맞춤기술찾기

이전대상기술

겔-형 전해질을 포함하는 염료감응 태양전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015115689
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 제 1 전극 및 상기 제 1 전극에 대향하여 배치되는 제 2 전극을 형성하는 단계; 유기 실란을 포함하는 액상 전해질을 합성하는 단계; 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 사이의 공간에 상기 액상 전해질을 주입하는 단계; 및 상기 액상 전해질을 가열함으로써, 상기 유기 실란들 간의 축합 반응에 의해 겔-형(gel-type) 전해질을 형성하는 단계를 포함하는, 염료감응 태양전지의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC H01G 9/2013(2013.01) H01G 9/2013(2013.01) H01G 9/2013(2013.01) H01G 9/2013(2013.01) H01G 9/2013(2013.01)
출원번호/일자 1020120020154 (2012.02.28)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1323723-0000 (2013.10.24)
공개번호/일자 10-2013-0098552 (2013.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (20131030) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.28)
심사청구항수 15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 배병수 대한민국 대전 유성구
2 배준영 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0161979-55
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0218990-54
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0483503-45
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.30 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2013-0483534-50
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.30 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2013-0483524-04
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0483557-00
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0483581-96
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0483694-46
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.30 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2013-0483549-34
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0483703-70
12 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2013.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0066142-34
13 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2013.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0074465-19
14 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2013.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0074038-26
15 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2013.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0090080-10
16 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2013.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0090422-21
17 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2013.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0095312-79
18 등록결정서
Decision to grant
2013.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0607143-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 전극 및 상기 제 1 전극에 대향하여 배치되는 제 2 전극을 형성하는 단계;유기 실란을 포함하는 액상 전해질을 합성하는 단계; 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 사이의 공간에 상기 액상 전해질을 주입하는 단계; 및상기 액상 전해질을 가열함으로써, 상기 유기 실란들 간의 축합 반응에 의해 유기 올리고실록산(oligosiloxane)을 포함하는 겔-형(gel-type) 전해질을 형성하는 단계를 포함하는, 염료감응 태양전지의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 액상 전해질은 상기 유기 실란 및 요오드계 산화-환원 종을 유기 용매 하에 혼합하여 합성되는 것인, 염료감응 태양전지의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 유기 실란은 유기 알콕시실란(organo alkoxysilane) 및 유기 실란디올(organo silanediol)을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지의 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 겔-형 전해질은 상기 유기 알콕시실란과 상기 유기 실란디올의 비가수 축합 반응에 의해 형성되는 것인, 염료감응 태양전지의 제조 방법
6 6
제 4 항에 있어서,상기 유기 알콕시실란은, 3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리프로폭시실란, 프로필에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리프로폭시실란, 페닐트리메톡시실란, N-(3-아크릴옥시-2-하이드록시프로필)-3-아미노프로필트리에톡시실란, N-(3-아크릴옥시-2-하이드록시프로필)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(3-아크릴옥시-2-하이드록시프로필)-3-아미노프로필트리프로폭시실란, 3-아크릴옥시프로필메틸비스(트리메톡시)실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리프로폭시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리프로폭시실란, N-(아미노에틸-3-아미노프로필)트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸-3-아미노프로필)트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 클로로프로필트리메톡시실란, 클로로프로필트리에톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리메톡시실란, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지의 제조 방법
7 7
제 4 항에 있어서,상기 유기 실란디올은 디페닐실란디올, 디이소부틸실란디올, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 축합 반응은 금속 촉매 하에 수행되는 것인, 염료감응 태양전지의 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 유기 실란은 열 경화 및/또는 자외선 경화 가능한 작용기를 포함하는 것인, 염료감응 태양전지의 제조 방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 액상 전해질은 상기 액상 전해질의 총 부피를 기준으로 상기 유기 실란을 1
11 11
제 3 항에 있어서,상기 요오드계 산화-환원 종은 아이오딘(I2), 요오드화이미다졸리움, 요오드화리튬, 요오드화나트륨, 요오드화칼륨, 요오드화마그네슘, 요오드화구리, 요오드화바륨, 요오드화칼슘, 요오드화알릴, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것으로부터 생성되는 것인, 염료감응 태양전지의 제조 방법
12 12
제 3 항에 있어서,상기 유기 용매는 3-메톡시프로피오니트릴, 아세토니트릴, 아세톤, 메틸에틸케톤, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트, 디메틸카보네이트, 에틸렌글리콜, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지의 제조 방법
13 13
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 광 감응 염료가 흡착된 반도체층을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지의 제조 방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 반도체층은 금속 산화물의 다공성 나노입자층을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지의 제조 방법
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 금속 산화물은 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga, In, TiSr, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 산화물을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지의 제조 방법
16 16
제 1 항 및 제 3 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되고, 유기 올리고실록산을 함유하는 겔-형 전해질을 포함하는 염료감응 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.