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N-비닐락탐 유도체의 공중합체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 포토레지스트

  • 기술번호 : KST2015118943
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 화학식 1 로 표시되는 비닐락탐의 3 위치에 여러 종류의 보호기가 도입된 유도체, 스티렌계 유도체 및 아크릴계 유도체의 신규한 공중합체, 그의 제조 방법 및 그들 공중합체의 포토레지스트로서의 용도에 관한 것이다. 본 발명의 중합체는 초미세가공(microlithography)에서 원자외선 노광에 적합한 감도, 고해상성의 화상을 형성할 수 있는 포토레지스트 재료로 사용될 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 포토레지스트는 초미세회로의 형성이 가능할 뿐만 아니라, 패턴 형성에 있어서 PED 안정성을 획기적으로 향상시킬 수 있다. 상기 식에서, R1은 수소, 탄소수 1 내지 10개의 알킬기, 탄소수 6 내지 12개의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9개의 트리알킬실릴기이고; R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1내지 10개의 알킬기, 탄소수 6 내지 12개의 아릴기, 탄소수 3 내지 9개의 트리알킬실릴기 및 -OR', -SO3R', -CO2R', -PO3R', -SO2R' 또는 -PO2R' (R'는 탄소수 1 내지 10개의 알킬; 시클로알킬; N, O, P, S 등의 헤테로 원자를 포함한 시클로기; 탄소수 6 내지 12개의 아릴기)이며; R4 및 R5는 각각 독립적으로 -OH, -OR(R은 탄소수 1 내지 10개의 알킬기 또는 탄소수 6내지 12개의 아릴기) 또는 R1과 동일한 기이며; R7 및 R9는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 10개의 알킬기, 탄소수 6 내지 12개의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9개의 트리알킬실릴기이고; R6 및 R8는 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 20개의 아릴기 또는 아크릴레이트(-COOR)(R는 탄소수 1 내지 10개의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12개의 아릴기)이고: m은 0 내지 10의 정수이며; j는 0.005 내지 0.7의 몰분률이며; k 및 l은 각각 독립적으로 0.05 내지 0.9의 몰분률이다.
Int. CL C08F 230/08 (2006.01) G03F 7/00 (2006.01) C08F 226/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019960068910 (1996.12.20)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0197673-0000 (1999.02.25)
공개번호/일자 10-1998-0050132 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.20)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진백 대한민국 서울특별시 동대문구
2 정민호 대한민국 서울특별시 도봉구
3 정종호 대한민국 충청북도 청주시 상당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이정훈 대한민국 서울특별시 중구 청계천로 **, *층(다동, 예금보험공사빌딩)(특허법인태평양)
2 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 현대전자산업주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0228362-33
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0228363-89
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0228364-24
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0228365-70
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1997.09.03 수리 (Accepted) 1-1-1996-0228366-15
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0449625-12
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2000-0164549-84
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2001-0044747-71
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5073964-60
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5270171-92
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

하기 화학식 1 로 표시되는 N-비닐락탐 유도체를 도입한 공중합체:

2

하기 화학식 2로 표시되는 N-비닐락탐 유도체와 스티렌계 유도체 또는 아크릴레이트계 유도체를 중합하여 하기 화학식 1의 공중합체를 제조하는 방법

3 3

제1항의 공중합체를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP03269789 JP 일본 FAMILY
2 JP10182754 JP 일본 FAMILY
3 US06051678 US 미국 FAMILY
4 US06262222 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1120185 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1185449 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 DE19721694 DE 독일 DOCDBFAMILY
4 DE19721694 DE 독일 DOCDBFAMILY
5 FR2757526 FR 프랑스 DOCDBFAMILY
6 FR2757526 FR 프랑스 DOCDBFAMILY
7 GB2320500 GB 영국 DOCDBFAMILY
8 GB2320500 GB 영국 DOCDBFAMILY
9 GB9708958 GB 영국 DOCDBFAMILY
10 JP10182754 JP 일본 DOCDBFAMILY
11 JP3269789 JP 일본 DOCDBFAMILY
12 JPH10182754 JP 일본 DOCDBFAMILY
13 NL1005689 NL 네덜란드 DOCDBFAMILY
14 NL1005689 NL 네덜란드 DOCDBFAMILY
15 TW367430 TW 대만 DOCDBFAMILY
16 US6051678 US 미국 DOCDBFAMILY
17 US6262222 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.