맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

레이저를 이용한 그래핀 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀, 이를 위한 제조장치

  • 기술번호 : KST2015119475
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 레이저를 이용한 그래핀 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀, 이를 위한 제조장치가 제공된다. 본 발명에 따른 레이저를 이용한 그래핀 제조방법은 SiC 기판에 레이저 빔을 조사하는 단계; 상기 조사된 레이저 빔에 의하여 SiC 기판의 실리콘이 승화하며, 이에 따라 잔류하는 탄소가 그래핀 구조로 성장하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명의 그래핀 제조방법에 따르면, 본 발명의 그래핀 제조방법에 따르면, 저진공 또는 고진공 조건 속에서 레이저 빔을 이용하여 국소적 고온영역을 나노초 단위로 형성하여 SiC 기판의 실리콘을 승화시켜 그래핀을 성장시킨다. 따라서, 원하는 패턴으로 그래핀을 제조할 수 있고, 레이저 빔의 조사 영역을 가변적으로 구성함으로써, 대면적 그래핀 단일층이 제조가능하다.
Int. CL B01J 19/08 (2006.01) C01B 31/02 (2006.01) H01B 1/04 (2006.01)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020100091599 (2010.09.17)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0029663 (2012.03.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.17)
심사청구항수 15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이건재 대한민국 대전광역시 유성구
2 최인성 대한민국 대전광역시 유성구
3 최성율 대한민국 대전광역시 유성구
4 홍병희 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0607300-45
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0779137-77
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0010439-62
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0182423-29
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0300909-99
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀 제조방법으로, 상기 방법은 SiC 기판에 레이저 빔을 조사하는 단계; 및 상기 조사된 레이저 빔에 의하여 SiC 기판의 실리콘이 승화하며, 이에 따라 잔류하는 탄소가 그래핀 구조로 성장하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 레이저 빔은 SiC 기판의 일 영역에 조사되며, 레이저 빔이 조사된 상기 일 영역에서 그래핀이 성장하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 방법은 상기 SiC 기판의 이동에 따라 상기 레이저 빔에 의하여 그래핀이 성장하는 영역이 이동되는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
4 4
제 2항에 있어서, 상기 방법은 상기 레이저 빔의 이동에 따라 상기 레이저 빔에 의하여 그래핀이 성장하는 영역이 이동되는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 그래핀 성장 단계의 온도는 900 내지 2000℃인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 그래핀 성장 단계의 압력 조건은 1
7 7
제 1항에 있어서, 상기 레이저 빔은 엑시머 레이저 또는 고체 레이저인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
8 8
제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 그래핀
9 9
제 8항에 있어서, 상기 그래핀은 레이저 빔이 조사되는 SiC 기판에서 성장하는 것을 특징으로 하는 그래핀
10 10
제 9항에 따른 그래핀을 포함하는 전극재료
11 11
그래핀 제조장치로서, SiC 기판이 내부에 적치되는 챔버;챔버에 적치된 상기 SiC 기판에 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 조사 수단; 및 상기 레이저 빔 조사 수단을 이동시키는 이동수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조장치
12 12
그래핀 제조장치로서, SiC 기판이 내부에 적치되는 챔버;챔버에 적치된 상기 SiC 기판에 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 조사 수단; 및챔버 내의 SiC 기판을 이동시키는 기판 이동수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조장치
13 13
제 11항 또는 제 12항에 있어서, 상기 레이저 빔의 조사에 따라 SiC 기판 온도는 900 내지 2000℃로 상승하며, 이로부터 실리콘이 승화되는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조장치
14 14
제 11항 또는 제 12항에 있어서,상기 챔버의 압력 조건은 1
15 15
제 14항에 있어서, 상기 압력 조건은 상기 챔버에 주입된 수소를 배출시킴으로써 형성된 것을 특징으로 하는 그래핀 제조장치
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101113287 KR 대한민국 FAMILY
2 KR101127742 KR 대한민국 FAMILY
3 KR101169538 KR 대한민국 FAMILY
4 US20120068161 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.