| 1 |
1
기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 활성층; 및상기 활성층 상에 형성된 상부 전극을 포함하며,상기 활성층은 금속 산화물-그래핀 양자점 및 유기 고분자 물질을 포함하고,상기 금속 산화물-그래핀 양자점은 금속 산화물을 그래핀 물질이 둘러싸고 있는 형태를 갖고, 상기 그래핀 물질이 상기 금속 산화물의 응집을 억제하는 것이고,상기 금속 산화물은 아연(Zn)을 산화시켜 형성된 물질이고,상기 유기 고분자 물질은 폴리스티렌(Polystyrene, PS)인 비휘발성 폴리머 메모리 장치
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 금속 산화물-그래핀 양자점은 활성층 내에서 분산성을 갖는 비휘발성 폴리머 메모리 장치
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 활성층은 상기 활성층의 전체 중량에 대해 상기 금속 산화물-그래핀 양자점 5 내지 50 중량부를 포함하는 비휘발성 폴리머 메모리 장치
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 활성층은 10 nm 내지 15μm의 두께를 갖는 비휘발성 폴리머 메모리 장치
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 상부 및 하부 전극들은 각각 티타늄, 텅스텐, 탄탈륨, 백금, 루테늄 등 및 이리듐을 포함하는 금속, 이들의 금속 산화물 혹은 이들의 금속 질화물으로 이루어진 그룹에서 선택된 1 이상을 포함하는 비휘발성 폴리머 메모리 장치
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 상부 및 하부 전극들은 각각 40 내지 50nm의 두께를 갖는 비휘발성 폴리머 메모리 장치
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,0V 보다 크고, 5 V 이하인 범위에서 읽기 동작을 실시하는 비휘발성 폴리머 메모리 장치
|
| 11 |
11
기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;금속 산화물과 그래핀 물질을 반응시켜 금속 산화물-그래핀 양자점을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 상기 금속 산화물-그래핀 양자점 및 유기 고분자 물질을 포함하는 활성층 용액을 도포하여 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 금속 산화물-그래핀 양자점은 금속 산화물을 그래핀 물질이 둘러싸고 있는 형태를 갖고, 상기 그래핀 물질이 상기 금속 산화물의 응집을 억제하는 것이고,상기 금속 산화물은 아연(Zn)을 산화시켜 형성된 물질이고,상기 유기 고분자 물질은 폴리스티렌(Polystyrene, PS)인 비휘발성 폴리머 메모리 장치의 제조 방법
|
| 12 |
12
제 11항에 있어서, 상기 활성층 용액을 도포하여 상기 활성층을 형성하는 단계는 스핀 코팅(Spin coating) 공정을 통해 수행되는 것인 비휘발성 폴리머 메모리 장치의 제조 방법
|
| 13 |
13
제 11항에 있어서, 상기 금속 산화물을 형성하고, 용매에 용해시키는 단계;상기 그래핀 물질을 용매에 용해시킨 후, 상기 금속 산화물이 용해된 상기 용매와 혼합하여 혼합 용액을 제조하는 단계; 상기 혼합 용액을 80℃ 내지 100℃ 범위의 온도 내에서 가열하여 상기 금속 산화물-그래핀 양자점을 형성하는 단계; 상기 혼합 용액을 건조하여 금속 산화물-그래핀 양자점 분말을 수득하는 단계; 및용매에 상기 유기 고분자 물질을 용해한 후, 상기 금속 산화물- 그래핀 양자점 분말을 용해하여 상기 활성층 용액을 형성하는 단계를 더 포함하는 비휘발성 폴리머 메모리 장치의 제조 방법
|
