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ＣＭＯＳ 이미지 센서 및 그것의 동작 방법

  • 기술번호 : KST2015119021
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 CMOS 이미지 센서 및 그것의 동작방법이 개시된다. 본 발명의 일실시예 따른 CMOS 이미지 센서는 전류-전압 변환 트랜지스터와 포토다이오드를 포함하고, 포토다이오드가 빛을 흡수하여 광전류를 발생시키는 동안 전류-전압 변환 트랜지스터는 게이트 유도 드레인 누설 전류를 발생시킬 수 있는 상태로 유지될 수 있다. 포토다이오드와 전류-전압 변환 트랜지스터를 연결함으로써, 포토다이오드의 광전류의 크기만큼 게이트 유도 드레인 누설 전류가 전류-전압 변환 트랜지스터로부터 유도되도록 할 수 있다. 전류-전압 변환 트랜지스터는 게이트 유도 드레인 누설 전류에 대응하는 전압을 드레인에 생성할 수 있다.
Int. CL H04N 5/374 (2011.01) H04N 5/355 (2011.01)
CPC H01L 27/14603(2013.01) H01L 27/14603(2013.01) H01L 27/14603(2013.01) H01L 27/14603(2013.01) H01L 27/14603(2013.01)
출원번호/일자 1020120097820 (2012.09.04)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1397090-0000 (2014.05.13)
공개번호/일자 10-2014-0030978 (2014.03.12) 문서열기
공고번호/일자 (20140519) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.04)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양경훈 대한민국 대전 유성구
2 백인규 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0713991-41
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0729087-92
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1180050-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-1180049-78
6 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0281785-02
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
빛을 흡수하여 광전류를 발생시키는 광 감지소자; 및상기 광전류에 따른 전압을 드레인에 생성하는 전류-전압 변환 트랜지스터;를 구비하고,상기 광전류는 상기 전류-전압 변환 트랜지스터의 게이트 유도 드레인 누설(gate induced drain leakage) 전류이고,상기 전류-전압 변환 트랜지스터는 상기 광 감지소자가 빛을 흡수하여 광전류를 생성하는 동안, 상기 게이트 유도 드레인 누설 전류가 발생할 수 있도록 상기 전류-전압 변환 트랜지스터의 게이트에 제1 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 이미지 센서
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 전류-전압 변환 트랜지스터는상기 광 감지소자가 빛을 흡수하기 전, 상기 전류-전압 변환 트랜지스터의 드레인 전압이 리셋 전압이 되도록 상기 전류-전압 변환 트랜지스터의 게이트에 제2 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서
4 4
제3항에 있어서,상기 전류-전압 변환 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터이고,상기 제1 전압은 상기 제2 전압보다 높고,상기 리셋 전압은 상기 CMOS 이미지 센서의 전원 전압인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서
5 5
제3항에 있어서,상기 전류-전압 변환 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터이고,상기 제1 전압은 상기 제2 전압보다 낮고,상기 리셋 전압은 상기 CMOS 이미지 센서의 접지 전압인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서
6 6
제1항에 있어서, 상기 CMOS 이미지 센서는상기 전류-전압 변환 트랜지스터의 드레인의 전압에 응답하여 전압을 출력하는 소스-팔로워 트랜지스터; 및선택 신호에 따라 상기 소스-팔로워 트랜지스터가 출력하는 전압을 출력 라인으로 전달하는 선택 트랜지스터;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서
7 7
제6항에 있어서,상기 소스-팔로워 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터 또는 NMOS 트랜지스터이고,상기 소스-팔로워 트랜지스터의 게이트가 상기 전류-전압 변환 트랜지스터의 드레인과 연결된 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서
8 8
CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 이미지 센서의 동작 방법에 있어서,상기 CMOS 이미지 센서는 광 감지소자 및 상기 광 감지소자를 통해 흐르는 광전류에 따른 전압을 드레인에 생성하는 전류-전압 변환 트랜지스터를 포함하고,상기 전류-전압 변환 트랜지스터의 드레인에 리셋 전압을 인가하는 단계;상기 광 감지소자가 빛을 흡수하여 광전류를 발생시키는 동안, 상기 광전류가 상기 전류-전압 변환 트랜지스터의 게이트 유도 드레인 전류가 되도록 상기 전류-전압 변환 트랜지스터의 게이트에 제1 전압을 인가하는 단계; 및상기 드레인 전압을 감지하는 단계;를 포함하는 CMOS 이미지 센서의 동작 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 드레인에 리셋 전압을 인가하는 단계는 상기 드레인 전압이 리셋 전압으로 되도록 상기 전류-전압 변환 트랜지스터의 게이트에 제2 전압을 인가하는 단계를 포함하고,상기 드레인 전압을 감지하는 단계는 상기 드레인의 리셋 전압을 감지하는 단계 및 상기 광전류에 따라 변화된 드레인의 전압을 감지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 동작 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 전류-전압 변환 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터이고,상기 제1 전압은 상기 제2 전압보다 높고,상기 리셋 전압은 상기 CMOS 이미지 센서의 전원 전압인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 동작 방법
11 11
제9항에 있어서,상기 전류-전압 변환 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터이고,상기 제1 전압은 상기 제2 전압보다 낮고,상기 리셋 전압은 상기 CMOS 이미지 센서의 접지 전압인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 동작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.