맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

실리콘웨이퍼에서의부정합전위의발생을억제화하기위한링패턴형성방법및그구조

  • 기술번호 : KST2015120053
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 웨이퍼에 큰 농도(5×1019/㎤ 이상)로 불순물을 주입할 경우, 필연적으로 발생하는 부정합전위를 제거하기 위한 방법 및 그 구조에 관한 것이다.일반적으로 반도체소자의 소오스와 드레인을 형성하기 위해서는 큰 농도의 불순물 주입공정이 요구되며, 또한 X-선 마스크와 마이크로머신 그리고 접합웨이퍼의 제작공정시 반드시 큰 농도의 불순물 주입공정이 요구된다. 그러나 종래의 불순물 주입방법에 의하면 부정합전위가 발생하여 큰 농도로 불순물이 주입된 층의 전기적 특성과 기계적 특성을 악화시켜 왔다.본 발명에서는 종래 결함을 감안하여 웨이퍼내로 전파되는 전위를 차단하는 링패턴 형성 방법을 이용하여 웨이퍼에 링형태로 불순물의 주입이 차단되는 영역을 형성시켜 동 영역에 의해 둘러싸인 부분의 영역에는 전위가 존재하지 않도록 하므로서 전위가 없는 큰 농도의 불순물이 주입된 층을 형성할 수 있도록 하여 전기적 특성이 우수한 전기소자와 기계적 특성이 우수하면서 표면거칠기가 매우 작은 고신뢰성의 X-선 마스크 및 마이크로머신 그리고 접합웨이퍼를 제공하게 되는 것이다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01)
CPC H01L 29/0619(2013.01) H01L 29/0619(2013.01)
출원번호/일자 1019940002223 (1994.02.07)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0123434-0000 (1997.09.12)
공개번호/일자 10-1995-0025848 (1995.09.18) 문서열기
공고번호/일자 (19971126) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.02.07)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김충기 대한민국 서울특별시강남구
2 한철희 대한민국 대전직할시유성구
3 이호준 대한민국 대전직할시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.02.07 수리 (Accepted) 1-1-1994-0010582-01
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.02.07 수리 (Accepted) 1-1-1994-0010583-46
3 특허출원서
Patent Application		 1994.02.07 수리 (Accepted) 1-1-1994-0010581-55
4 등록사정서
Decision to grant		 1997.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0005871-66
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

링형태의 박막패턴으로 큰 농도(5×1019/㎤ 이상)의 불순물 주입을 차단하므로서 링형태의 불순물 주입이 차단된 영역(1-5)을 형성하고, 이 영역에 둘러싸인 큰 농도의 불순물이 주입된 영역(1-7)의 전위발생을 억제토록 함을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼에서의 링패턴 형성방법

2 2

큰 농도(5×1019/㎤ 이상)의 불순물이 주입된 영역(1-7)의 전위발생을 억제하기 위하여 이 영역을 큰 농도의 불순물 주입이 차단된 영역(1-5)이 둘러싸도록 함을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼에서의 링패턴 형성구조

3 3

한층의 박막으로 링형태의 실리콘 식각영역(3-6)과 불순물 주입이 차단된 영역(3-5)을 형성하여 큰 농도(5×1019/㎤ 이상)로 불순물이 주입된 영역(3-7)의 전위발생을 억제토록 함을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼에서의 링패턴 형성방법

4 4

큰 농도(5×1019/㎤ 이상)로 불순물이 주입된 영역(3-7)의 전위발생을 억제하기 위하여 큰 농도를 불순물이 주입된 영역(3-7)을 불순물 주입이 차단된 영역(3-5)과 큰 농도의 불순물이 주입된 실리콘 식각영역(3-6)이 둘러싸도록 함을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼에서의 링패턴 구조

5 5

실리콘 웨이퍼(4-1)를 링형태로 식각한 후, 링형태의 박막패턴으로 불순물 주입을 차단하여 큰 농도(5×1019/㎤ 이상)의 불순물이 주입된 영역(4-8)의 전위발생을 억제토록 함을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼에서의 링패턴 형성방법

6 6

큰 농도(5×1019/㎤ 이상)로 불순물이 주입된 영역(4-8)의 전위발생을 억제하기 위하여 큰 농도로 불순물이 주입된 영역(4-8)을 큰 농도의 불순물 주입이 차단된 영역(4-6)과 실리콘 식각영역(4-7)이 둘러싸도록 함을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼에서의 링패턴 형성구조

지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP02793968 JP 일본 FAMILY
2 JP07263367 JP 일본 FAMILY
3 US05801085 US 미국 FAMILY
4 US05828114 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2793968 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP7263367 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH07263367 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US5801085 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US5828114 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.