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투명기판 상에 금속 메쉬층 및 은 나노와이어 층을 포함하며,상기 투명기판은 플라스틱 필름이고,상기 금속 메쉬층의 선폭은 3 ㎛ 내지 4 ㎛이고,상기 금속 메쉬층의 간격은 600 ㎛ 내지 1500 ㎛인 것을 특징으로 하는 하이브리드 투명전극
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제 1 항에 있어서,상기 금속 메쉬층은 금, 은, 구리, 알루미늄, 티탄, 크롬, 철, 코발트, 니켈, 아연, 주석, 이리듐, 인듐, 텅스텐, 몰리브덴, 백금, 이리듐, 하프늄, 니오브, 탄탈, 텅스텐 및 마그네슘으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 하이브리드 투명전극
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제 1 항에 있어서,상기 금속 메쉬층의 두께는 200 nm 내지 500 nm인 것을 특징으로 하는 하이브리드 투명전극
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투명 기판 상에 금속 메쉬층을 형성하는 단계(단계 1); 및상기 투명 기판 상에 형성된 금속 메쉬층에 은 나노와이어 층을 형성하는 단계(단계 2);를 포함하며,상기 단계 1의 투명 기판은 플라스틱 필름이고,상기 단계 1의 금속 메쉬층은, 금속 유기 잉크층을 투명 기판상에 반고상 형태로 형성한 후, 레이저를 직접 조사하는 레이저 패터닝 공정을 통해 형성되고, 금속 메쉬층의 선폭은 3 ㎛ 내지 4 ㎛이고, 간격은 600 ㎛ 내지 1500 ㎛인 것을 특징으로 하는 하이브리드 투명전극의 제조방법
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투명 기판 상에 은 나노와이어 층을 형성하는 단계(단계 1); 및상기 투명 기판 상에 형성된 은 나노와이어 층에 금속 메쉬층을 형성하는 단계(단계 2);를 포함하며,상기 단계 1의 투명 기판은 플라스틱 필름이고,상기 단계 2의 금속 메쉬층은 금속 유기 잉크층을 은 나노와이어 층 상에 반고상 형태로 형성한 후, 레이저를 직접 조사하는 레이저 패터닝 공정을 통해 형성되고, 금속 메쉬층의 선폭은 3 ㎛ 내지 4 ㎛이고, 간격은 600 ㎛ 내지 1500 ㎛인 것을 특징으로 하는 하이브리드 투명전극의 제조방법
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제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 금속 메쉬층의 두께는 200 nm 내지 500 nm인 것을 특징으로 하는 하이브리드 투명전극의 제조방법
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제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 은 나노와이어 층은 스핀코팅(spin coating), 스프레이(spray), 딥 코팅(dip coationg) 및 롤투롤 코팅(roll-to-roll coating)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 투명전극의 제조방법
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제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 은 나노와이어 층이 스핀코팅으로 형성되는 경우 회전속도는 500 rpm 내지 4000 rpm인 것을 특징으로 하는 하이브리드 투명전극의 제조방법
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제 1 항의 하이브리드 투명전극을 포함하는 전자 디바이스
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