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ＣＭＯＳ 이미지센서의 단위화소

기술번호 : KST2015117626
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 CMOS 이미지센서에 관한 것으로서, CMOS 이미지센서에서 빛이 입사되는 표면에 가까이 형성되는 P-N접합부와 그 하단의 P-N접합부를 갖는 PNP접합 구조의 포토다이오드가 동시에 작용되도록 하여 표면부 근처에서 흡수율이 높은 청색계열 파장 및 하단부에서 흡수율이 높은 적색계열 파장에 대해 모두 반응할 수 있도록 할 뿐만 아니라 표면부의 P-N접합 포토다이오드의 캐패시턴스를 상쇄시켜 수집된 광전하가 전압으로 변환되는 비율을 증가시킴으로서 높은 신호대 잡음비를 갖도록 함으로써 표준 CMOS공정의 수정 없이 이미지센서 소자의 효율 및 변환이득을 증가시켜 높은 감도를 갖도록 한 이점이 있다. 이미지센서, 영상센서, CMOS, 단위화소, 포토다이오드, 감도
Int. CL	H01L 27/146 (2006.01)
CPC	H01L 27/14609(2013.01)
출원번호/일자	1020020019983 (2002.04.12)
출원인	한국과학기술원
등록번호/일자	10-0456067-0000 (2004.10.28)
공개번호/일자	10-2003-0081650 (2003.10.22) 문서열기
공고번호/일자	(20041108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2002.04.12)
심사청구항수	6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이광현	대한민국	서울특별시강동구
2	윤의식	대한민국	대전광역시유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	허진석	대한민국	서울특별시 강남구 강남대로*, ,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술원	대한민국	대전 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2002.04.12	수리 (Accepted)	1-1-2002-0109419-55
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2004.01.14	수리 (Accepted)	4-1-2004-0001933-29
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2004.01.19	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2004.02.13	수리 (Accepted)	9-1-2004-0008413-13
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2004.02.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0070125-50
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2004.03.19	수리 (Accepted)	4-1-2004-0012166-74
7	의견서 Written Opinion	2004.04.12	수리 (Accepted)	1-1-2004-0148742-15
8	명세서 등 보정서 Amendment to Description, etc.	2004.04.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2004-0148743-61
9	등록결정서 Decision to grant	2004.10.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0441491-47
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.02.01	수리 (Accepted)	4-1-2013-5019983-17
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157993-01
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5158129-58
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157968-69
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제 1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 상에 수평적으로 떨어지게 형성되어 전기적으로 격리시키기 위한 제 1내지 제 3소자분리막과, 상기 제 1소자분리막과 상기 제 2소자분리막 사이의 상기 반도체 기판 표면 하부에 형성된 제 1도전형의 제 1확산층과, 상기 제 2소자분리막과 상기 제 3소자분리막 사이의 상기 반도체 기판 표면 하부에 형성된 제 2도전형의 제 2확산층과, 상기 제 3소자분리막 외측의 상기 반도체 기판 표면 하부에 형성되어 제 1전압을 인가받는 제 1도전형의 제 3확산층과, 상기 제 1내지 제 2확산층 하부의 상기 반도체 기판 내부에 형성된 제 2도전형의 제 4확산층과, 상기 제 2확산층에 제 2전압이 인가되는 것을 단속하기 위한 스위치와, 상기 제 2확산층과 연결되어 전기신호를 증폭하여 출력하는 증폭기와, 상기 증폭기의 출력단과 제 1확산층 사이에 매개된 전압원 으로 이루어진 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서의 단위화소
2	2 제 1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 상에 수평적으로 떨어지게 형성되어 전기적으로 격리시키기 위한 제 1내지 제 3소자분리막과, 상기 제 1소자분리막과 상기 제 2소자분리막 사이의 상기 반도체 기판 표면 하부에 형성된 제 1도전형의 제 1확산층과, 상기 제 2소자분리막과 상기 제 3소자분리막 사이의 상기 반도체 기판 표면 하부에 형성된 제 2도전형의 제 2확산층과, 상기 제 3소자분리막 외측의 상기 반도체 기판 표면 하부에 형성되어 제 1전압을 인가받는 제 1도전형의 제 3확산층과, 상기 제 1내지 제 2확산층 하부의 상기 반도체 기판 내부에 형성된 제 2도전형의 제 4확산층과, 전원전압과 접지사이에 직렬로 연결하여 공통 드레인 증폭단으로 구성되어 출력값이 제 1확산층에 연결된 제 1NMOS트랜지스터 및 제 2NMOS트랜지스터와, 드레인이 전원전압과 연결되고 소오스가 상기 제 2확산층과 상기 제 1NMOS트랜지스터의 게이트에 연결되어 스위치단속신호에 의해 온오프되는 제 3NMOS트랜지스터 로 이루어진 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서의 단위화소
3	3 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제 1확산층은 반도체 기판 보다 높은 도펀트 농도를 가지는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서의 단위화소
4	4 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제 1도전형과 제 2도전형은 서로 상보적인 P형 또는 N형인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서의 단위화소
5	5 제 1항에 있어서, 상기 전압원은 상기 제 2전압보다 일정수준 낮은 전압을 제공하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서의 단위화소
6	6 제 1항에 있어서, 상기 전압원은 상기 제 1확산층의 전압과 상기 제 2확산층의 전압차를 일정하게 유지하기 위한 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지센서의 단위화소

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0456067-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20020412 출원 번호 : 1020020019983 공고 연월일 : 20041108 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20041025 청구범위의 항수 : 6 유별 : H01L 27/146 발명의 명칭 : ＣＭＯＳ 이미지센서의 단위화소 존속기간(예정)만료일 : 20111029

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국과학기술원 대전 유성구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	202,500 원	2004년 10월 29일	납입
제 4 년분	금 액	210,000 원	2007년 09월 28일	납입
제 5 년분	금 액	189,000 원	2008년 09월 30일	납입
제 6 년분	금 액	172,000 원	2009년 09월 29일	납입
제 7 년분	금 액	328,000 원	2010년 10월 01일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2002.04.12	수리 (Accepted)	1-1-2002-0109419-55
2	출원인정보변경(경정)신고서	2004.01.14	수리 (Accepted)	4-1-2004-0001933-29
3	선행기술조사의뢰서	2004.01.19	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2004.02.13	수리 (Accepted)	9-1-2004-0008413-13
5	의견제출통지서	2004.02.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0070125-50
6	출원인정보변경(경정)신고서	2004.03.19	수리 (Accepted)	4-1-2004-0012166-74
7	의견서	2004.04.12	수리 (Accepted)	1-1-2004-0148742-15
8	명세서 등 보정서	2004.04.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2004-0148743-61
9	등록결정서	2004.10.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0441491-47
10	출원인정보변경(경정)신고서	2013.02.01	수리 (Accepted)	4-1-2013-5019983-17
11	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157993-01
12	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5158129-58
13	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157968-69
14	출원인정보변경(경정)신고서	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
15	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
16	출원인정보변경(경정)신고서	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63

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