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고감도 ＣＭＯＳ 영상 센서 장치

  • 기술번호 : KST2015115858
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 감도가 높고, 다이나믹 레인지가 넓으며, 포토 다이오드의 리셋 전압을 조절할 수 있는 픽셀로 구성되는 CMOS 영상 센서에 관한 것이다.CMOS 영상 센서 장치에 있어서, 단위 픽셀의 2차원적 배열로 구성되는 센서 장치로서, 단위 픽셀은 입력 광에 대응하여 전하를 생성하는 포토 다이오드; 생성된 전하를 전압으로 바꿔주는 전하증폭 트랜지스터와 피드백 커패시터; 포토 다이오드와 피드백 커패시터를 리셋하는 리셋 트랜지스터; 포토 다이오드의 리셋 전압을 조절하는 리셋 제어 단자; 및 단위 픽셀을 선택하는 두 개의 셀렉트 트랜지스터를 포함하는 고감도 CMOS 영상 센서 장치가 제공된다.
Int. CL H04N 5/374 (2011.01)
CPC H04N 5/3559(2013.01) H04N 5/3559(2013.01)
출원번호/일자 1020120052908 (2012.05.18)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1340839-0000 (2013.12.05)
공개번호/일자 10-2013-0128834 (2013.11.27) 문서열기
공고번호/일자 (20131211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.18)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조규성 대한민국 대전 유성구
2 배준형 대한민국 대전 유성구
3 김형택 대한민국 대전 유성구
4 강동욱 대한민국 대전 유성구
5 이대희 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0398088-81
2 보정요구서
Request for Amendment		 2012.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0062953-17
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0417929-65
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0032345-25
7 협의요구서
Request for Consultation		 2013.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0415477-64
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0415476-18
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0744408-16
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0744407-60
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0748138-76
12 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0837083-65
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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CMOS 영상 센서 장치에 있어서,단위 픽셀의 2차원적 배열로 구성되는 센서 장치로서,상기 단위 픽셀은,입력 광에 대응하여 전하를 생성하는 포토 다이오드;상기 생성된 전하를 전압으로 바꿔주는 전하증폭 트랜지스터와 피드백 커패시터;상기 포토 다이오드와 상기 피드백 커패시터를 리셋하는 리셋 트랜지스터;상기 포토 다이오드의 리셋 전압을 조절하는 리셋 제어 단자; 및상기 단위 픽셀을 선택하는 두 개의 셀렉트 트랜지스터를 포함하고,상기 픽셀의 배열에 있어서, 각 컬럼(Column)은 컬럼 출력 라인을 통해 전류원에 연결되고, 상기 전하증폭 트랜지스터를 상기 전류원에 연결하여 공통소스 증폭기 구조를 형성하고,상기 전류원은, 하나의 PMOS 트랜지스터를 사용하거나 둘 이상의 PMOS 트랜지스터를 캐스코드(Cascode) 형태로 연결하여 사용하고,상기 전류원으로 사용되는 PMOS의 W/L 비율에 따라 상기 단위 픽셀의 공통소스 증폭기에 공급되는 전하의 양이 결정되며,상기 PMOS 트랜지스터의 게이트 단자에 걸리는 전압은 수학식을 통해 계산되는 것을 특징으로 하는 고감도 CMOS 영상 센서 장치
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CMOS 영상 센서 장치에 있어서,단위 픽셀의 2차원적 배열로 구성되는 센서 장치로서,상기 단위 픽셀은,입력 광에 대응하여 전하를 생성하는 포토 다이오드;상기 생성된 전하를 전압으로 바꿔주는 전하증폭 트랜지스터와 피드백 커패시터;상기 포토 다이오드와 상기 피드백 커패시터를 리셋하는 리셋 트랜지스터;상기 포토 다이오드의 리셋 전압을 조절하는 리셋 제어 단자; 및상기 단위 픽셀을 선택하는 두 개의 셀렉트 트랜지스터를 포함하고,상기 리셋 제어 단자는 상기 전하증폭 트랜지스터의 소스 단자에 연결되며, 기판 전압과 분리된 별도의 전압에 연결되는 것을 특징으로 하는 고감도 CMOS 영상 센서 장치
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제6항에 있어서,상기 두 개의 셀렉트 트랜지스터에 있어서,한 개는 상기 피드백 커패시터의 한 쪽 단자와 상기 전하증폭 트랜지스터의 게이트 단자 사이에 연결되고,나머지 한 개는 상기 피드백 커패시터의 다른 한 쪽 단자와 상기 전하증폭 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되는 것을 특징으로 하는 고감도 CMOS 영상 센서 장치
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제7항에 있어서,상기 두 개의 셀렉트 트랜지스터는 게이트를 연결하여 동시에 동작시키는 것을 특징으로 하는 고감도 CMOS 영상 센서 장치
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1 교육과학기술부 한국과학기술원 방사선기술개발사업 실리콘 대면적 영상센서 및 방사선 계측기 기술 개발