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질화규소막또는산화규소막으로코팅된고온용흑연실험용기및그의제작방법

  • 기술번호 : KST2015119967
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 흑연을 재질로 사용하고 그에 질화규소막 또는 산화규소막을 코팅한 흑연 실험 용기에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 a) 시판되는 흑연을 기계가공하여 원하는 모양으로 성형하는 단계, b) 성형된 흑연을 화학증착 반응기에서 먼저 규소막으로 증착시킨 후 열처리하여 반응물 확산 방지막을 형성함으로써 코팅시키는 단계, 및 c) 코팅 작업이 완결되면 기체 분위기를 막의 종류에 따라 질소 혹은 산소로 맞추고 약 1시간 동안 600-900℃에서 열처리하여 존재할 수 있는 핀 홀(pin hole)을 제거하는 단계로 이루어진 흑연 실험 용기의 제작 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의해 제작된 흑연 실험 용기는 급속 가열용 복사식 가열로를 사용하는 경우에 급속 가열의 효과를 최대한 살리기 위한 복사열 흡수능이 뛰어나며, 질화규소막이나 산화규소막을 화학증착범으로 코팅시켜 용기의 화학적 안정성을 높인 것으로, 그 성능면에 있어서나 가격면에 있어서 종래의 백금 용기 등과 비교하여 월등히 개선된 것이다.
Int. CL C01B 31/04 (2006.01)
CPC B01L 3/508(2013.01) B01L 3/508(2013.01) B01L 3/508(2013.01)
출원번호/일자 1019940017484 (1994.07.20)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0120018-0000 (1997.08.11)
공개번호/일자 10-1996-0003811 (1996.02.23) 문서열기
공고번호/일자 (19971027) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.07.20)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임태훈 대한민국 서울특별시송파구
2 이중기 대한민국 서울특별시강남구
3 홍성안 대한민국 서울특별시강남구
4 오인환 대한민국 서울특별시성북구
5 남석우 대한민국 서울특별시성북구
6 우주만 대한민국 서울특별시노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1994.07.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0079642-92
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1994.07.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0079643-37
3 출원심사청구서
Request for Examination
1994.07.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0079644-83
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
1997.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0079645-28
5 등록사정서
Decision to grant
1997.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0044886-09
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

흑연을 주재질로 하여 그 위에 산화규소막 또는 질화규소막이 증착 코팅된 고온용 실험 용기

2 2

a) 시판되는 흑연을 기계 가공하여 원하는 모양으로 성형하는 단계, b) 성형된 흑연을 화학증착 반응기에서 먼저 규소막으로 증착시킨 후 열처리하여 반응물 확산 방지막을 형성함으로써 코팅시키는 단계, 및 c) 코팅 작업이 완결되면 기체 분위기를 막의 종류에 따라 질소 혹은 산소로 맞추고 약 1시간 동안 600∼900℃에서 열처리하여 존재할 수 있는 핀 홀(pin hole)을 제거하는 단계로 이루어진 흑연 실험 용기의 제작 방법

3 3

제2항에 있어서, 단계 b)에서 사용된 화학증착 반응기가 저압 화학증착(low pressure chemical vapor deposition) 반응기이고, SiH4/H2 기체를 사용하여 기판 온도 250∼400℃ 및 압력 1∼10torr에서 증착 과정을 수행하며, 형성된 반응물 확산 방지막이 산화규소막인 것을 특징으로 하는 방법

4 4

제2항에 있어서, 단계 b)에서 사용된 화학증착 반응기가 플라즈마 화학증착(plasma enhanced chemical vapor deposition) 반응기이고, SiH4/H2/NH3 기체를 사용하여 기판 온도 300∼400℃, 압력 0

5 5

제3항에 있어서, 단계 b)에서의 열처리 과정을 600∼800℃의 온도에서 산소 분위기하에 행하여 산화규소막을 형성함으로써 코팅시키는 것을 특징으로 하는 방법

6 6

제4항에 있어서, 단계 b)에서의 열처리 과정을 750∼900℃의 온도에서 질소 분위기하에 행하여 질화규소막을 형성함으로써 코팅시키는 특징으로 하는 방법

7 7

흑연을 주재질로 하며 그 위에 산화규소막 또는 질화규소막을 형성시킨 열전대용 흑연 캡

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.