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미세구리배선의 제조 방법 및 이를 이용한 트랜지스터제조방법

  • 기술번호 : KST2015118503
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판상부에 구리 나노입자를 포함하는 코팅층을 형성하는 단계, 레이저를 코팅층에 조사하는 단계, 잔류 코팅층을 제거하는 단계를 포함하고, 상기 구리 나노입자는, 90%이상의 구리를 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 레이저를 코팅층에 조사하는 단계는, 레이저 스캐닝 속도가 1 ~ 3000mm/s의 속도로 스캐닝하는 것을 특징으로 하는 구리 배선의 제조 방법.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/76898(2013.01) H01L 21/76898(2013.01) H01L 21/76898(2013.01) H01L 21/76898(2013.01) H01L 21/76898(2013.01)
출원번호/일자 1020130156330 (2013.12.16)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1554563-0000 (2015.09.15)
공개번호/일자 10-2015-0069788 (2015.06.24) 문서열기
공고번호/일자 (20150921) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.16)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양민양 대한민국 대전 유성구
2 박정환 대한민국 대구 수성구
3 손석우 대한민국 전남 화순군
4 이후승 대한민국 대전 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-1148634-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.09.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0078439-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0076137-17
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0324868-23
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2015-0430689-66
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.05.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0430690-13
11 등록결정서
Decision to grant		 2015.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0600060-04
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 구리 나노입자를 포함하는 용액을 코팅하는 단계; 및코팅된 상기 용액에 레이저를 조사하여 구리 나노입자를 소결하는 단계를 포함하며,상기 레이저의 파장 영역은 적외선, 가시광선 및 자외선으로 이루어지는 군에서 어느 하나이며,레이저 스캐닝 속도는 1 ~ 3000mm/s인 것을 특징으로 하는 미세 구리배선의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 레이저 조사 이후,상기 레이저 조사에 의한 구리 나노입자의 소결이 이루어지지 않은 코팅층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 구리 배선의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,상기 구리 나노입자는,90%이상의 구리를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 구리배선의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서,상기 레이저의 파장 영역이 적외선인 경우 상기 레이저 스캐닝 속도는 10 ~ 2500mm/s인 것을 특징으로 하는 미세 구리 배선의 제조 방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 레이저는,스팟빔 레이저, 라인빔 레이저 및 면 광원으로 이루어지는 군에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 미세 구리배선의 제조 방법
8 8
제 1항에 있어서,상기 레이저 조사 이전에, 소정의 형상으로 패턴된 마스크를 상기 기판상에 정렬하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 구리배선의 제조 방법
9 9
게이트전극층을 포함하는 기판상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상부에 구리 나노입자를 포함하는 용액을 코팅하는 단계;코팅된 상기 용액에 레이저를 조사하여 구리 나노입자를 소결시킴으로써, 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계; 및소스전극과 드레인전극 사이에 반도체 층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 레이저의 파장 영역은 적외선, 가시광선 및 자외선으로 이루어지는 군에서 어느 하나이며,레이저 스캐닝 속도가 1 ~ 3000mm/s인 것을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조 방법
10 10
제 9항의 방법으로 제조된 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.