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규화금속 나노와이어의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015118660
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 조성을 포함한 상(phase)을 제어할 수 있는 규화금속 나노와이어의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 제조방법은 단결정체의 규화금속 나노와이어(I)를 산화 분위기에서 어닐링(annealing)하여 상기 나노와이어(I) 표면에 산화규소층을 형성한 후, 상기 산화규소층을 제거하여 단결정체의 금속-리치(metal-rich)한 규화금속 나노와이어어(II)를 제조하는 특징이 있다.규화금속, 나노와이어, 조성, 상, 산화규소, 준안정
Int. CL B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01)
출원번호/일자 1020090082389 (2009.09.02)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1116697-0000 (2012.02.08)
공개번호/일자 10-2011-0024402 (2011.03.09) 문서열기
공고번호/일자 (20120222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.02)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김봉수 대한민국 대전광역시 유성구
2 서관용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0540535-49
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0270207-73
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0545801-10
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0545778-46
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0067400-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단결정체의 규화금속 나노와이어(I)를 산화 분위기에서 어닐링(annealing)하여 상기 나노와이어(I) 표면에 산화규소층을 형성한 후, 상기 산화규소층을 제거하여 금속-리치(metal-rich)한 단결정체의 규화금속 나노와이어어(II)를 제조하는 규화금속 나노와이어의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제조방법은 a) 기상이송법(vapor-phase transport process)을 이용하여 단결정체의 규화금속 나노와이어(I)를 합성하는 단계;b) 합성된 상기 규화금속 나노와이어(I)를 산소 분위기에서 어닐링(annealing)하여 상기 규화금속 나노와이어(I)의 표면에 산화규소층을 형성하는 단계; 및c) 습식에칭(wet etching)으로 상기 산화규소층을 제거하여 상기 규화금속 나노와이어(I)보다 금속/규소의 비가 높은 금속-리치(metal-rich)한 단결정체의 규화금속 나노와이어(II)를 제조하는 단계;를 포함하는 규화금속 나노와이어의 제조방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 규화금속 나노와이어(II)의 금속/규소의 비는 상기 산화규소층의 두께에 의해 제어되는 규화금속 나노와이어의 제조방법
4 4
제 2항에 있어서,상기 c) 단계의 규화금속 나노와이어(II)는 열역학적으로 준안정(metastable)하거나 불안정(unstable)한 조성을 갖는 금속간 화합물(intermetallic compound) 또는 고용체(solid solution)인 것을 특징으로 하는 규화금속 나노와이어의 제조방법
5 5
제 2항에 있어서,상기 a) 단계의 규화금속 나노와이어(I)는 전이금속에서 하나 이상 선택된 금속을 함유하는 규화금속 나노와이어의 제조방법
6 6
제 4항에 있어서,상기 b) 단계의 어닐링 온도는 750 내지 950℃인 규화금속 나노와이어의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 b) 단계의 어닐링은 10 내지 30 부피%의 산소를 함유한 산소 함유 불활성 기체가 50 내지 500sccm 흐르는 조건에서 수행된 것을 특징으로 하는 규화금속 나노와이어의 제조방법
8 8
제 6항에 있어서,상기 b) 단계의 산화규소층의 두께는 하기의 관계식 1을 만족하는 규화금속 나노와이어의 제조방법
9 9
제 2항에 있어서,상기 b) 단계 후, 산화규소층이 형성된 규화금속 나노와이어를 불활성 분위기에서 열처리하는 2차 어닐링 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 규화금속 나노와이어의 제조방법
10 10
삭제
11 11
제 1항 내지 제 9항에서 선택된 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 Fe3Si 단결정체인 규화금속 나노와이어
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 / 교육과학기술부 KAIST 화학과 첨단 나노선 연구실 / KAIST 화학과 첨단 나노선 연구실 국가지정연구실 사업(NRL) / 21세기 프론티어 연구개발 사업 나노-스핀트로닉스 응용을 위한 자성반도체,자성금속 나노선의 개발 / 단결정 금속1차원 나노구조를 이용한 신형 전자기 소재 개발