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금속 솔더와 카파필러(Cu pillar)가 구비된 3차원 TSV(Through Silicon Via) 반도체 적층용 또는 플립칩 기판 접속용 비전도성 폴리머 접착제에 있어서,베이스 필름 상단에 적층 형성되며, 전자패키징 접합 시 상기 금속 솔더의 산화물을 제거하는 플럭스 기능 물질을 발생시키거나, 플럭스 기능 물질을 포함하는 제1 접착제층; 및상기 제1 접착제층의 상단에 적층 형성되고, 상기 플럭스 기능 물질을 포함하지 않으며, 상기 제1 접착제층 보다 먼저 경화되는 것이 특징인 제2 접착제층;을 포함하는 이중층 비전도성 폴리머 접착필름
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청구항 1에 있어서,상기 플럭스 기능 물질은 전자쌍주개(루이스산)를 생성하는 무수화물로 이루어지며, 경화제 기능을 수행하는 이중층 비전도성 폴리머 접착필름
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청구항 2에 있어서,상기 무수화물은 화학식 (R1-CO)-O-(CO-R2)로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 이중층 비전도성 폴리머 접착필름
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청구항 1에 있어서,상기 플럭스 기능 물질은 열산발생제(TAG)를 포함하여 이루어지며, 경화를 촉진하는 기능을 수행하는 이중층 비전도성 폴리머 접착필름
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청구항 4에 있어서,상기 열산발생제(TAG)는 R1-SO3-R2 또는 R1-S(=O)2-O-R2의 화학식을 포함하는 화학물질로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 이중층 비전도성 폴리머 접착필름
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청구항 4에 있어서,상기 열산발생제(TAG)는 상기 제1 접착제층의 총 중량을 기준으로 1 내지 10 wt% 만큼 포함되는 이중층 비전도성 폴리머 접착필름
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청구항 1에 있어서,상기 제1 접착제층은 점도가 30 Pas 이상 5000 Pas 이하 사이의 값 중 하나인 이중층 비전도성 폴리머 접착필름
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청구항 1에 있어서,상기 제1 접착제층의 점도는 상기 제2 접착제층의 점도보다 낮은 이중층 비전도성 폴리머 접착필름
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청구항 1에 있어서,상기 제1 접착제층의 경화개시온도는 상기 제2 접착제층의 경화개시온도보다 높은 이중층 비전도성 폴리머 접착필름
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금속 솔더와 카파필러(Cu pillar)가 구비된 3차원 TSV(Through Silicon Via) 반도체 적층 또는 플립칩 기판 접속에 있어서, 전기 회로 또는 전극이 형성된 제1 전자소자와 제2 전자소자; 및상기 제1 전자소자와 상기 제2 전자소자의 사이에 형성된 공간에 채워진 비전도성 폴리머 접착층;을 포함하고,상기 비전도성 폴리머 접착층은,상기 제1 전자소자의 표면에 연접 형성되며, 전자패키징 접합 시 상기 금속 솔더의 산화물을 제거하는 플럭스 기능 물질을 발생시키거나, 플럭스 기능 물질을 포함하는 제1 접착제층; 및상기 제1 접착제층과 상기 제2 전자소자 사이에 형성되고, 상기 플럭스 기능 물질을 포함하지 않으며, 상기 제1 접착제층 보다 먼저 경화되는 것이 특징인 제2 접착제층;을 포함하여 이중층으로 이루어지는 전자패키지
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청구항 10에 있어서,상기 제2 접착제층은 상기 제2 전자소자의 표면으로부터 상기 카파필러의 하단 내지 상기 금속 솔더의 중간 부분 사이의 일 지점까지 덮이는 두께로 형성되는 전자패키지
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