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대면적 고품질의 그래핀 성장을 위한 CVD 보조 장치

  • 기술번호 : KST2015118058
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 대면적 고품질의 그래핀 성장을 위한 CVD 보조 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 화학기상증착 장치의 석영 튜브 내에 구비되며, 두 개의 커버플레이트 사이가 실링부에 의해 밀폐되어 형성된 공간부 내부에 금속 박막이 증착된 기판이 구비되고, 실링부의 외주면 일정영역에 형성된 가스유입구 및 가스배출구를 통해 탄소 및 수소가스가 유동되도록 함으로써, 최소량의 가스를 정성적으로 제어할 수 있고, 고온에서 금속 박막의 증발이 방지되도록 하는 CVD 보조 장치에 관한 것이다.
Int. CL C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
CPC C23C 16/44(2013.01) C23C 16/44(2013.01) C23C 16/44(2013.01) C23C 16/44(2013.01) C23C 16/44(2013.01)
출원번호/일자 1020130055108 (2013.05.15)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1458045-0000 (2014.10.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.15)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유권재 대한민국 대전광역시 서구
2 안치원 대한민국 대전광역시 유성구
3 강일석 대한민국 대전광역시 서구
4 신영현 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0429931-17
2 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee		 2013.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0058788-75
3 직권정정안내서
Notification of Ex officio Correction		 2013.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0058789-10
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0829121-23
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.08.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2014-0072561-42
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0732876-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
화학기상증착 장치의 석영 튜브(2) 내에 구비되어 그래핀을 형성하기 위한 CVD 보조 장치(1)에 있어서,두께 방향으로 일정거리 이격이 조절되어 나란하게 구비되는 두 개의 커버플레이트(100);상기 커버플레이트(100)의 사이공간에 구비되어 내부에 공간부를 형성하는 실링부(200);상기 공간부 내부에 구비되며, 금속 박막이 증착된 기판(300);상기 실링부(200)의 외주면 일정영역이 중공되어 가스가 유입되는 가스유입구(410); 및상기 실링부(200)의 외주면 일정영역이 중공되어 가스가 배출되는 가스배출구(420); 를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 CVD 보조 장치
2 2
제 1항에 있어서,상기 CVD 보조 장치(1)는열 화학기상증착법에 적용되는 화학기상증착 장치의 석영 튜브(2) 내에 구비되는 것을 특징으로 하는 CVD 보조 장치
3 3
제 1항에 있어서,상기 커버플레이트(100)는고온에서 견딜 수 있도록 석영 또는 촉매금속이 증착된 석영으로 제작되는 것을 특징으로 하는 CVD 보조 장치
4 4
제 1항에 있어서,상기 실링부(200)는촉매금속 재질의 가스켓인 것을 특징으로 하는 CVD 보조 장치
5 5
제 1항에 있어서,상기 가스유입구(410) 및 가스배출구(420)는상기 석영 튜브(2)의 가스 유입 및 배출 방향과 대응되도록 형성되며, 적어도 하나 이상 형성되는 것을 특징으로 하는 CVD 보조 장치
6 6
제 1항에 있어서,상기 CVD 보조 장치(1)는상기 커버플레이트(100)의 가장자리에 구비되어 위치를 고정하는 지지부(500)를 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 CVD 보조 장치
7 7
제 1항에 있어서,상기 CVD 보조 장치(1)는상기 석영 튜브(2)의 크기 및 기판(300)의 크기에 따라 상기 커버플레이트(100) 및 실링부(200)의 크기가 다르게 제작될 수 있는 것을 특징으로 하는 CVD 보조 장치
8 8
제 1항에 있어서,상기 CVD 보조 장치(1)는상기 석영 튜브(2) 내에서 복수개의 그래핀 시트가 성장되도록두께 방향으로 복수개 적층되는 것을 특징으로 하는 CVD 보조 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 나노종합기술원 원천기술개발사업(대) 글로벌 프론티어 사업(중) 나노기반 소프트 일렉트로닉스(소) 하이브리드 리소그래피를 이용한 소프트 2차원 면소재 상에 나노구조 제작 및 관찰