맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

아연－안티몬계 페이스트 합성법과 페이스트를 이용한 ｐ형 열전물질의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015116627
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 후막 열전소자 제작시 스크린 프린팅(Screen Printing) 기법을 사용 할 경우 프린팅에 필요한 p형 열전물질인 아연-안티몬(ZnxSb1-x) 계열의 페이스트(Paste) 합성 및 후공정(열처리)에 대한 방법이다. 본 발명에는 p형 열전물질인 아연-안티몬(ZnxSb1-x) 계열의 페이스트(Paste) 합성을 위해 Zn/Sb 파우더, 바인더(Binder), 글래스 파우더(Glass Powder), 용제(Solvent)가 필요하다. 또한 페이스트 합성 후 아연-안티몬(ZnxSb1-x)본래의 우수한 전기적/열적 특성을 만들어 주기 위해 열처리 과정이 요구 되는데, 이 과정에서 전기적/열적 특성을 방해하는 바인더(Binder), 용제(Solvent)는 증발되어 기공이 많은 후막을 형성하는 역할을 하며, 글래스 파우더(Glass Powder)는 기판과의 접착력(Adhesion)을 우수하게 하는 역할을 할 수 있다.
Int. CL H01L 35/34 (2006.01) H01L 35/12 (2006.01)
CPC H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01)
출원번호/일자 1020130133918 (2013.11.06)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1471365-0000 (2014.12.04)
공개번호/일자 10-2013-0141408 (2013.12.26) 문서열기
공고번호/일자 (20141210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2011-0101866 (2011.10.06)
관련 출원번호 1020110101866
심사청구여부/일자 Y (2013.11.06)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조병진 대한민국 대전광역시 유성구
2 위주형 대한민국 대전 유성구
3 김선진 대한민국 대전 유성구
4 김경수 대한민국 충남 천안시 서북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2013.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-1010386-52
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0087294-90
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0328274-72
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0405479-64
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0405480-11
6 등록결정서
Decision to grant		 2014.09.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0611833-03
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
ZnSb 파우더, 용제(Solvent), 바인더(Binder), 및 글래스 파우더(Glass Powder)를 혼합하여 아연-안티몬계 페이스트를 합성하는 단계;기판 상에 상기 아연-안티몬계 페이스트를 프린팅하는 단계;상기 아연-안티몬계 페이스트가 프린팅된 상기 기판에서 상기 용제(Solvent)를 증발시키기 위하여 상기 기판을 건조하는 단계; 및건조된 상기 기판에서 상기 바인더(Binder)를 증발시키고 아연-안티몬계 화합물형성을 위하여, 상기 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연-안티몬계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기판을 건조하는 단계 및 상기 기판을 열처리하는 단계를 거치면서 상기 용제(Solvent)와 상기 바인더(Binder)의 증발에 의해 상기 프린팅된 아연-안티몬계 페이스트에 기공들이 유발되는 것을 특징으로 하는 아연-안티몬계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 글래스 파우더(Glass Powder)는 Bi2O3 60~90 wt%, ZnO 10~20 wt%, 및 B2O3 5 ~15 wt%로 이루어지는 Glass Frit을 포함하는 것을 특징으로 하는 아연-안티몬계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 Glass Frit은 Al2O3, SiO2, CeO2, Li2O, Na2O 및 K2O로 이루어지는 군으로부터 선택되는 3개 이상의 산화물을 1~20 wt% 포함하는 것을 특징으로 하는 아연-안티몬계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 열처리하는 단계는,진공에서 이루어지는 100~500℃ 범위에서의 제1 열처리 과정, 비활성 가스 분위기에서 이루어지는 100~500℃ 범위에서의 제2 열처리 과정, 및 비활성 가스 분위기에서 이루어지는 200~700℃ 범위에서의 제3 열처리 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 아연-안티몬계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 비활성 가스는 N2를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연-안티몬계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 건조하는 단계는,100~200℃ 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 아연-안티몬계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 열처리 후에 진공 또는 비활성 가스 분위기에서 냉각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 아연-안티몬계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 비활성 가스는 N2를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연-안티몬계 페이스트를 이용한 열전물질의 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020130037457 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술원 첨단융합기술개발사업 mW급 플랙시블 열전소자 기반 기술에 관한 연구