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고분자 몰드를 이용하여 다양한 미세 패턴을 형성하는 방법

  • 기술번호 : KST2014012437
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자 몰드를 이용하여 다양한 미세패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, (a) 양각의 패턴을 갖는 실리콘 몰드에 고분자 용액을 주입하고 경화처리하여 고분자 복제몰드를 형성하는 단계; (b) 미세패턴이 형성될 기판상에 고분자 박막을 형성하는 단계; (c) 상기 (b)단계의 고분자 박막 상에 상기 (a)단계에서 수득된 고분자 복제몰드를 접촉시킨 다음 열처리하는 단계; (d) 상기 (c)단계의 고분자 복제 몰드를 분리하여 고분자 박막의 미세패턴을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 (d)단계에서 형성된 고분자 박막의 미세패턴을 식각하여 다양한 형태 및 크기의 고분자 미세패턴을 형성하는 단계를 포함하는 고분자 몰드를 이용한 다양한 형태 및 크기의 미세패턴 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 하나의 고분자 몰드를 이용하여 기본 몰드가 가진 패턴에서 새롭고 다양화된 패턴을 제공하는 효과가 있다. 본 발명은 또한 패턴의 제작 공정에 따라서 마이크로미터 수준의 패턴을 나노미터 수준의 패턴으로 만들어 줄 수 있으며 이는 기존 패턴의 제작 단가에서 획기적인 절감을 가져오는 효과를 갖는다.나노패턴, PDMS, 캐필러리 리쏘그래피, 나노임프린트
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) G03F 7/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020070073233 (2007.07.23)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0879790-0000 (2009.01.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090122) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.23)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정희태 대한민국 대전 유성구
2 정진미 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이처영 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0530167-92
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.05.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0035006-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0389403-89
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.09.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0665292-57
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0665268-61
7 등록결정서
Decision to grant
2009.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0011232-04
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다음의 단계를 포함하는, 고분자 몰드를 이용한 다양한 형태와 크기를 가지는 미세패턴의 제조방법:(a) 양각의 패턴을 갖는 실리콘 몰드에 경성 PDMS를 형성하는 모노머, 촉매 및 개시제의 혼합용액을 스핀코팅한 후, 연성 PDMS를 형성하는 모노머 및 개시제를 혼합한 용액을 주입한 다음 경화처리 하여 연성 PDMS(polydimethylsiloxane)와 경성 PDMS 복합체 몰드를 형성하는 단계;(b) 미세패턴이 형성될 기판상에 고분자 박막을 형성하는 단계;(c) 상기 (b)단계의 고분자 박막 상에 상기 (a)단계에서 수득된 연성 PDMS와 경성 PDMS 복합체 몰드를 접촉시킨 다음 열처리하는 단계; (d) 상기 (c)단계의 연성 PDMS와 경성 PDMS 복합체 몰드를 분리하여 고분자 박막의 미세패턴을 형성하는 단계; 및(e) 상기 (d)단계에서 형성된 고분자 박막의 미세패턴을 식각하여 다양한 형태 및 크기의 고분자 미세패턴을 형성하는 단계
2 2
제1항에 있어서, 상기 (a)단계의 실리콘 몰드의 패턴은 가로 및 세로의 길이가 다른 형상인 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 (a)단계의 실리콘 몰드의 패턴은 타원형 또는 직사각형인 것을 특징으로 하는 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 (b)단계의 고분자 박막의 유리전이온도는 PDMS 몰드의 유리전이온도 미만인 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 (b)단계의 고분자 박막은 폴리스타이렌(polystyrene, PS)박막인 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 (b)단계의 고분자 박막의 두께에 따라 상기 미세패턴의 크기 및 모양을 조절하는 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 (c)단계의 열처리는 고분자 박막의 유리전이온도 이상으로 가열하여 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 (e)단계의 식각은 반응성 이온 식각인 것을 특징으로 하는 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 (e)단계의 식각 지속시간에 따라 상기 미세패턴의 크기 및 모양을 조절하는 것을 특징으로 하는 방법
