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마이크로웨이브를 이용한 화학기상반응장치

  • 기술번호 : KST2015117610
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로웨이브를 이용한 화학기상반응장치에 관한 것으로서 보다 상세하게는 마그네트론(110), 제어장치(120) 및 전원공급장치(130)가 포함된 마이크로웨이브 발생기(100)와 도파관(210), 차단기(220), 정합기(230) 및 지시계(240)가 포함된 도파부(200)와 가열기(300) 및 가열기(300) 내부의 화학기상반응로(400)로 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 화학기상반응장치에 관한 것이다.본 발명은 플라즈마를 형성하지 않고 상압 또는 상압에 가까운 압력하에서 박막을 화학적 기상 반응으로 흡착할 수 있는 화학기상반응장치에 마이크로웨이브 발생기에서 생성된 마이크로웨이브를 도파관을 통하여 반응 챔버(chamber)로 주입하는 장치를 추가함으로서 상압 화학반응시 마이크로웨이브가 화학반응을 활성화시켜 반응온도를 낮출 수 있을 뿐만 아니라 화학반응이 기판표면에 일어나게 해주며, 기판 표면의 반응된 형성물의 이동도를 높여줌으로서 스텝 커버리지(step-coverage) 및 막질 특성을 향상시키는 것을 목적으로 한다. 즉 기존에 화학기상반응 장치에 가열기에서 기판을 가열시켜주는 방법에서 마이크로웨이브에 의해서 화학반응을 활성화 시켜줌으로써 기판가열을 최소화 할 수 있는 장점과 막질내에 기타불순물 (수소, 탄소)을 최소화 할 수 있는 장점도 지니고 있다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC C23C 16/511(2013.01) C23C 16/511(2013.01) C23C 16/511(2013.01)
출원번호/일자 1020000065260 (2000.11.03)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0381915-0000 (2003.04.14)
공개번호/일자 10-2002-0034754 (2002.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20030426) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.11.03)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안병태 대한민국 대전광역시유성구
2 박종호 대한민국 대전광역시유성구
3 안진형 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2000-0232132-30
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0193999-53
3 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2002.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2002-5191760-05
4 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.07.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0247337-13
5 의견서
Written Opinion		 2002.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2002-0247336-67
6 등록결정서
Decision to grant		 2003.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0014778-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

화학기상방법에 의하여 시편의 표면에 피흡착물질을 흡착시켜 피흡착물질을 박막화시키는 화학기상반응장치에 있어서, 마이크로 웨이브를 발생시키는 마이크로웨이브발생기(100)와, 마이크로웨이브발생기(100)로부터 발생된 마이크로 웨이브를 효율적으로 가열기(300)의 화학기상반응로(400)에 전달하는 것으로 마이크로웨이브발생기(100)와 가열기(300) 사이를 연결하여 형성된 도파부(200)와, 시편을 수납하는 것으로 규소재질로 되고 통상의 화학기상반응로(400)가 내부에 수용되며 동시에 피흡착물질을 가열하여 기화시키어 화학기상반응로(400)내로 이송시키어 시편의 표면에 피흡착물질이 선택적으로 흡착하게 하는 수단이 구비된 가열기(300)로 구성된 것을 특징으로 마이크로웨이브를 이용한 화학기상반응장치

2 2

제 1항에 있어서, 마이크로웨이브 발생기(100)는 마그네트론(110), 제어장치(120) 및 전원공급장치(130)가 포함되는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 화학기상반응장치
3 3

제 1항에 있어서, 도파부(200)는 도파관(210), 차단기(220), 정합기(230) 및 지시계(240)가 포함되는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 화학기상반응장치
4 4

제 1항에 있어서, 가열기(300) 내부가 정상파가 형성되는 단일모드(single mode)인 경우 교반기(310)를 설치하지 않고, 가열기(300) 내부에 다수의 공명파가 형성되는 다중모드(multi mode)인 경우 교반기(310)를 설치하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 화학기상반응장치
5 5

삭제
6 6

제 1항에 있어서, 가열기(300) 내부의 화학기상반응로(400) 중심 상부에 원통형 모양의 다수의 샤워헤드(430)를 구비하여 반응가스가 밸브(460), MFC(450) 및 혼합기(420)를 통해 화학기상반응로(400) 내부로 혼입되어 시편에 화학기상흡착반응이 고루 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 화학기상반응장치
7 7

제 1항에 있어서, 가열기(300) 내부의 화학기상반응로(400)의 시편하부에는 히터(410)와 같은 가열장치가 연결되는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 화학기상반응장치
8 8

제 1항에 있어서, 가열기(300) 내부의 화학기상반응로(400) 일측에 진공펌프(470)가 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 화학기상반응장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.