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개선된 감도를 갖는 탄소나노튜브 센서의 제조방법(Method for fabricating carbon nanotube sensor having improved sensitivity)

  • 기술번호 : KST2016010206
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, (a) 기판 상에 절연막을 형성하는 단계, (b) 절연막 상에 탄소나노튜브 입자를 흡착하는 단계, (c) 탄소나노튜브가 흡착된 절연막 상의 일정 영역에 전극들을 형성하는 단계, (d) 전극들을 포토레지스트로 코팅하는 단계, (e) 절연막을 식각하여 전극들 사이의 탄소나노튜브가 공중에 부양되도록 하는 단계, (f) 전극들에 코팅된 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법을 제공한다.
Int. CL G01N 27/02 (2006.01) G01N 27/26 (2006.01) G01N 27/327 (2006.01) G01N 27/414 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
CPC G01N 27/02(2013.01) G01N 27/02(2013.01) G01N 27/02(2013.01) G01N 27/02(2013.01) G01N 27/02(2013.01) G01N 27/02(2013.01)
출원번호/일자 1020140153384 (2014.11.06)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0054170 (2016.05.16) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.06)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변영태 대한민국 서울특별시 성북구
2 김선호 대한민국 서울특별시 성북구
3 전영민 대한민국 서울특별시 성북구
4 이제행 대한민국 서울특별시 성북구
5 김재성 대한민국 서울특별시 성북구
6 박민철 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2014-1068556-44
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.02.05 수리 (Accepted) 9-1-2016-0006774-58
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0129636-55
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0373993-05
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0374004-54
7 등록결정서
Decision to grant		 2016.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0539858-34
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 상에 절연막을 형성하는 단계;(b) 상기 절연막 상에 탄소나노튜브 입자를 흡착하는 단계;(c) 상기 탄소나노튜브가 흡착된 상기 절연막 상의 일정 영역에 전극들을 형성하는 단계;(d) 상기 전극들을 포토레지스트로 코팅하는 단계;(e) 상기 절연막을 식각하여 상기 전극들 사이의 탄소나노튜브가 공중에 부양되도록 하는 단계;(f) 상기 전극들에 코팅된 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에 있어서, 단일벽 탄소나노튜브(SWNT)가 분산된 용액에 일정 시간 동안 상기 기판을 담그는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 (c) 단계에 있어서, 소스-드레인 전극 가운데에 채널을 갖는 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 절연막에 게이트 전극을 추가로 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 (e) 단계에 있어서, 상기 절연막 만을 식각하기 위해 식각 용액으로 BOE나 HF 등을 사용하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.