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트윈-프리 단결정 은 나노와이어의 제조방법 및 트윈-프리 단결정 은 나노와이어

  • 기술번호 : KST2015113447
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판에 대해 수평 방향성을 갖는 Ag 나노와이어 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 Ag 나노와이어는 트윈을 포함한 2차원 면결함이 없는 트윈 프리(twin free) 단결정체이고, 각진 형상(faceted shape)의 Ag 나노와이어이며, 111 면족에 속하는 2개의 면을 나노와이어의 장축 표면으로 가지고, 001 면족에 속하는 1개의 면이 단결정 기판과 장축 방향으로 계면(interface)을 형성하여 상기 기판과 나노와이어의 장축이 평행한 방향성을 갖는 특징이 있으며, 본 발명에 따른 Ag 나노와이어의 제조방법은 선구물질인 Ag를 열 기화시키고 기화된 Ag가 불활성 기체에 의해 단결정 기판으로 이송되어, 상기 단결정 기판 상에 상기 기판과 에피텍샬 관계(epitaxial relation)를 가지고 001 및 111 면족으로 이루어진 각진 형상(faceted shape)의 Ag 시드가 형성되고, 상기 Ag 시드로부터 나노와이어의 장축이 상기 단결정 기판 표면과 평행하며 트윈을 포함한 2차원 면결함이 없는 단결정체인 Ag 나노와이어가 제조되는 특징이 있다. Ag, 나노와이어, 기상이송법, 선구물질, 에피텍샬, 핵, 방향성
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B22F 9/28(2013.01) B22F 9/28(2013.01) B22F 9/28(2013.01) B22F 9/28(2013.01) B22F 9/28(2013.01) B22F 9/28(2013.01)
출원번호/일자 1020090054414 (2009.06.18)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0136185 (2010.12.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 포기
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.18)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김봉수 대한민국 대전 유성구
2 한솔 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.18 포기 (Abandonment) 1-1-2009-0369590-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.12.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0003710-49
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0152885-63
5 [특허 등 절차 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Procedure such as Patent, etc.] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2011.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0372356-80
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
선구물질인 Ag를 열 기화시키고 기화된 Ag가 불활성 기체에 의해 단결정 기판으로 이송되어, 상기 단결정 기판 상에 상기 기판과 에피텍샬 관계(epitaxial relation)를 가지고 {001} 및 {111} 면족으로 이루어진 각진 형상(faceted shape)의 Ag 시드가 형성되고, 상기 Ag 시드로부터 나노와이어의 장축이 상기 단결정 기판 표면과 평행하며 트윈을 포함한 2차원 면결함이 없는 단결정체인 Ag 나노와이어가 제조되는 것을 특징으로 하는 Ag 나노와이어의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 선구물질은 반응로 전단부에 위치하고, 상기 단결정 기판은 반응로 후단부에 위치하며, 일정한 압력하에 상기 반응로 전단부에서 상기 반응로 후단부로 상기 불활성 기체가 흘러 상기 Ag 시드 및 상기 Ag 나노와이어가 제조되며, 상기 선구물질은 780 내지 800℃로 유지되고, 상기 단결정 기판은 650 내지 700℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 Ag 나노와이어의 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 불활성 기체는 상기 반응로 전단부에서 상기 반응로 후단부로 90 내지 110 sccm 흐르는 것을 특징으로 하는 Ag 나노와이어의 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 압력은 5 내지 7 torr 인 것을 특징으로 하는 Ag 나노와이어의 제조방법
5 5
제 2항에 있어서, 상기 각진 형상의 Ag 시드는 {111}면족에 속하는 4개의 면 및 {001}면족에 속하는 1개의 면으로 이루어진 5면체인 것을 특징으로 하는 Ag 나노와이어의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 Ag 나노와이어의 장축은 003c#110003e# 방향인 것을 특징으로 하는 Ag 나노와이어의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 Ag 나노와이어는 적어도 {111} 면족에 속하는 2개의 면을 장축 표면으로 가지며, {001} 면족에 속하는 1개의 면이 상기 기판과 장축 방향 계면(interface)을 형성하여 상기 기판과 평행한 방향성을 갖는 나노와이어가 제조되는 것을 특징으로 하는 Ag 나노와이어의 제조방법
8 8
제 5항에 있어서, 상기 기판은 Ag {001}면과 에피텍샬 관계를 갖는 부도체 또는 반도체 단결정 기판인 것을 특징으로 하는 Ag 나노와이어의 제조방법
9 9
제 2항에 있어서, 상기 기판은 (100)면의 SrTiO3 단결정인 것을 특징으로 하는 Ag 나노와이어의 제조방법
10 10
트윈을 포함한 2차원 면결함이 없는 트윈 프리(twin free) 단결정체이고, 각진 형상(faceted shape)의 Ag 나노와이어이며, {111} 면족에 속하는 2개의 면을 나노와이어의 장축 표면으로 가지고, {001} 면족에 속하는 1개의 면이 단결정 기판과 장축 방향으로 계면(interface)을 형성하여 상기 기판과 나노와이어의 장축이 평행한 방향성을 가지는 것을 특징으로 하는 Ag 나노와이어
11 11
제 10항에 있어서, 상기 Ag 나노와이어의 장축은 003c#110003e# 방향인 것을 특징으로 하는 Ag 나노와이어
12 12
제 10항에 있어서, 상기 Ag 나노와이어의 단축 단면은 삼각형상인 것을 특징으로 하는 Ag 나노와이어
13 13
제 10항에 있어서, 상기 기판은 (100)면의 SrTiO3 단결정인 것을 특징으로 하는 Ag 나노와이어
14 14
제 13항에 있어서, 상기 기판과 나노와이어의 장축이 평행한 방향성을 갖는 둘 이상의 Ag 나노와이어는 Ag 나노와이어의 장축 방향이 서로 직교하는 것을 특징으로 하는 Ag 나노와이어
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1 JP22255093 JP 일본 FAMILY
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1 JP2010255093 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2010272951 US 미국 DOCDBFAMILY
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1 한국과학재단 한국과학재단 나노원천기술개발사업 플라즈모닉 구조 기반 복합형 광 소자 개발