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초소수성 표면체 및 개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 초소수성 표면체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015118726
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기계적 강도 및 화학적 강도가 향상된 초소수성 표면체 및 개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 초소수성 표면체의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판위에 가교제를 증착시켜 기계적 또는 화학적 강도를 향상시킨 개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 초소수성 표면체 및 초소수성 표면체의 제조방법에 관한 것이다.상기 개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 초소수성 표면체의 제조방법은 (a) 기판의 상면에 가교제를 증착시키는 단계; (b) 상기 기판의 상면에 증착되어 있는 가교제 위에 초소수성 단량체를 증착시키는 단계; (c) 기판의 하면에 가교제를 증착시키는 단계; 및 (d) 상기 기판의 하면에 증착되어 있는 가교제 위에 초소수성 단량체를 증착시켜 초소수성 표면체를 제조하는 단계를 포함한다.본 발명에 따른 초소수성 표면체는 기계적 강도 및 화학적 강도가 우수하여, 물로부터 오일의 분리, 에너지 전환, 전자장비의 보호, 바이오의학 분야에서 세포 기질 접합 조절, 미세유체장치에서 유체저항의 감소 등의 용도로 다양하게 이용될 수 있다.
Int. CL C23C 16/22 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
CPC C23C 16/44(2013.01) C23C 16/44(2013.01) C23C 16/44(2013.01) C23C 16/44(2013.01) C23C 16/44(2013.01)
출원번호/일자 1020130023867 (2013.03.06)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0103392 (2013.09.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020120024478   |   2012.03.09
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020150100593;
심사청구여부/일자 Y (2013.03.06)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임성갑 대한민국 대전광역시 유성구
2 유영민 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이처영 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-0196400-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0067455-93
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0749500-51
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.12.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1189855-40
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-1189854-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0285458-15
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.05.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0493664-35
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0493663-90
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0426050-10
14 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2015.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0686394-84
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다음의 단계를 포함하는 개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 초소수성 표면체의 제조방법:(a) 기판의 양쪽면에 가교제를 증착시키는 단계; 및(b) 상기 가교제가 증착되어 있는 기판의 양쪽면에 초소수성 단량체를 증착시켜 초소수성 표면체를 제조하는 단계
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 유리, 금속, 금속산화물, 목재, 종이, 섬유, 플라스틱, 고무, 피혁 및 실리콘 웨이퍼로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 가교제는 비닐기(vinyl group)를 2개 이상 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 비닐기(vinyl group)를 2개 이상 포함하는 화합물은 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산, 1,3,5-트리메틸-1,3,5-트리비닐시클로트리실록산, 디비닐벤젠, 디에틸렌글리콜디비닐에테르, 디에틸렌글리콜이아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트 및 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸-디실록산으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 초소수성 단량체는 비닐기 및 불소를 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 비닐기 및 불소를 포함하는 화합물은 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실 아크릴레이트, 퍼플루오로데실 메타크릴레이트, 도데카플루오로헵틸 아크릴레이트, 펜타플루오로페닐 메타크릴레이트, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,9-펜타데카플루오로노닐 에스테르, 2-메틸- 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,9-펜타데카플루오로노닐 에스테르, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-트리데카플루오로옥틸 에스테르, 2-메틸- 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-트리데카플루오로옥틸 에스테르, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,7-운데카플루오로헵틸 에스테르, 2-메틸- 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,7-운데카플루오로헵틸 에스테르, 3,3,4,4,5,5,6,6,6-노나플루오로헥실 에스테르, 2-메틸-3,3,4,4,5,5,6,6,6-노나플로오로헥실 에스테르, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-노나데카플루오로운데실 에스테르, 2-메틸- 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-노나데카플루오로운데실 에스테르, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-헤네이코사플루오로도데실 