12 12
다음의 단계를 포함하는, 고분자 몰드를 이용하여 실리콘 기판에 다양한 형태와 크기를 갖는 미세패턴을 제조하는 방법:(a) 양각의 패턴을 갖는 실리콘 몰드에 경성 PDMS를 형성하는 모노머, 촉매 및 개시제의 혼합용액을 스핀코팅한 후, 연성 PDMS를 형성하는 모노머 및 개시제를 혼합한 용액을 주입한 다음 경화처리 하여 연성 PDMS와 경성 PDMS 복합체 몰드를 형성하는 단계;(b) 미세패턴이 형성될 기판상에 실리콘 박막을 형성하여 실리콘 기판을 제조하는 단계;(c) 상기 (b)단계의 실리콘 기판상에 고분자 박막을 형성하는 단계;(d) 상기 (c)단계의 고분자 박막 상에 상기 (a)단계에서 수득된 연성 PDMS와 경성 PDMS 복합체 몰드를 접촉시킨 다음 열처리하는 단계;(e) 상기 (d)단계의 연성 PDMS와 경성 PDMS 복합체 몰드를 분리하여 고분자 박막의 미세패턴을 형성하는 단계; (f) 상기 (e)단계에서 형성된 고분자 박막의 미세패턴을 식각하여 다양한 형태 및 크기의 고분자 미세패턴을 형성하는 단계; 및(g) 상기 (f)단계에서 형성된 고분자 미세패턴을 마스크로 하여 이온 식각공정을 통해 상기 미세패턴을 실리콘 기판으로 전이시키는 단계
13 13
다음의 단계를 포함하는, 고분자 몰드를 이용하여 세라믹 기판에 다양한 형태와 크기를 갖는 미세패턴을 제조하는 방법:(a) 양각의 패턴을 갖는 실리콘 몰드에 경성 PDMS를 형성하는 모노머, 촉매 및 개시제의 혼합용액을 스핀코팅한 후, 연성 PDMS를 형성하는 모노머 및 개시제를 혼합한 용액을 주입한 다음 경화처리 하여 연성 PDMS와 경성 PDMS 복합체 몰드를 형성하는 단계;(b) 미세패턴이 형성될 기판상에 세라믹 박막을 형성하여 세라믹 기판을 제조하는 단계;(c) 상기 (b)단계의 세라믹 기판상에 고분자 박막을 형성하는 단계;(d) 상기 (c)단계의 고분자 박막 상에 상기 (a)단계에서 수득된 연성 PDMS와 경성 PDMS 복합체 몰드를 접촉시킨 다음 열처리하는 단계;(e) 상기 (d)단계의 연성 PDMS와 경성 PDMS 복합체 몰드를 분리하여 고분자 박막의 미세패턴을 형성하는 단계; (f) 상기 (e)단계에서 형성된 고분자 박막의 미세패턴을 식각하여 다양한 형태 및 크기의 고분자 미세패턴을 형성하는 단계; 및(g) 상기 (f)단계에서 형성된 고분자 미세패턴을 마스크로 하여 이온 식각공정을 통해 상기 미세패턴을 세라믹 기판으로 전이시키는 단계
14 14
다음의 단계를 포함하는, 고분자 몰드를 이용하여 금속 기판에 다양한 형태와 크기를 갖는 미세패턴을 제조하는 방법:(a) 양각의 패턴을 갖는 실리콘 몰드에 경성 PDMS를 형성하는 모노머, 촉매 및 개시제의 혼합용액을 스핀코팅한 후, 연성 PDMS를 형성하는 모노머 및 개시제를 혼합한 용액을 주입한 다음 경화처리 하여 연성 PDMS와 경성 PDMS 복합체 몰드를 형성하는 단계;(b) 미세패턴이 형성될 기판상에 금속 박막을 형성하여 금속 기판을 제조하는 단계;(c) 상기 (b)단계의 금속 기판상에 고분자 박막을 형성하는 단계;(d) 상기 (c)단계의 고분자 박막 상에 상기 (a)단계에서 수득된 연성 PDMS와 경성 PDMS 복합체 몰드를 접촉시킨 다음 열처리하는 단계;(e) 상기 (d)단계의 연성 PDMS와 경성 PDMS 복합체 몰드를 분리하여 고분자 박막의 미세패턴을 형성하는 단계; (f) 상기 (e)단계에서 형성된 고분자 박막의 미세패턴을 식각하여 다양한 형태 및 크기의 고분자 미세패턴을 형성하는 단계; 및(g) 상기 (f)단계에서 형성된 고분자 미세패턴을 마스크로 하여 이온 밀링공정을 통해 상기 미세패턴을 금속 기판으로 전이시키는 단계
15 15
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (a)단계의 실리콘 몰드의 패턴은 가로 및 세로의 길이가 다른 형상인 것을 특징으로 하는 방법
16 16
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (a)단계의 실리콘 몰드의 패턴은 타원형 또는 직사각형인 것을 특징으로 하는 방법
17 17
삭제
18 18
삭제
19 19
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (c)단계의 고분자 박막의 유리전이온도는 PDMS 몰드의 유리전이온도 미만인 것을 특징으로 하는 방법
20 20
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (c)단계의 고분자 박막은 PS(polystyrene) 박막인 것을 특징으로 하는 방법
21 21
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (c)단계의 고분자 박막의 두께에 따라 상기 미세패턴의 크기 및 모양을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 방법
22 22
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (d)단계의 열처리는 고분자 박막의 유리전이온도 이상으로 가열하여 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
23 23
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (f)단계의 식각은 반응성 이온 식각인 것을 특징으로 하는 방법
24 24
제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (f)단계의 식각 지속시간에 따라 상기 미세패턴의 크기 및 모양을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.