주형 대한민국 대전광역시 유성구
3 김선진 대한민국 대전광역시 유성구
4 김경수 대한민국 경상북도 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0780711-00
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0094240-32
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0878153-42
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.07.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0059490-79
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0181947-44
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0292669-80
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0292670-26
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0577422-18
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.09.25 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2013-0868992-11
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0868987-93
13 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2013.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0706209-93
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0706208-47
15 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2013.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-1010386-52
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
ZnSb 파우더, 용제(Solvent), 바인더(Binder), 및 글래스 파우더(Glass Powder)를 혼합하여 아연-안티몬계 페이스트를 합성하는 단계;기판 상에 상기 아연-안티몬계 페이스트를 프린팅하는 단계;상기 프린팅된 기판에서 상기 용제(Solvent)를 증발시키기 위하여 건조하는 단계; 및상기 건조된 기판에서 상기 바인더(Binder)를 증발시키고, 아연-안티몬계 화합물형성을 위하여 상기 건조 시의 온도 보다 높은 온도에서 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연-안티몬계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 용제(Solvent)와 상기 바인더(Binder)의 증발에 의해 상기 기판 상에서 처리된 아연-안티몬계 페이스트에 기공들을 유발하여 열전특성을 개선시키기 위한 것을 특징으로 하는 아연-안티몬계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 글래스 파우더(Glass Powder)는 Bi2O3 60~90 wt%, ZnO 10~20 wt%, 및 B2O3 5 ~15 wt%로 이루어지는 Glass Frit을 포함하는 것을 특징으로 하는 아연-안티몬계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 Glass Frit은 Al2O3, SiO2, CeO2, Li2O, Na2O 및 K2O로 이루어지는 군으로부터 선택되는 3개 이상의 산화물을 1~20 wt% 포함하는 것을 특징으로 하는 아연-안티몬계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 열처리하는 단계는,진공에서 이루어지는 제1온도에서의 제1 열처리 과정, 비활성 가스 분위기에서 이루어지는 상기 제1온도에서의 제2 열처리 과정, 및 비활성 가스 분위기에서 이루어지는 제2온도에서의 제3 열처리 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 아연-안티몬계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 비활성 가스는 N2를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연-안티몬계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
7 7
제5항에 있어서,상기 제1온도는 100~500℃ 범위에 포함되는 것을 특징으로 하는 아연-안티몬계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
8 8
제5항에 있어서,상기 제2온도는 200~700℃ 범위에 포함되는 것을 특징으로 하는 아연-안티몬계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 열처리 후에 진공 또는 비활성 가스 분위기에서 냉각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 아연-안티몬계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 비활성 가스는 N2를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연-안티몬계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101471365 KR 대한민국 FAMILY

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