에스테르, 2-메틸- 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-헤네이코사플루오로도데실 에스테르, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,13,13,13-트리코사플루오로트리데실 에스테르, 2-메틸- 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,13,13,13-트리코사플루오로트리데실 에스테르, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,13,13,14,14,14-펜타코사플루오로테트라데실 에스테르, 및 2-메틸- 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,13,13,14,14,14-펜타코사플루오로테트라데실 에스테르로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 (a) 단계의 증착은 상기 기판의 온도를 25~45℃, 반응기내 챔버의 압력을 150~250mTorr로 유지하면서 10~60분동안 수행하는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 증착은 상기 기판의 온도를 25~45℃, 반응기내 챔버의 압력을 50~200mTorr로 유지하면서 5~60분동안 수행하는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체의 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 (a) 단계 또는 상기 (b) 단계의 증착은 상기 기판의 온도를 25~35℃로 유지하면서 수행하는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체의 제조방법
10 10
다음의 단계를 포함하는 개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 초소수성 표면체의 제조방법:(a) 기판의 상면에 가교제를 증착시키는 단계; (b) 상기 기판의 상면에 증착되어 있는 가교제 위에 초소수성 단량체를 증착시키는 단계;(c) 기판의 하면에 가교제를 증착시키는 단계; 및(d) 상기 기판의 하면에 증착되어 있는 가교제 위에 초소수성 단량체를 증착시켜 초소수성 표면체를 제조하는 단계
11 11
제10항에 있어서, 상기 기판은 유리, 금속, 금속산화물, 목재, 종이, 섬유, 플라스틱, 고무, 피혁 및 실리콘 웨이퍼로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체의 제조방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 가교제는 비닐기(vinyl group)를 2개 이상 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체의 제조방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 비닐기(vinyl group)를 2개 이상 포함하는 화합물은 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산, 1,3,5-트리메틸-1,3,5-트리비닐시클로트리실록산, 디비닐벤젠, 디에틸렌글리콜디비닐에테르, 디에틸렌글리콜이아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트 및 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸-디실록산으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체의 제조방법
14 14
제10항에 있어서, 상기 초소수성 단량체는 비닐기 및 불소를 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체의 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 비닐기 및 불소를 포함하는 화합물은 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실 아크릴레이트, 퍼플루오로데실 메타크릴레이트, 도데카플루오로헵틸 아크릴레이트, 펜타플루오로페닐 메타크릴레이트, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,9-펜타데카플루오로노닐 에스테르, 2-메틸- 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,9-펜타데카플루오로노닐 에스테르, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-트리데카플루오로옥틸 에스테르, 2-메틸- 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-트리데카플루오로옥틸 에스테르, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,7-운데카플루오로헵틸 에스테르, 2-메틸- 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,7-운데카플루오로헵틸 에스테르, 3,3,4,4,5,5,6,6,6-노나플루오로헥실 에스테르, 2-메틸-3,3,4,4,5,5,6,6,6-노나플로오로헥실 에스테르, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-노나데카플루오로운데실 에스테르, 2-메틸- 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-노나데카플루오로운데실 에스테르, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-헤네이코사플루오로도데실 에스테르, 2-메틸- 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-헤네이코사플루오로도데실 에스테르, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,13,13,13-트리코사플루오로트리데실 에스테르, 2-메틸- 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,13,13,13-트리코사플루오로트리데실 에스테르, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,13,13,14,14,14-펜타코사플루오로테트라데실 에스테르, 및 2-메틸- 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,13,13,14,14,14-펜타코사플루오로테트라데실 에스테르로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체의 제조방법
16 16
제10항에 있어서, 상기 (a) 단계 및 상기 (c) 단계의 증착은 상기 기판의 온도를 25~45℃, 반응기내 챔버의 압력을 150~250mTorr로 유지하면서 10~60분동안 수행하는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체의 제조방법
17 17
제10항에 있어서, 상기 (b) 단계 및 상기 (d) 단계의 증착은 상기 기판의 온도를 25~45℃, 반응기내 챔버의 압력을 50~200mTorr로 유지하면서 5~60분동안 수행하는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체의 제조방법
18 18
제10항에 있어서, 상기 (a) 단계, 상기 (b) 단계, 상기 (c) 단계 또는 상기 (d) 단계의 증착은 상기 기판의 온도를 25~35℃로 유지하면서 수행하는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체의 제조방법
19 19
