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ＣＭＯＳ 이미지 센서 및 그것의 동작 방법

  • 기술번호 : KST2015115861
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 CMOS 이미지 센서 및 그것의 동작방법이 개시된다. 본 발명의 일실시예 따른 CMOS 이미지 센서의 동작 방법은 광 감지소자가 빛을 흡수하여 축적한 전하를 전달하는 전달 트랜지스터의 게이트 전압을 조절하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 따라 광 감지소자가 빛을 흡수하여 전하를 축적하는 동안 전달 트랜지스터의 게이트 전압은 제1 및 제2 전압이 될 수 있으며, 광 감지소자가 빛의 흡수를 종료하고 축적된 전하를 전달하는 동안 전달 트랜지스터의 게이트 전압은 제3 전압이 될 수 있다. 제3 전압이 게이트에 인가된 전달 트랜지스터는 광 감지소자가 불완전 공핍도록 하여 광 감지소자가 전달 트랜지스터의 문턱 전압에 따라 광 전자를 보유할 수 있다. 전달 트랜지스터의 게이트에 제1 및 제3 전압을 인가함에 따라 전달 트랜지스터를 통해서 전달되는 광 전자의 양에 대한 전달 트랜지스터의 문턱 전압의 영향은 서로 상쇄될 수 있다.
Int. CL H04N 5/374 (2011.01) H04N 5/355 (2011.01)
CPC H01L 27/14603(2013.01) H01L 27/14603(2013.01) H01L 27/14603(2013.01) H01L 27/14603(2013.01) H01L 27/14603(2013.01)
출원번호/일자 1020120072410 (2012.07.03)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1367184-0000 (2014.02.19)
공개번호/일자 10-2014-0004944 (2014.01.14) 문서열기
공고번호/일자 (20140226) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.03)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양경훈 대한민국 대전 유성구
2 이지원 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0532669-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0539211-12
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0896642-58
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0896644-49
6 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0084415-14
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 이미지 센서의 동작 방법에 있어서,상기 CMOS 이미지 센서는 광 감지소자; 및 상기 광 감지소자 및 플로팅 디퓨젼(floating diffusion)사이에 전하를 전달하거나 차단하는 전달 트랜지스터를 구비하고,상기 전달 트랜지스터의 게이트에 서로 다른 레벨을 갖는 제1 및 제2 전압을 순차적으로 인가하여 상기 광 감지소자에 전하를 축적하는 단계;상기 전달 트랜지스터의 게이트에 제3 전압을 인가하여 불완전 공핍(depletion)되도록 상기 광 감지소자에 축적된 전하 중 일부를 상기 플로팅 디퓨전으로 전달하는 단계; 및상기 플로팅 디퓨전의 전위를 감지하는 단계;를 구비하고,상기 제2 전압은 상기 광 감지 소자 및 상기 플로팅 디퓨전 사이의 전위 장벽의 높이가 상기 제1 전압이 상기 전달 트랜지스터의 게이트에 인가되는 경우보다 높도록 설정되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 동작 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 제3 전압은,상기 광 감지 소자 및 상기 플로팅 디퓨전 사이의 전위 장벽의 높이가 상기 제1 전압이 상기 전달 트랜지스터의 게이트에 인가되는 경우보다 낮고, 완전 공핍 상태의 상기 광 감지소자의 전위보다 높도록 설정되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 동작 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 전달 트랜지스터의 게이트에 상기 제2 전압을 인가하는 시간은 상기 제1 전압을 인가하는 시간보다 짧은 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 동작 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 플로팅 디퓨전의 전위를 감지하는 단계는,상기 플로팅 디퓨전의 리셋 전위를 감지하는 단계; 및상기 전달 트랜지스터를 통해서 전하가 전달된 상기 플로팅 디퓨전의 전위를 감지하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 동작 방법
6 6
광 감지소자;상기 광 감지소자 및 플로팅 디퓨전(floating diffusion) 사이에 전하를 전달하거나 차단하는 전달 트랜지스터; 및상기 광 감지소자가 전하를 축적하는 동안 서로 다른 레벨을 갖는 제1 및 제2 전압을 상기 전달 트랜지스터의 게이트에 출력하고, 상기 광 감지소자가 불완전 공핍(depletion)되도록 상기 광 감지소자에 축적된 전하 중 일부가 상기 플로팅 디퓨전으로 전달되도록 제3 전압을 상기 전달 트랜지스터의 게이트에 출력하는 제어부;를 구비하고,상기 제어부는 상기 광 감지 소자 및 상기 플로팅 디퓨전 사이의 전위 장벽의 높이가 상기 제1 전압이 상기 전달 트랜지스터의 게이트에 인가되는 경우보다 높도록 상기 제2 전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 이미지 센서
7 7
삭제
8 8
제6항에 있어서, 상기 제어부는상기 광 감지 소자 및 상기 플로팅 디퓨전 사이의 전위 장벽의 높이가 상기 제1 전압이 상기 전달 트랜지스터의 게이트에 인가되는 경우보다 낮고, 완전 공핍 상태의 상기 광 감지소자의 전위보다 높도록 상기 제3 전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서
9 9
제8항에 있어서, 상기 제어부는상기 제1 전압을 출력하는 시간보다 상기 제2 전압을 출력하는 시간이 짧은 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서
10 10
제6항에 있어서,상기 CMOS 이미지 센서는 상기 플로팅 디퓨전과 전원전압에 연결된 리셋 트랜지스터를 더 구비하고,상기 제어부는 상기 광 감지소자가 전하의 축적을 종료할 때 상기 리셋 트랜지스터를 턴 오프시키고, 시작할 때 상기 리셋 트랜지스터를 턴 온시키도록 상기 리셋 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서
11 11
제10항에 있어서, 상기 CMOS 이미지 센서는상기 플로팅 디퓨전의 전위에 응답하여 전압을 출력하는 소스-팔로워 트랜지스터; 및 상기 소스-팔로워 트랜지스터 및 출력 라인과 연결되는 선택 트랜지스터;를 더 구비하고,상기 제어부는 상기 플로팅 디퓨전의 리셋 전위 및 전하가 전달된 상태의 전위에 대응하는 상기 소스-팔로워 트랜지스터의 출력 전압들을 각각 상기 출력 라인으로 전달하도록 상기 선택 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.