기판의 상면 및 하면에 초소수성 단량체와 가교제의 공중합체를 각각 증착시켜 초소수성 표면체를 제조하는 단계를 포함하는 개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 초소수성 표면체의 제조방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 공중합체는 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산과 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실아크릴레이트 단량체의 공중합체, 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산과 퍼플루오로데실 메타크릴레이트 단량체의 공중합체, 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산과 도데카플루오로헵틸 아크릴레이트 단량체의 공중합체, 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산과 펜타플루오로페닐 메타크릴레이트 단량체의 공중합체, 1,3,5-트리메틸-1,3,5-트리비닐시클로트리실록산과 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실 아크릴레이트 단량체의 공중합체, 1,3,5-트리메틸-1,3,5-트리비닐시클로트리실록산과 퍼플루오로데실 메타크릴레이트 단량체의 공중합체, 1,3,5-트리메틸-1,3,5-트리비닐시클로트리실록산과 도데카플루오로헵틸 아크릴레이트 단량체의 공중합체, 1,3,5-트리메틸-1,3,5-트리비닐시클로트리실록산과 펜타플루오로페닐 메타크릴레이트 단량체의 공중합체, 디비닐벤젠, 디에틸렌글리콜디비닐에테르와 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실 아크릴레이트 단량체의 공중합체, 디비닐벤젠, 디에틸렌글리콜디비닐에테르와 퍼플루오로데실 메타크릴레이트 단량체의 공중합체, 디비닐벤젠, 디에틸렌글리콜디비닐에테르와 도데카플루오로헵틸 아크릴레이트 단량체의 공중합체, 디비닐벤젠, 디에틸렌글리콜디비닐에테르와 펜타플루오로페닐 메타크릴레이트 단량체의 공중합체, 디에틸렌글리콜이아크릴레이트와 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실 아크릴레이트 단량체의 공중합체, 디에틸렌글리콜이아크릴레이트와 퍼플루오로데실 메타크릴레이트 단량체의 공중합체, 디에틸렌글리콜이아크릴레이트와 도데카플루오로헵틸 아크릴레이트 단량체의 공중합체, 디에틸렌글리콜이아크릴레이트와 펜타플루오로페닐 메타크릴레이트 단량체의 공중합체, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트와 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실 아크릴레이트 단량체의 공중합체, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트와 퍼플루오로데실 메타크릴레이트 단량체의 공중합체, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트와 도데카플루오로헵틸 아크릴레이트 단량체의 공중합체 및 에틸렌글리콜디메타크릴레이트와 펜타플루오로페닐 메타크릴레이트 단량체의 공중합체로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체의 제조방법
21 21
제19항에 있어서, 상기 증착은 상기 기판의 온도를 25~45℃, 반응기내 챔버의 압력을 100~250mTorr로 유지하면서 10분~60분동안 수행하는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체의 제조방법
22 22
제19항에 있어서, 상기 증착은 상기 기판의 온도를 25~35℃로 유지하면서 수행하는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체의 제조방법
23 23
다음의 단계를 포함하는 개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 초소수성 표면체의 제조방법:(a) 기판의 양쪽면에 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산을 증착시키는 단계; 및 (b) 상기 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산이 증착되어 있는 기판의 양쪽면에 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실아크릴레이트 단량체를 증착시켜 초소수성 표면체를 제조하는 단계
24 24
다음의 단계를 포함하는 개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 초소수성 표면체의 제조방법:(a) 기판의 상면에 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산을 증착시키는 단계; (b) 상기 기판의 상면에 증착되어 있는 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산 위에 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실아크릴레이트 단량체를 증착시키는 단계; (c) 기판의 하면에 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산을 증착시키는 단계; 및 (d) 상기 기판의 하면에 증착되어 있는 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산 위에 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실아크릴레이트 단량체를 증착시켜 초소수성 표면체를 제조하는 단계
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기판의 상면 및 하면에 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산과 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실아크릴레이트 단량체의 공중합체를 각각 증착시켜 초소수성 표면체를 제조하는 단계를 포함하는 개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 초소수성 표면체의 제조방법
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기판의 상면 및 하면에 가교제가 증착되어 있고, 증착된 가교제 위에 초소수성 중합체가 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체
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기판의 상면 및 하면에 초소수성 단량체와 가교제의 공중합체가 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체
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기판의 상면 및 하면에 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산 중합체가 증착되어 있고, 증착된 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산 위에 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실아크릴레이트 중합체가 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체
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기판의 상면 및 하면에 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산과 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실아크릴레이트 단량체의 공중합체가 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체
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1 교육과학기술부 고려대학교 산학협력단 중견연구자 지원사업 아토피 정밀 진단용 3차원 나노구조체 기반 고감도 압타머 센서 개발